用于反向偏置开关晶体管的方法和装置与流程

本公开总体上涉及集成电路(ic)。更具体地，本公开涉及用于反向偏置开关晶体管的方法和装置。

背景技术：

推动无线通信行业的一个目标是为消费者提供增长的带宽。在当前一代通信中使用载波聚合为实现该目标提供了一种可能的解决方案。载波聚合使得具有在特定地理区域中的两个频带(例如，700mhz和2ghz)的许可的无线载波能够通过同时使用两个频率用于单个通信流来最大化带宽。虽然向终端用户提供了增长的数据量，但由于用于数据传输的频率的原因，在谐波频率处产生的噪声使载波聚合实现变得复杂。例如，700mhz传输可能会产生2.1ghz处的谐波，这干扰在2ghz频率处的数据广播。

对于无线通信，无源器件被用于在载波聚合系统中处理信号。在载波聚合系统中，利用高频带和低频带来通信信号。在芯片组中，无源器件(例如，双工器)通常插在天线与调谐器(或射频(rf)开关)之间，以确保高性能。通常，双工器设计包括电感器和电容器。双工器可以通过使用具有高品质(q)因子的电感器和电容器来实现高性能。还可以通过减少组件之间的电磁耦合来获取高性能双工器，这样的电磁耦合可以通过组件的几何形状和方向的布置来实现。

出于成本和功耗考虑，包括高性能双工器的移动rf芯片设计(例如，移动rf收发器)已经迁移到深亚微米工艺节点。这样的移动rf收发器的设计在这个深亚微米工艺节点变得复杂。这些移动rf收发器的设计复杂性由于用于支持通信增强(诸如载波聚合)的增加的电路功能而进一步复杂化。移动rf收发器的进一步设计挑战包括模拟/rf性能考虑因素，包括不匹配、噪声和其他性能考虑。这些移动rf收发器的设计包括附加无源器件的使用，例如，以便抑制谐振，和/或执行滤波、旁路和耦合。

技术实现要素：

一种集成射频(rf)电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成rf电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。集成rf电路结构还可以包括在有源器件上的正面介电层上的处理基底。

一种构造集成rf电路结构的方法可以包括制造由隔离层的第一表面支撑并且设置在牺牲基底上的有源器件。该方法还可以包括在有源器件上沉积正面介电层。该方法还可以包括将处理基底接合到正面介电层。该方法还可以包括去除牺牲基底。该方法还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上制造反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。

一种集成rf电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成rf电路结构还可以包括用于对布置在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的有源器件的本体进行反向偏置的部件。集成rf电路结构还可以包括设置在有源器件上的正面介电层上的处理基底。

一种rf前端模块可以包括集成rf电路结构。集成rf电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的开关晶体管。集成rf电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。开关晶体管的本体被反向偏置金属化偏置。集成rf电路结构还可以包括在设置在开关晶体管上的正面介电层上的处理基底。集成rf前端模块还可以包括耦合到开关晶体管的输出的天线。

这已经相当广泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便可以更好地理解随后的具体实施方式。下面将描述本公开的附加特征和优点。本领域技术人员应当理解，本公开可以容易地被用作修改或设计用于实现本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，这样的等效构造没有脱离所附权利要求中阐述的本公开的教导。当结合附图考虑时，从以下描述将更好地理解被认为是本公开的特点的新颖特征，涉及本公开的组织和操作方法两者以及其他目的和优点。然而，应当清楚地理解，每个附图被提供仅用于说明和描述的目的，而无意作为本公开的范围的定义。

附图说明

为了更完整地理解本公开，现在参考结合附图给出的以下描述。

图1a是根据本公开的一个方面的采用双工器的射频(rf)前端(rffe)模块的示意图。

图1b是根据本公开的各方面的采用用于芯片组的双工器来提供载波聚合的射频(rf)前端(rffe)模块的示意图。

图2a是根据本公开的一个方面的双工器设计的图。

图2b是根据本公开的一个方面的射频(rf)前端模块的图。

图3a至图3e示出了根据本公开的各方面的在层转移工艺期间的集成射频(rf)电路结构的截面图。

图4是根据本公开的各方面的使用层转移工艺制造的集成射频(rf)电路结构的截面图。

图5a至图5c示出了根据本公开的各方面的集成射频(rf)电路结构，在该结构中，层转移后金属化形成反向偏置有源器件。

图6a和图6b是根据本公开的其他方面的集成射频(rf)电路结构的截面图，在该结构中，层转移后金属化被用于形成反向偏置有源器件。

图7是示出根据本公开的各方面的构造集成射频(rf)电路结构的方法的过程流程图。

图8是示出其中可以有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。

图9是示出根据一种配置的用于半导体组件的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。

具体实施方式

以下结合附图阐述的详细描述意在作为各种配置的描述，而无意表示可以实践本文中描述的概念的仅有配置。具体实施方式部分包括具体细节，以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员很清楚的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出了公知的结构和组件，以避免模糊这些概念。如本文所述，术语“和/或”的使用意在表示“包容性的或”，并且术语“或”的使用意在表示“排他性的或”。

出于成本和功耗考虑，移动射频(rf)芯片设计(例如，移动rf收发器)已经迁移到深亚微米工艺节点。移动rf收发器的设计复杂性由于用于支持通信增强(诸如载波聚合)的增加的电路功能而进一步复杂化。移动rf收发器的进一步设计挑战包括模拟/rf性能考虑因素，包括不匹配、噪声和其他性能考虑。这些移动rf收发器的设计包括无源器件的使用，例如，以便抑制谐振，和/或执行滤波、旁路和耦合。

现代半导体芯片产品的成功制造涉及材料与所采用的工艺之间的相互作用。特别地，在后端线(beol)工艺中形成用于半导体制造的导电材料镀层是工艺流程中越来越具有挑战性的部分。在保持小特征尺寸方面尤其如此。保持小尺寸特征尺寸的同样挑战也适用于玻璃上覆无源(pog)技术，其中高性能组件(诸如电感器和电容器)构建在高度绝缘基底上，该基底也可能具有非常低的损耗以支持移动rf收发器设计。

这些移动rf收发器的设计可以包括使用绝缘体上硅技术。绝缘体上硅(soi)技术用分层的硅绝缘体硅基底取代传统的硅基底，以减少寄生器件电容并且提高性能。基于soi的器件不同于传统的硅制器件，因为硅结位于电隔离器(通常是掩埋氧化物(box)层)上方。然而，厚度减小的box层可能不足以减小由硅层上的有源器件和支撑box层的基底的接近所引起的寄生电容。

特别地，使用soi技术制造的晶体管会遭受浮体效应，其中晶体管的本体形成抵靠绝缘基底的电容器。在这样的布置中，累积在电容器上的电荷引起不利影响，诸如结构中的寄生晶体管和截止状态泄漏。另外，累积电荷还导致晶体管的阈值电压与其先前状态的依赖性。结果，本公开的各方面包括层转移工艺以进一步将有源器件与基底分离。

本公开的各个方面提供用于在集成rf电路结构中反向偏置开关晶体管的技术。用于集成rf电路结构的半导体制造的工艺流程可以包括前端线(feol)工艺、中间线(mol)工艺和后端线(beol)工艺。应当理解，术语“层”包括薄膜，并且除非另有说明，否则不应当被解释为指示竖直或水平厚度。如本文所述，术语“基底”可以是指切割晶片的基底，或者可以是指未切割晶片的基底。类似地，术语芯片和管芯可以可互换地使用，除非这样的互换会加重轻信。

本公开的各方面描述了用于高品质(q)因子rf应用的集成射频(rf)电路结构中的天线开关晶体管的反向偏置。在一种布置中，层转移后金属化被用于形成层转移后金属化层，以偏置有源器件本体并且减少浮体效应。转移后金属化工艺可以在隔离层的第二表面上形成反向偏置金属化，其中隔离层的第一表面支撑有源器件。在这样的布置中，有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。处理基底也布置在正面介电层上，该正面介电层位于远离反向偏置金属化的有源器件上。在这样的布置中，背面金属化至少部分提供rf屏蔽，防止高次谐波，从而支持载波聚合。

图1a是根据本公开的一个方面的采用双工器200的射频(rf)前端(rffe)模块100的示意图。rf前端模块100包括功率放大器102、双工器/滤波器104和射频(rf)开关模块106。功率放大器102将(多个)信号放大到某个功率电平以用于传输。双工器/滤波器104根据各种不同的参数(包括频率、插入损耗、抑制或其他类似参数)对输入/输出信号进行滤波。另外，rf开关模块106可以选择输入信号的某些部分以传递到rf前端模块100的其余部分。

rf前端模块100还包括调谐器电路112(例如，第一调谐器电路112a和第二调谐器电路112b)、双工器200、电容器116、电感器118、接地端子115和天线114。调谐器电路112(例如，第一调谐器电路112a和第二调谐器电路112b)包括诸如调谐器、便携式数据输入端子(pdet)和内务模数转换器(hkadc)等组件。调谐器电路112可以对天线114执行阻抗调谐(例如，电压驻波比(vswr)优化)。rf前端模块100还包括耦合到无线收发器(wtr)120的无源组合器108。无源组合器108组合来自第一调谐器电路112a和第二调谐器电路112b的检测功率。无线收发器120处理来自无源组合器108的信息，并且将该信息提供给调制解调器130(例如，移动台调制解调器(msm))。调制解调器130向应用处理器(ap)140提供数字信号。

如图1a所示，双工器200位于调谐器电路112的调谐器组件与电容器116、电感器118和天线114之间。双工器200可以放置在天线114与调谐器电路112之间，以从rf前端模块100到包括无线收发器120、调制解调器130和应用处理器140的芯片组提供高系统性能。双工器200还在高频带频率和低频带频率上执行频域复用。在双工器200对输入信号执行其频率复用功能之后，双工器200的输出被馈送到包括电容器116和电感器118的可选lc(电感器/电容器)网络。当需要时，lc网络可以为天线114提供额外的阻抗匹配组件。然后，由天线114发射或接收具有特定频率的信号。尽管示出了单个电容器和电感器，但也可以考虑多个组件。

图1b是根据本公开的一个方面的针对芯片组160的、包括第一双工器200-1的无线局域网(wlan)(例如，wifi)模块170和包括第二双工器200-2的rf前端模块150以提供载波聚合的示意图。wifi模块170包括将天线192可通信地耦合到无线局域网模块(例如，wlan模块172)的第一双工器200-1。rf前端模块150包括通过双工器180将天线194可通信地耦合到无线收发器(wtr)120的第二双工器200-2。无线收发器120和wifi模块170的wlan模块172耦合到调制解调器(msm，例如，基带调制解调器)130，调制解调器130由电源152通过电源管理集成电路(pmic)156供电。芯片组160还包括电容器162和164以及(多个)电感器166，以提供信号完整性。pmic156、调制解调器130、无线收发器120和wlan模块172均包括电容器(例如，158、132、122和174)并且根据时钟154进行操作。芯片组160中的各种电感器和电容器组件的几何形状和布置可以减少组件之间的电磁耦合。

图2a是根据本公开的一个方面的双工器200的图。双工器200包括高频带(hb)输入端口212、低频带(lb)输入端口214和天线216。双工器200的高频带路径包括高频带天线开关210-1。双工器200的低频带路径包括低频带天线开关210-2。包括rf前端模块的无线设备可以使用天线开关210和双工器200来实现用于无线设备的rf输入和rf输出的宽范围频带。另外，天线216可以是多输入多输出(mimo)天线。多输入多输出天线将广泛用于无线设备的rf前端，以支持诸如载波聚合等功能。

图2b是根据本公开的一个方面的rf前端模块250的图。rf前端模块250包括天线开关(asw)210和双工器200(或三工器)以实现图2a中所示的宽范围频带。此外，rf前端模块250包括由基底202支撑的滤波器230、rf开关220和功率放大器218。滤波器230可以包括各种lc滤波器，该lc滤波器具有沿着基底202布置的电感器(l)和电容器(c)以用于形成双工器、三工器、低通滤波器、平衡不平衡滤波器和/或陷波滤波器，以防止rf前端模块250中的高次谐波。双工器200可以被实现为系统板201(例如，印刷电路板(pcb)或封装基底)上的表面安装器件(smd)。备选地，双工器200可以在基底202上实现。

在这样的布置中，使用绝缘体上硅(soi)技术来实现rf前端模块250，这有助于减少rf前端模块250中的高次谐波。soi技术用分层的硅-绝缘体-硅基底取代传统的硅基底，以减少寄生器件电容并且提高性能。基于soi的器件不同于传统的硅制器件，因为硅结位于电绝缘体(通常是掩埋氧化物(box)层)之上。然而，厚度减小的box层可能不足以减小由有源器件(在硅层上)与支撑box层的基底之间的接近所引起的寄生电容。由此，本公开的各方面包括层转移工艺，用以进一步将有源器件与基底分离，如图3a至图3e所示。

图3a至图3e示出了根据本公开的各方面的层转移工艺期间的集成射频(rf)电路结构300的截面图。如图3a所示，rf绝缘体上硅(soi)器件包括在由牺牲基底301(例如，体晶片)支撑的掩埋氧化物(box)层320上的有源器件310。rfsoi器件还包括在第一介电层306内耦合到有源器件310的互连350。如图3b所示，处理基底302接合到rfsoi器件的第一介电层306。另外，牺牲基底301被去除。使用层转移工艺去除牺牲基底301将使得通过增加电介质厚度来实现高性能低寄生rf器件。也就是说，rfsoi器件的寄生电容与电介质厚度成比例，这决定了有源器件310与处理基底302之间的距离。

如图3c所示，一旦固定处理基底302并且移除牺牲基底301，就翻转rfsoi器件。如图3d所示，使用例如常规的互补金属氧化物半导体(cmos)工艺来执行层转移后金属化工艺。如图3e所示，通过以下来完成集成rf电路结构300：沉积钝化层，打开接合焊盘，沉积再分布层，以及形成导电凸块/柱以使得集成rf电路结构300能够接合到系统板(例如，印刷电路板(pcb))。

再次参考图3a，rfsoi器件可以包括在牺牲基底301与box层320之间的可选的rf增强层。此外，牺牲基底301可以用处理基底代替，并且box层320的厚度可以被增加以改善谐波。虽然rfsoi器件的这样的布置可以提供相对于纯硅或soi实现的改进的谐波，但rfsoi器件受到来自处理基底的非线性响应的限制，尤其是当使用硅处理基底时。也就是说，在图3a中，box层320的增加的厚度不能相对于图3b至图3e所示的配置而在有源器件310与牺牲基底301之间提供足够的距离。此外，rfsoi器件中的有源器件310的本体可以不被连结。

图4是根据本公开的各方面的使用层转移工艺制造的集成rf电路结构400的截面图。代表性地，集成rf电路结构400包括有源器件410，有源器件410具有形成在隔离层420上的栅极、本体和源极/漏极区域。在绝缘体上硅(soi)实现中，隔离层420是掩埋氧化物(box)层，并且本体和源极/漏极区域由soi层形成，该soi层包括由box层支撑的浅沟槽隔离(sti)区域。

集成rf电路结构400还包括耦合到有源器件410的源极/漏极区域的中间线(meol)/后端线(beol)互连。如本文所述，meol/beol层被称为正面层。相反，支撑隔离层420的层在本文中可以被称为背面层。根据这样的命名规则，正面金属化450耦合到有源器件410的源极/漏极区域并且布置在正面介电层406中。此外，处理基底402通过rf增强层404耦合到正面介电层406。在这样的布置中，背面电介质440与隔离层420相邻并且可能支撑隔离层420。背面金属化430耦合到正面金属化450。

如图4所示，层转移工艺提供了有源器件410与处理基底402之间增加的间隔，以改善集成rf电路结构400的谐波。虽然层转移工艺能够实现高性能、低寄生rf器件，但集成rf电路结构400可能遭受浮体效应。因此，通过使用转移后金属化来提供对有源器件410背面的接入、以连结有源器件410的本体区域，这可以进一步改善集成rf电路结构400的性能。

本公开的各个方面提供用于层转移和转移后金属化，以提供对集成射频(rf)集成结构的有源器件背面的接入的技术。相比之下，常规地，在前端线(feol)工艺期间形成的对有源器件的接入是在中间线(meol)处理期间被提供，该meol处理提供有源器件的栅极和源极/漏极区域与后端线(beol)互连层(例如，m1、m2等)之间的接触。本公开的各方面涉及层转移后金属化工艺，以形成反向偏置有源器件，诸如针对高品质(q)因子rf应用的天线开关晶体管。其他应用包括低功率放大器模块、低噪声放大器和天线分集开关中的有源器件。

图5a是根据本公开的各方面的集成rf电路结构500的横截面图，其中使用层转移后金属化来形成反向偏置有源器件。代表性地，集成rf电路结构500包括有源器件510，该有源器件510具有形成在隔离层520上的栅极、本体和源极/漏极区域。隔离层520可以是用于soi实现的掩埋氧化物(box)层，其中本体和源极/漏极区域由soi层形成，该soi层包括由box层支撑的浅沟槽隔离(sti)区域。

集成rf电路结构500包括耦合到有源器件510的源极/漏极区域的正面金属化550，其中正面金属化550布置在正面介电层506中。此外，处理基底502通过rf增强层504耦合到正面介电层506。rf增强层504是可选的，但可以是由多晶硅或非晶硅、硅锗(sige)、碳掺杂的硅、氮化镓(gan)、氮化镓(gaas)或其他类似的半导体材构成的富陷阱层。背面介电层540与隔离层520相邻并且可能支撑隔离层520。背面金属化532耦合到正面金属化550。在这样的布置中，层转移后金属化工艺还形成反向偏置金属化530以反向偏置有源器件510，如图5b和图5c所示。在图5b中，有源器件510的栅极和本体被独立地偏置，并且在图5c中，有源器件510的栅极和本体连结在一起，如二极管连接的布局中所示。

再次参考图5a，反向偏置金属化530设置在背面介电层540中并且被布置为支撑隔离层520的一部分。反向偏置金属化530和有源器件510的本体的接近有助于防止在有源器件510的本体与处理基底502之间形成寄生电容。在这样的布置中，反向偏置金属化530至少部分向有源器件510提供射频(rf)屏蔽以改善谐波。除反向偏置有源器件510之外，反向偏置金属化530还可以用作有源器件510的吸热部件。

根据本公开的各方面，处理基底502可以由诸如硅之类的半导体材料构成。在本公开的该方面中，处理基底502可以是处理过的晶片，包括至少一个其他有源器件。备选地，处理基底502可以是无源基底，用于通过减小寄生电容来进一步改善谐波。在这样的布置中，处理基底502可以包括至少一个其他无源器件。如本文所述，术语“无源基底”可以是指切割晶片或面板的基底，或者可以是指未切割晶片/面板的基底。在一种布置中，无源基底由玻璃、空气、石英、蓝宝石、高电阻率硅或其他类似的无源材料构成。无源基底也可以是无芯基底。

图6a和图6b是根据本公开的其他方面的集成rf电路结构的截面图，其中使用层转移后金属化来形成反向偏置有源器件。如图6a所示，集成rf电路结构600以类似于图5a所示的集成rf电路结构500的配置的一种配置来进行布置。然而，在图6a所示的配置中，集成rf电路结构600的背面包括第一背面介电层540和支撑第一背面介电层540的第二背面介电层542。在这样的布置中，第二背面介电层542被图案化并且被蚀刻以向反向偏置金属化530提供切除部分534和536。在反向偏置金属化530内形成切除部分534和536可以进一步减小寄生电容。具体地，通过增加有源器件510的源极/漏极区域与反向偏置金属化530之间的距离来减小寄生电容，这在多指器件的情况下可能是有用的。

如图6b所示，集成rf电路结构650以类似于图6a所示的集成rf电路结构600的配置的一种配置进行布置。在图6b所示的配置中，集成rf电路结构650的背面还包括第一背面介电层540和支撑第一背面介电层540的第二背面介电层542。然而，在这样的布置中，掩模步骤被执行以蚀刻到隔离层520中。隔离层520的蚀刻减小了反向偏置金属化530与有源器件510的本体区域之间的隔离层520的厚度，这增加了有源器件510的本体区域与反向偏置金属化530之间的有益电容。在这样的布置中，第二背面介电层542被图案化并且蚀刻以向反向偏置金属化530提供切除部分534和536。该工艺通过增加有源器件510的源极/漏极区域与反向偏置金属化530的切除部分534和536之间的距离来减小寄生电容。

图7是示出根据本发明的一个方面的构造集成射频(rf)电路结构的方法700的过程流程图。在框702中，在隔离材料的第一表面上制造有源器件，其中隔离材料设置在牺牲基底上。例如，如图3a所示，在掩埋氧化物(box)层上制造有源器件510。在图5a、图6a和图6b所示的布置中，有源器件510(例如，rf开关晶体管)布置在隔离层520的第一表面上。在框704中，在有源器件上沉积正面介电层。例如，如图5a所示，正面介电层506沉积在有源器件510上。

再次参考图7，在框706中，将处理基底接合到正面介电层。例如，如图5a所示，处理基底502接合到正面介电层506，包括可选的rf增强层504。在图7的框708中，去除牺牲基底。如图3b所示，层转移工艺包括去除牺牲基底301。在框710中，在隔离层的与第一表面相对的第二表面上制造背面金属化，其中有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。如图5a所示，有源器件510被制造在隔离层520的第一表面上，并且反向偏置金属化530被制造在隔离层520的、远离处理基底502的相对表面上。

根据本公开的另一个方面，描述了一种包括反向偏置有源器件的集成rf电路结构。集成rf电路结构包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成rf电路结构还包括用于对布置在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的有源器件的本体进行反向偏置的部件。集成rf电路结构还包括在设置在有源器件上的正面介电层上的处理基底。反向偏置部件可以是反向偏置金属化，如图5a、图6a和图6b所示。在另一个方面，前述部件可以是被配置为执行由前述部件所记载的功能的任何模块或任何装置。

使用绝缘体上硅(soi)技术制造的常规晶体管遭受浮体效应，其中晶体管的本体形成抵靠绝缘soi基底的电容器。特别地，在晶体管的源极/漏极与栅极之间的寄生耦合可以响应于射频(rf)信号而改变栅极电位。在这样的布置中，由于寄生电容耦合而累积的电荷引起不利影响，诸如结构中的寄生晶体管和截止状态泄漏。另外，累积电荷还导致晶体管的阈值电压与其先前状态的依赖性。由此，本公开的各方面包括层转移工艺，以进一步将有源器件与基底分离。

本公开的各个方面提供了用于在集成rf电路结构中反向偏置开关晶体管的技术。用于集成rf电路结构的半导体制造的工艺流程可以包括前端线(feol)工艺、中间线(mol)工艺(也称为中间端)和后端线(beol)工艺。应当理解，术语“层”包括薄膜，并且除非另有说明，否则不应当被解释为指示竖直或水平厚度。如本文所述，术语“基底”可以是指切割晶片的基底，或者可以是指未切割晶片的基底。类似地，术语芯片和管芯可以可互换地使用，除非这样的交换会加重轻信。

本公开的各方面描述了用于高品质(q)因子rf应用的集成rf电路结构中的天线开关晶体管的反向偏置。在一种布置中，层转移后金属化被用于形成层转移后金属化层，以偏置有源器件本体并且减少浮体效应。转移后金属化工艺可以在隔离层的第二表面上形成反向偏置金属化，其中隔离层的第一表面支撑有源器件。在这样的布置中，有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。处理基底也布置在正面介电层上，该正面介电层位于远离反向偏置金属化的有源器件上。在这样的布置中，背面金属化至少部分提供rf(射频)屏蔽以防止高次谐波，从而支持载波聚合。

图8是示出其中可以有利地采用本公开的一个方面的示例性无线通信系统800的框图。出于说明的目的，图8示出了三个远程单元820、830和850以及两个基站840。将认识到，无线通信系统可以具有更多的远程单元和基站。远程单元820、830和850包括ic器件825a、825c和825b，这些ic器件包括所公开的rf器件。将认识到，其他设备还可以包括所公开的rf器件，诸如基站、交换设备和网络设备。

图8示出了从基站840到远程单元820、830和850的前向链路信号880以及从远程单元820、830和850到基站840的反向链路信号890。

在图8中，远程单元820被示出为移动电话，远程单元830被示出为便携式计算机，并且远程单元850被示出为无线本地回路系统中的固定位置远程单元。例如，远程单元可以是移动电话、手持个人通信系统(pcs)单元、诸如个人数字助理(pda)等便携式数据单元、支持gps的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、诸如抄表设备等固定位置数据单元、或者存储或取回数据或计算机指令的其他通信设备、或者前述的组合。尽管图8示出了根据本公开的各方面的远程单元，但本公开不限于这些示例性示出的单元。本公开的各方面可以适用于很多器件，包括所公开的rf器件。

图9是示出用于半导体组件(诸如上文中公开的rf器件)的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。设计工作站900包括硬盘901，硬盘901包含操作系统软件、支持文件和诸如cadence或orcad等设计软件。设计工作站900还包括显示器902以便于设计电路910或诸如rf器件等半导体组件912。提供存储介质904以用于有形地存储电路设计910或半导体组件912。电路设计910或半导体组件912可以以诸如gdsii或gerber等文件格式存储在存储介质904上。存储介质904可以是cd-rom、dvd、硬盘、闪存或其他适当的器件。此外，设计工作站900包括用于接受来自存储介质904的输入或向存储介质904写入输出的驱动装置903。

记录在存储介质904上的数据可以指定逻辑电路配置、用于光刻掩模的图案数据、或用于诸如电子束光刻等串行写入工具的掩模图案数据。数据还可以包括逻辑验证数据，诸如与逻辑模拟相关联的时序图或网络电路。在存储介质904上提供数据通过减少用于设计半导体晶片的工艺数目促进了电路设计910或半导体组件912的设计。

对于固件和/或软件实现，可以使用执行本文中描述的功能的模块(例如，过程、函数等)来实现方法。有形地实施指令的机器可读介质可以用于实现本文中描述的方法。例如，软件代码可以存储在存储器中并且由处理器单元执行。存储器可以在处理器单元内实现或者在处理器单元外部实现。如本文中使用的，术语“存储器”指的是长期、短期、易失性、非易失性或其他存储器类型，并且不限于特定类型的存储器或数目的存储器或者存储器存储在其上的介质类型。

如果以固件和/或软件实现，可以将功能作为一个或多个指令或代码存储在计算机可读介质上。示例包括用数据结构编码的计算机可读介质和用计算机程序编码的计算机可读介质。计算机可读介质包括物理计算机存储介质。存储介质可以是可以由计算机接入的可用介质。作为示例而非限制，这样的计算机可读介质可以包括ram、rom、eeprom、cd-rom或其他光盘存储器、磁盘存储器或其他磁存储设备、或者可以用于以指令或数据结构的形式存储期望的程序代码并且可以由计算机接入的其他介质；如本文中使用的，磁盘和光盘包括压缩盘(cd)、激光盘、光盘、数字通用盘(dvd)、软盘和蓝光盘，其中磁盘通常磁性地再现数据，而光盘用激光来光学地再现数据。上述的组合也应当被包括在计算机可读介质的范围内。

除了在计算机可读介质上的存储之外，还可以将指令和/或数据作为信号在通信装置中包括的传输介质上提供。例如，通信装置可以包括具有指示指令和数据的信号的收发器。指令和数据被配置为引起一个或多个处理器实现权利要求中概述的功能。

尽管已经详细描述了本公开及其优点，但应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的技术的情况下，可以对本文进行各种改变、替换和更改。例如，关于基底或电子器件使用诸如“之上”和“之下”等关系术语。当然，如果基底或电子器件被倒置，则上面变为下面，反之亦然。另外，如果侧向定向，则上面和下面可以是指基底或电子器件的侧面。此外，本申请的范围不意在限于说明书中描述的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤的特定配置。本领域普通技术人员根据本公开内容将容易理解，可以根据本公开内容来利用与本文中描述的相应配置执行基本上相同的功能或实现基本上相同的结果的当前现有或稍后开发的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求意在在其范围内包括这样的过程、机器、制造、物质组成、部件、方法或步骤。