技术总结
本实用新型公开了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有封闭式缺口，控制IC芯片固定在第二框架，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接。带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。
技术研发人员：李明芬;吴南;吕敏;李联勋;马东平;王鹏;徐明星
受保护的技术使用者：山东芯诺电子科技股份有限公司
技术研发日：2017.12.28
技术公布日：2018.10.12