晶圆处理装置的制作方法

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。

背景技术：

Load Lock(缓冲装置)是晶圆去胶过程中，用于真空与大气环境之间相互转变的装置。一般来说，Load lock包括由相对设置的两侧壁构成的腔室，以及用于封闭所述腔室、且相对设置的第一阀门和第二阀门，其中第一阀门为由真空传送模组(Vacuum Transfer Module，VTM)构成的真空传送阀门，所述第二阀门为由大气传送模组(Atmosphere Transfer Module，ATM)构成的大气传送阀门。Load Lock的两个侧壁上各设置有竖直排列的四个支架，所述支架用于支撑晶圆。其中，位于上部的两个支架用于放置去胶前的晶圆，位于下部的两个支架用于放置去胶后的晶圆。

但是，在去胶过程中，去胶机台的制程温度高达275℃。当晶圆从外界进入Load Lock的腔室或从Load Lock的腔室移除的过程中，高温会造成未去胶晶圆与已去胶晶圆的交叉污染。同时，为了避免热应力的产生，晶圆在完成去胶后，需要进入冷却装置进行冷却，这就造成晶圆进入下一步制程之前的等待时间较长，严重影响了晶圆的生产效率。

因此，如何避免Load Lock中晶圆的交叉污染，同时提高晶圆的生产效率，是目前亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

本实用新型提供一种晶圆处理装置，用以解决现有的晶圆处理过程中易产生晶圆交叉污染的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆处理装置，包括两相对设置的侧壁，每一侧壁沿竖直方向设置有上层支架和下层支架，所述上层支架用于放置去胶前的晶圆，所述下层支架用于放置去胶后的晶圆；还包括设置于所述上层支架与下层支架之间的隔板，且所述隔板的两相对端分别与两侧壁连接，以隔离所述上层支架与所述下层支架。

优选的，所述隔板内设置有冷却组件，所述冷却组件用于冷却置于所述下层支架上的晶圆。

优选的，所述冷却组件包括布置于所述隔板内的管道，所述管道用于传输冷却水。

优选的，所述管道为在所述隔板内均匀分布的蛇形管。

优选的，所述管道包括冷却水入口和冷却水出口；所述晶圆处理装置还包括相对设置的大气传送阀门和真空传送阀门；所述冷却水入口设置于所述大气传送阀门端，所述冷却水出口设置于所述真空传送阀门端。

优选的，所述隔板与所述大气传送阀门之间具有预设间隙。

优选的，所述隔板采用陶瓷材料制作而成。

优选的，所述上层支架包括沿竖直方向设置的两层子支架，所述下层支架包括沿竖直方向设置的两层子支架。

优选的，所述隔板与所述侧壁可拆卸的连接。

本实用新型提供的晶圆处理装置，通过在放置去胶前晶圆的上层支架与放置去胶后晶圆的下层支架之间设置一隔板，来实现上层之间与下层支架之间的物理隔离，从而从根本上避免了去胶前晶圆与去胶后晶圆之间的交叉污染，在增强晶圆品质的同时，也提高了晶圆的生产效率。

附图说明

附图1是本实用新型具体实施方式中晶圆处理装置的结构示意图；

附图2是本实用新型具体实施方式中隔板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的晶圆处理装置的具体实施方式做详细说明。

本具体实施方式提供了一种晶圆处理装置，附图1是本实用新型具体实施方式中晶圆处理装置的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的晶圆处理装置，包括两相对设置的侧壁11，每一侧壁11沿竖直方向设置有上层支架12和下层支架13，所述上层支架12用于放置去胶前的晶圆，所述下层支架13用于放置去胶后的晶圆。由于去胶机台的制程温度高达275℃，在晶圆进出所述晶圆处理装置时，去胶前的晶圆与去胶后的晶圆会产生交叉污染，影响晶圆品质，还会导致晶圆生产周期的延长。为了解决晶圆交叉污染的问题，本具体实施方式提供的晶圆处理装置还包括设置于所述上层支架12与所述下层支架13之间的隔板14，且所述隔板14的两相对端分别与两侧壁11连接，以隔离所述上层支架12与所述下层支架13。在图1中，所述下层支架13由于被所述隔板14遮挡，故以虚线表示所述下层支架13的位置。通过在所述上层支架12与所述下层支架13之间增设一隔板14，且所述隔板14的两相对端分别与两侧壁11连接，即所述隔板14从所述晶圆处理装置的一侧壁延伸到与其相对的另一侧壁，从而实现了所述晶圆处理装置中所有上层支架12与所有下层支架13之间的物理隔离，从本质上避免了置于上层支架12上的去胶前晶圆与置于下层支架13上的去胶后晶圆之间的交叉污染，在增强晶圆品质的同时，也提高了晶圆的生产效率。其中，所述隔板14的具体材质本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本具体实施方式对此不作限定。所述隔板14的具体形状，本领域技术人员也可以根据实际需要进行选择，只要能实现所述上层支架12与所述下层支架13之间的物理隔离即可。本具体实施方式中的晶圆处理装置是用于真空环境与大气环境之间相互转变的装置，例如Load Lock。

为了提高晶圆的制造效率，优选的，所述上层支架12包括沿竖直方向设置的两层子支架，所述下层支架13包括沿竖直方向设置的两层子支架。即所述晶圆处理装置的每一侧壁上沿竖直方向设置有四层支架，其中，位于上方的两层支架用于放置去胶前的晶圆，位于下方的两层支架用于放置去胶后的晶圆，从而增大了所述晶圆处理装置能够同时处理的晶圆的数量。

为了便于对所述隔板进行更换或者清洗，优选的，所述隔板14与所述侧壁11可拆卸的连接。其中，可拆卸的连接的具体方式，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，可以是但不限于螺接、卡接等。

为了进一步提高晶圆的生产效率，优选的，所述隔板14内设置有冷却组件，所述冷却组件用于冷却置于所述下层支架13上的晶圆。现有技术中，为了避免热应力的产生，晶圆在完成去胶制程之后、且进入下一步制程之前，需要将去胶后的晶圆从晶圆处理装置取出，并放入冷却装置进行冷却，待晶圆冷却到预定温度之后，才能开始下一步的制程。然而，冷却等待的时间较长，会导致晶圆生产效率的降低。本具体实施方式，通过在实现所述上层支架12与所述下层支架13隔离的所述隔板14内设置冷却组件，对置于所述下层支架13上的去胶后晶圆进行冷却，从而减少了去胶后晶圆从晶圆处理装置取出后再在冷却装置冷却的时间，提高了晶圆的生成效率。

所述冷却组件的具体形式，本领域技术人员可以实际需要进行选择，例如可以是风冷，也可以水冷。附图2是本实用新型具体实施方式中隔板的结构示意图。为了降低所述晶圆处理装置的制造成本，并简化所述晶圆处理装置的整体结构，优选的，如图2所示，所述冷却组件包括布置于所述隔板14内的管道21，所述管道21用于传输冷却水。通过冷却水在所述管道21中的流动，实现了冷却水与置于所述下层支架13上的去胶后晶圆的热交换，带走了去胶后晶圆的部分热量，降低了去胶后晶圆的温度，从而减少了去胶后晶圆从所述晶圆处理装置取出后再在冷却装置冷却的时间，提高了晶圆的生成效率。为了进一步提高冷却水的冷却效果，更优选的，所述隔板14采用陶瓷材料制作而成。这是因为，陶瓷材料具有较大的导热系数，热传导效率更高，从而能够使得所述冷却水与去胶后晶圆之间的热交换效率进一步提高。

为了确保所述冷却组件对去胶后晶圆的均匀冷却，优选的，所述管道21为在所述隔板14内均匀分布的蛇形管。

为了便于冷却水顺利进入所述管道21，优选的，如图1、2所示，所述管道21包括冷却水入口211和冷却水出口212；所述晶圆处理装置还包括相对设置的大气传送阀门15和真空传送阀门16；所述冷却水入口211设置于所述大气传送阀门15端，所述冷却水出口212设置于所述真空传送阀门16端。更优选的，所述隔板14与所述大气传送阀门15之间具有预设间隙d。之所以设置预设间隙d，是为了使气体流通顺畅，从而不对所述晶圆处理装置通过抽气/充气方式完成真空与大气环境之间的相互转变造成影响。其中，所述预设间隙d的具体数值，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，例如根据所述晶圆处理装置本身形状、结构和/或所述大气传送阀门15的结构来设置。

本具体实施方式提供的晶圆处理装置，通过在放置去胶前晶圆的上层支架与放置去胶后晶圆的下层支架之间设置一隔板，来实现上层之间与下层支架之间的物理隔离，从而从根本上避免了去胶前晶圆与去胶后晶圆之间的交叉污染，在增强晶圆品质的同时，也提高了晶圆的生产效率。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。