技术总结
一种离子植入机及其使用方法，其中离子植入机包括：离子源；装载装置，经过所述装载装置中心与离子源中心的直线为中心轴；位于离子源和装载装置之间的处理腔室，所述处理腔室的两侧分别具有与离子源对应第一开口、以及与装载装置对应的第二开口，且所述第一开口的中心和第二开口的中心在所述中心轴上；位于处理腔室内的磁场装置，所述磁场装置包括永磁体以及线圈，所述磁场装置用于产生垂直于所述中心轴的矫正磁场。所述方法能够提高反应腔室射出的离子束的平行度。
技术研发人员：邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2018.01.18
技术公布日：2018.06.29