用于反向偏置开关晶体管的方法和装置与流程

技术特征：

技术总结
一种集成射频(RF)电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成RF电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括在有源器件上的正面介电层上的处理基底。

技术研发人员：S·格科特佩里
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2017.05.24
技术公布日：2019.02.05