LED基板的制作方法

本实用新型属于LED领域，尤其涉及一种LED基板。

背景技术：

众所周知目前LED电热转换效率在30-40％之间，这就意味着有60-70％的电能转换成热能，而温度往往对LED可靠性起到至关重要的作用，将LED热量快速导出对保证LED正常使用起到决定性作用。目前市面上所采用基板大多为单质金属加塑胶料或陶瓷或复合铝基板，单质金属加塑胶料导热系数较高，但热膨胀系数与氮化镓LED芯片匹配度较差，绝缘性能差，陶瓷基板易碎裂，导热系数低，复合铝基板导热系数低，绝缘层膨胀系数大。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种LED基板，解决现有技术中金属基板与氮化镓LED芯片匹配度较差，绝缘性能差，陶瓷基板易碎裂，导热系数低，复合铝基板导热系数低，绝缘层膨胀系数大的技术问题。

本实用新型是这样实现的，

一种LED基板，该LED基板用于安装氮化镓LED芯片，包括氮化铝金属基板、设于该氮化铝金属基板上的氮化硼膜体，该氮化硼膜体上设置有电路槽及焊接槽，该氮化硼膜体上还设置有白油层，该白油层设于电路槽及焊接槽以外的区域，该白油层用于光反射，该电路槽及焊接槽内沉积有铜层，该LED基板还包括银层，该银层设于该焊接槽内铜层上表面。

该LED基板基材采用氮化铝材质的金属基板，导热系数达到300W/m.K，在基材上通过化学气相沉积方式制备氮化硼膜体作为绝缘层和电路蚀刻层，氮化硼具有高导热、高电阻、与氮化镓有良好热膨胀匹配性能，结合氮化铝制备LED 基板可解决目前基板导热、热膨胀匹配、绝缘等多种问题。该LED基板制备的灯珠其热阻可小于2.0℃/W，处于行业领先水平。

附图说明

图1是本实用新型LED基板结构示意图；

图2是本实用新型LED基板的制备方法流程图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型还提供一种LED基板，请参阅图1，该LED基板用于安装氮化镓LED芯片，包括氮化铝金属基板1、设于该氮化铝金属基板上的氮化硼膜体2，该氮化硼膜体上设置有电路槽(图中未示出)及焊接槽(图中未示出)，该氮化硼膜体上还设置有白油层5，该白油层设于电路槽及焊接槽以外的区域，该白油层用于光反射，该电路槽及焊接槽内沉积有铜层3，该LED基板还包括银层4，该银层设于该焊接槽内铜层上表面。

具体地，在该氮化铝金属基板与该氮化硼膜体之间还设置有铜膜(图中未示出)铜膜厚度是60-80微米。通过设置铜层，大大增加氮化铝金属基板与氮化镓氮化硼膜体之间的结合度，提高了使用期限。

具体地，该氮化硼膜体为氮化硼氮化硼膜体，该氮化硼膜体的厚度为 0.1-0.15mm。

具体地，该电路槽与该焊接槽连通。由此可以实现，电路槽与焊接槽内的铜层是相连通的，可以电联。

该LED基板基材采用氮化铝作为基板材料，导热系数达到300W/m.K，在基材上通过化学气相沉积方式制备氮化硼膜体作为绝缘层和电路蚀刻层，氮化硼具有高导热、高电阻、与氮化镓有良好热膨胀匹配性能，结合氮化铝制备LED 基板可解决目前基板导热、热膨胀匹配、绝缘等多种问题。该LED基板制备的灯珠其热阻可小于2.0℃/W，处于行业领先水平。通过在氮化铝金属基板上设置铜层，增强氮化镓氮化硼膜体与基板之间的结合性，放置氮化镓氮化硼膜体脱落，延长基板的使用期限。

该LED基板用于氮化镓LED芯片，请参阅图1，图1是本实用新型LED 基板的制备方法的流程图，包括如下步骤：

S01，提供氮化铝金属基板；

S02，在该氮化铝金属基板上沉积氮化硼膜体；

S03，在该氮化硼膜体上设置电路槽以及焊接槽；

S04，在该电路槽及焊接槽内设置铜层作为导电电路；

S05，在该焊接槽铜层上设置银层作为焊接区；

S06，在该氮化硼膜体上于电路槽及焊接槽以外的区域设置白油层，该白油层用于光反射。

具体地，本实用新型方法所制备的LED基板，用于放置氮化镓LED芯片，与氮化镓LED芯片相配合使用。

具体地，步骤S01中，该陶氮化铝座为金属基板，氮化铝是一种高导热合金材料，具有良好的可塑性，热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5～4×10-6℃)和 GaAs(6×10-6℃)匹配,是制备高导热基板的优良材料。

具体地，步骤S02中，通过化学气相沉积方法设置氮化硼膜体，具体是利用脉冲等离子体技术在低温低压下在氮化铝基材上制备成立方氮化硼(CBN)膜，温度范围是300-800℃，低压指小于标准大气压。所用设备简单，工艺易于实现。沉积装置由耐热石英管和加热装置组成，基体既可以通过加热炉加热(热壁 CVD)，也可以通过高频感应加热(冷壁CVD)。反应气体在高温基体表面发生分解，反应方程式例如BCl3+NH3＝BN+3HCl，同时发生化学反应沉积成膜，反应气体有BCl3或B2H4，以及NH3的混合气体，例如BCl3与NH3混合气体、B2H4与 NH3混合气体，沉积后，氮化镓膜厚度达到0.1-0.15毫米；本步骤中的反应装置没有限制。

本专利中，氮化硼薄膜作为绝缘层和电路蚀刻层，氮化硼具有高导热、高电阻、与氮化镓有良好热膨胀匹配性能，结合氮化铝制备LED基板可解决目前基板导热、热膨胀匹配、绝缘等多种问题。

进一步，在步骤S02的沉积氮化硼膜体步骤前还包括如下步骤：

在所述氮化铝金属基板上设置铜层。可以通过电镀或其他方法设置铜层。通过设置铜层，大大增加氮化铝金属基板与氮化镓氮化硼膜体之间的结合度，提高了使用期限。

具体地，步骤S03中，通过机械蚀刻在氮化硼膜体上制备所需的电路槽和焊接区结构凹槽(焊接槽)，为电路化学沉积提供图形结构和基床；该焊接槽和电路槽相连通，焊接槽在槽体形状上与电路槽不同，电路槽为线状，而焊接槽成四边形或多边形形状。

具体地，步骤S04中，利用化学沉积方法在氮化硼膜体的电路槽及焊接槽内沉积上一层薄铜，厚度是100-150u”(麦)，浸1％稀H2SO4形成加厚铜层；

具体地，步骤S05中，在焊接槽内裸露的铜层上化学沉积一层银层，银层的厚度是80-120u”(麦)，可形成良好的反射效果，并且能与锡或金锡合晶有良好焊接性能；

具体地，步骤S06中，氮化硼膜体上，用于覆盖除反射层和焊接区外的其他区域，覆盖白油层，可有效提高发光面的反射率，并对电路进行保护。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。