本发明涉及一种液晶显示技术领域，尤其涉及一种显示基板显示基板及其制造方法。
背景技术：
目前，平板显示器已经占据了显示器市场的主导地位，并且朝着大尺寸，高分辨率的方向发展，以显示基板为驱动单元的液晶显示器件，以其体积小，重量轻，品质高等一系列有点获得了迅速发展，并且成为了主流信息显示终端。
如图1所示，为现有技术中tn(扭曲向列型)显示基板结构示意图，其中包括基板1，依次形成在基板上的栅极2、栅极绝缘层3、半导体层4、刻蚀阻挡层5、源极层6、漏极层14、第一绝缘膜层7、有机绝缘膜层8、像素电极9，源极层6和漏极层14同时形成，经过刻蚀而成，为了节约掩膜板，简化工艺流程，节约成本，有机绝缘膜层8和第一绝缘膜层7上形成的像素电极接触孔同时刻蚀，但是该方法会导致漏极层14上层金属铜在退火工艺中因为裸露而被氧化，导致像素电极9与源极和漏极层14接触不良，使得数据电压无法充入像素电极9，导致出现群辉点等类型的不良。
技术实现要素：
本发明提供了一种像素电极直接与半导体层电性连接的显示基板及其制造方法，以解决在退火工艺金属层铜的裸露而被氧化，出现接触不良和群辉点等问题。
一种显示基板，包括纵横交错的扫描线和数据线、像素电极、与数据线连接的源极层以及半导体层，半导体层均与所述源极层和像素电极电性连接。
优选的，显示基板还包括第一绝缘膜层，第一绝缘膜层设置在半导体层和像素电极之间，第一绝缘膜层上设置有第二像素电极接触孔，像素电极通过第二像素电极接触孔与半导体层电性连接。
优选的，半导体层为金属氧化物，显示基板还包括：刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层设置在半导体层和源极层之间，刻蚀阻挡层上设有源极接触孔和第一像素电极接触孔，源极层通过刻蚀阻挡层的源极接触孔与半导体层电性连接，所述像素电极通过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔与半导体层电性连接。
优选的，显示基板还包括：有机绝缘膜层，有机绝缘膜层设置在第一绝缘膜层之上，有机绝缘膜层包括第三像素电极接触孔，像素电极设置在有机绝缘膜层上，像素电极通过第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔与半导体层电性连接。
优选的，显示基板还包括：第二绝缘膜层、公共电极，第二绝缘膜层设置在像素电极上，触控金属层位于第二绝缘膜层上。
优选的，显示基板还包括：第二绝缘膜层、公共电极、触控金属层和第三绝缘膜层，第二绝缘膜层设置在像素电极上，触控金属层位于第二绝缘膜层上，第三绝缘膜层位于触控金属层之上，公共电极位于第三绝缘膜层之上，第三绝缘膜层包括公共电极接触孔，公共电极通过公共电极接触孔与触控金属层电性连接。
优选的，金属氧化物为铟镓锌氧化物(igzo)。
优选的，像素电极、公共电极为透明金属氧化物。
优选的，栅极、源极层、触控金属层采用单一铜制成，或铜与其他金属组成的双层金属构成，如上层金属为铜，下层金属为钛。
优选的，第一绝缘膜层、第二绝缘膜层和第三绝缘膜层为无机绝缘层。
本发明还公开了一种显示基板的制造方法，包括以下步骤：
s1：由第一金属在基板上形成扫描线和栅极；
s2：形成覆盖在第一金属上的栅极绝缘层；
s3：在栅极绝缘层上形成半导体层；
s4：由第二金属形成与扫描线纵横交错的数据线以及与数据线连接的源极层，源极层与半导体层接触；
s5：形成第一绝缘膜层，在第一绝缘膜层上形成位于半导体层上的第二像素电极接触孔；
s6：沉积半导体透明材料位于第一绝缘膜层上形成像素电极，且半导体透明材料通过第二像素电极接触孔与半导体层接触。
优选的，s3-s6具体步骤为：
s31：在栅极绝缘层上形成半导体层；
s32：在半导体层上形成刻蚀阻挡层，在刻蚀阻挡层上形成源极接触孔；
s4：由第二金属形成与扫描线纵横交错的数据线，以及与数据线连接的源极层，源极层通过源极接触孔与半导体层接触；
s5：形成第一绝缘膜层，在第一绝缘膜层上形成位于半导体层上的第二像素电极接触孔，在刻蚀阻挡层上形成位于半导体层上的第一像素电极接触孔，第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔为一通孔；
s6：沉积半导体透明材料位于第一绝缘膜层上形成像素电极，且半导体透明材料通过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔与半导体层接触。
优选的，步骤s4中形成源极层后需要进行刻蚀出图形，采用的刻蚀方法是湿刻，所述湿刻刻蚀液为无氟铜酸。
优选的步骤s3-s6具体步骤为：
s31：在栅极绝缘层上形成半导体层；
s32：在半导体层上形成刻蚀阻挡层，在刻蚀阻挡层上形成源极接触孔和第一像素电极接触孔；
s4：由第二金属形成与扫描线纵横交错的数据线，以及与数据线连接的源极层，源极层通过源极接触孔与半导体层接触；
s5：形成第一绝缘膜层，在第一绝缘膜层上形成位于半导体层上的第二像素电极接触孔，第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔为一通孔；
s6：沉积半导体透明材料位于第一绝缘膜层上形成像素电极，且半导体透明材料通过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔与半导体层接触。
优选的，步骤s4中形成源极层后需要进行刻蚀出图形，采用的刻蚀方法是湿刻，所述湿刻刻蚀液为含氟铜酸。
优选的，s5-s6具体步骤为：
s51：形成第一绝缘膜层，在第一绝缘膜层上形成位于半导体层上的第二像素电极接触孔；
s52：形成有机绝缘膜层，在有机绝缘膜层上形成位于半导体层上的第三像素电极接触孔，第三像素电极接触孔与第二像素电极接触孔为一通孔；
s6：沉积半导体透明材料位于有机绝缘膜层上形成像素电极，且半导体透明材料通过第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔与半导体层接触。
优选的，步骤s6进一步包括：
s7：形成第二绝缘膜层；
s8：由第三金属在第二绝缘膜层上形成的触控金属层；
s9：形成第三绝缘膜层，在第三绝缘膜层上形成位于触控金属层上的公共电极接触孔；
s10：在第三绝缘膜层上形成公共电极，公共电极通过公共电极接触孔与触控金属层接触。
与现有技术相比，本发明至少能够带来以下一项技术效果：
取消了现有技术中源漏极的设计，在源漏极层仅仅形成源极，不形成漏极，让像素电极直接与半导体层连接，制造过程中，像素电极形成在有机绝缘膜层之后，在进行退火工艺时，像素电极接触孔中仅有半导体层，没有金属，因此不会出现像素电极接触孔中的漏极金属铜被空气中的氧气氧化现象，导致数据电压无法充入像素电极，群辉点似不良。
在进行源极层的图案化工艺时，所用的掩膜板更加的简单，方便加工，降低了生产成本，提升了经济效益。
附图说明
图1为现有技术显示基板结构示意图；
图2为本发明tn(扭曲向列型)模式显示基板结构示意图；
图3为本发明窄边框的tn(扭曲向列型)模式显示基板结构示意图；
图4为本发明ffs(面内开关型)模式显示基板结构示意图；
图5为本发明实in-cell(将触摸面板功能嵌入到液晶像素中)触控模式显示基板结构示意图；
图6为图5结构a-a剖面视图；
图7-13为本发明tn(扭曲向列型)模式显示基板第一制造方法示意图；
图14-16为本发明tn(扭曲向列型)模式显示基板第二制造方法示意图；
图17-18为本发明窄边框的tn(扭曲向列型)模式显示基板制造方法示意图；图19为本发明ffs(面内开关型)模式显示基板制造方法示意图；
图20-23为本发明实in-cell(将触摸面板功能嵌入到液晶像素中)触控模式显示基板制造方法示意图。
附图标记列表：1-基板，2-栅极，3-栅极绝缘层，4-半导体层，5-刻蚀阻挡层，6-源极层，7-第一绝缘膜层，8-有机绝缘膜层，9-像素电极，10-第二绝缘膜层，11-触控金属层，12-第三绝缘膜层，13-公共电极，14-漏极层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
本发明提供了一种显示基板，包括纵横交错的扫描线和数据线、像素电极、与数据线连接的源极层以及半导体层，半导体层均与所述源极层和像素电极电性连接。
优选的，显示基板还包括第一绝缘膜层，第一绝缘膜层设置在半导体层和像素电极之间，第一绝缘膜层上设置有第二像素电极接触孔，像素电极通过第二像素电极接触孔与半导体层电性连接。
优选的，半导体层为金属氧化物，显示基板还包括：刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层设置在半导体层和源极层之间，刻蚀阻挡层上设有源极接触孔和第一像素电极接触孔，源极层通过刻蚀阻挡层的源极接触孔与半导体层电性连接，所述像素电极通过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔与半导体层电性连接。
优选的，显示基板还包括：有机绝缘膜层，有机绝缘膜层设置在第一绝缘膜层之上，有机绝缘膜层包括第三像素电极接触孔，像素电极设置在有机绝缘膜层上，像素电极通过第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔与半导体层电性连接。
优选的，显示基板还包括：第二绝缘膜层、公共电极，第二绝缘膜层设置在像素电极上，触控金属层位于第二绝缘膜层上。
优选的，显示基板还包括：第二绝缘膜层、公共电极、触控金属层和第三绝缘膜层，第二绝缘膜层设置在像素电极上，触控金属层位于第二绝缘膜层上，第三绝缘膜层位于触控金属层之上，公共电极位于第三绝缘膜层之上，第三绝缘膜层包括公共电极接触孔，公共电极通过公共电极接触孔与触控金属层电性连接。
具体的，第一绝缘膜层、第二绝缘膜层、第三绝缘膜层为无机绝缘层。
具体的，半导体层为金属氧化物。
具体的，金属氧化物为铟镓锌氧化物(igzo)。
具体的，像素电极、公共电极为透明金属氧化物。
具体的，栅极、源极层、触控金属层采用单一铜制成，或铜与其他金属组成的双层金属构成，如上层金属为铜，下层金属为钛。
实施例一：
图2所示为本发明的第一实施例结构示意图，如图2所示，一种显示基板，包括基板1、位于基板1上的纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交错限定的像素区域、位于像素区域内的像素电极9、与数据线连接的源极层6、半导体层4、位于半导体层4上的刻蚀阻挡层5、以及第一绝缘膜层7，刻蚀阻挡层5上设有源极接触孔和第一像素电极接触孔，源极层6通过源极接触孔与半导体层4电性连接。第一绝缘膜层7上设有第二像素电极接触孔，第二像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔，像素电极9通过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔与半导体层4电性连接。
扫描线、数据线和源极层6均由单一铜制成、或铜与其他金属组成的双层金属构成，如上层金属为铜，下层金属为钛。
其中，第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔可以同时形成、也可以不同时形成。当同时形成时，第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔为一个连通的孔，通过刻蚀工艺同时贯穿刻蚀阻挡层5和第一绝缘膜层7；当不同时形成时，第一像素电极接触孔与源极接触孔同时形成，第二像素电极接触孔在形成第一绝缘膜层7时或形成第一绝缘膜层7之后形成。
其中，第一绝缘膜层7为无机绝缘层。
本实施例在源漏极层6中仅仅形成源极，不形成漏极，让像素电极9直接与半导体层4连接，制造过程中，像素电极9形成在第一绝缘膜层7之后，在进行退火工艺时，像素电极接触孔中仅有半导体层4，没有漏极金属层，因此不会出现像素电极接触孔中的漏极金属铜被空气中的氧气氧化现象，导致数据电压无法充入像素电极9，群辉点等不良。
在进行源极层6的图案化工艺时，所用的掩膜板更加的简单，方便加工，降低了生产成本，提升了经济效益。
本第一实施例为tn(扭曲向列型)模式显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极9，彩膜基板上具有公共电极，像素电极9和公共电极之间具有驱动液晶的电场。
当半导体层4为金属氧化物(如igzo时)，根据设计的需要，可以采用刻蚀阻挡层5、或者不采用刻蚀阻挡层5；当半导体层4为多晶硅或非晶时，可以不需要刻蚀阻挡层5。
实施例二：
图3所示为本发明的第二实施例结构示意图，如图3所示，一种显示基板，包括基板1、位于基板1上的纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交错限定的像素区域、位于像素区域内的像素电极9、与数据线连接的源极层6、半导体层4、位于半导体层4上的刻蚀阻挡层5、以及第一绝缘膜层7、有机绝缘膜层8，刻蚀阻挡层5上设有源极接触孔和第一像素电极接触孔，源极层6通过源极接触孔与半导体层4电性连接，第一绝缘膜层7上设有第二像素电极接触孔，有机绝缘膜层8上设有第三像素电极接触孔，第二像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔，第三像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔，像素电极9通过第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔与半导体4层电性连接。
其中，第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔可以同时形成、也可以不同时形成。当同时形成时，第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔为一个连通的孔，通过刻蚀工艺同时贯穿刻蚀阻挡层5、第一绝缘膜层7和有机绝缘膜层；当不同时形成时，第一像素电极接触孔与源极接触孔同时形成，第二像素电极接触孔在形成第一绝缘膜层时或形成第一绝缘膜层之后形成，第三像素电极接触孔在形成有机绝缘膜层时或者形成有机绝缘膜层之后形成。
其中，第一绝缘膜层7为无机绝缘层。
扫描线、数据线和源极层6均由单一铜制成、或铜与其他金属组成的双层金属构成，如上层金属为铜，下层金属为钛。
在实施例一的基础上，本实施例通过增加有机绝缘膜层8，可以是使得像素电极9更加的平坦，同时可以有效的降低像素电极9与配线之间的寄生电容问题。
本第二实施例为窄边框的tn(扭曲向列型)模式显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极9，彩膜基板上具有公共电极，像素电极9和公共电极之间具有驱动液晶的电场，实现窄边框显示。
当半导体层4为金属氧化物(如igzo时)，根据设计的需要，可以采用刻蚀阻挡层5、或者不采用刻蚀阻挡层5；当半导体层4为多晶硅或非晶时，可以不需要刻蚀阻挡层5。
实施例三：
图4所示为本发明的第三实施例结构示意图，如图4所示，一种显示基板，包括基板1、位于基板1上的纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交错限定的像素区域、位于像素区域内的像素电极9、与数据线连接的源极层6、半导体层4、位于半导体层4上的刻蚀阻挡层5、以及第一绝缘膜层7、有机绝缘膜层8、第二绝缘膜层10、公共电极13，刻蚀阻挡层5上设有源极接触孔和第一像素电极接触孔，源极层6通过刻蚀阻挡层5的源极接触孔与半导体层4电性连接，第一绝缘膜层7上设有第二像素电极接触孔，有机绝缘膜层8上设有第三像素电极接触孔，第二像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔，第三像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔，像素电极9通过通过第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔与半导体层4电性连接。
其中，第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔可以同时形成、也可以不同时形成。当同时形成时，第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔为一个连通的孔，通过刻蚀工艺同时贯穿刻蚀阻挡层5、第一绝缘膜层7和有机绝缘膜层；当不同时形成时，第一像素电极接触孔与源极接触孔同时形成，第二像素电极接触孔在形成第一绝缘膜层时或形成第一绝缘膜层之后形成，第三像素电极接触孔在形成有机绝缘膜层时或者形成有机绝缘膜层之后形成。
其中，第一绝缘膜层7和第二绝缘膜层10为无机绝缘层。
扫描线、数据线和源极层6均由单一铜制成、或铜与其他金属组成的双层金属构成，如上层金属为铜，下层金属为钛。
在实施例二的基础上，本实施例将公共电极13做到像素电极9上方，并且通过第二绝缘膜层10进行隔绝，可以改善显示视角。
本第三实施例为ffs(面内开关型)模式显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极9和公共电极13，形成边缘电场，驱动上方的液晶。
当半导体层4为金属氧化物(如igzo时)，根据设计的需要，可以采用刻蚀阻挡层5、或者不采用刻蚀阻挡层5；当半导体层4为多晶硅或非晶时，可以不需要刻蚀阻挡层5。
实施例四：
图5和图6所示为本发明的第四实施例结构示意图，如图5所示，一种显示基板，包括：基板1，依次形成在所述基板上的栅极2、栅极绝缘层3、半导体层4、刻蚀阻挡层5、源极层6、第一绝缘膜层7、有机绝缘膜层8、像素电极9、第二绝缘膜层10、触控金属层11、第三绝缘膜层12、公共电极13，刻蚀阻挡层5上设有源极接触孔和第一像素电极接触孔，源极层6通过刻蚀阻挡层5的源极接触孔与半导体层4电性连接，第一绝缘膜层7上设有第二像素电极接触孔、有机绝缘膜层8上设有第三像素电极接触孔，第二像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔，第三像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔，像素电极9通过第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔与半导体层4电性连接，第三绝缘膜层12上设有公共电极接触孔，公共电极13通过公共电极接触孔与触控金属层11电性连接。
其中，第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔可以同时形成、也可以不同时形成。当同时形成时，第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔为一个连通的孔，通过刻蚀工艺同时贯穿刻蚀阻挡层5、第一绝缘膜层7和有机绝缘膜层；当不同时形成时，第一像素电极接触孔与源极接触孔同时形成，第二像素电极接触孔在形成第一绝缘膜层时或形成第一绝缘膜层之后形成，第三像素电极接触孔在形成有机绝缘膜层时或者形成有机绝缘膜层之后形成。
其中，第一绝缘膜层7、第二绝缘膜层10和第三绝缘膜层12为无机绝缘层。
扫描线、数据线和源极层6均由单一铜制成、或铜与其他金属组成的双层金属构成，如上层金属为铜，下层金属为钛。
本第四实施例为in-cell(将触摸面板功能嵌入到液晶像素中)触控的显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极和公共电极，形成边缘电场，驱动上方的液晶，同时将触控金属层11集成到显示基板之中，完成触控功能。
当半导体层4为金属氧化物(如igzo时)，根据设计的需要，可以采用刻蚀阻挡层5、或者不采用刻蚀阻挡层5；当半导体层4为多晶硅或非晶时，可以不需要刻蚀阻挡层5。
在实施例三的基础上，本实施例增加了触控金属层11，将公共电极13与触控金属层11进行电性连接，从而可以实现显示面板的触控功能。
如图7-13所示为本发明的实施例一显示基板的第一制造方法示意图，该方法包括以下步骤：
如图7所示为步骤s1：由第一金属在基板1上形成扫描线和栅极2；
如图8所示为步骤s2：形成覆盖在第一金属上的栅极绝缘层3；
如图9所示为步骤s3：在栅极绝缘层3上形成半导体层4；
如图10所示为步骤s32：在半导体层4上形成刻蚀阻挡层5，在刻蚀阻挡层5上形成源极接触孔和第一像素电极接触孔；
如图11所示为步骤s4：由第二金属形成与扫描线纵横交错的数据线以及与数据线连接的源极层6，源极层6通过源极接触孔与半导体层4接触；
如图12所示为步骤s5：形成第一绝缘膜层7，在第一绝缘膜层7上形成位于半导体层4上的第二像素电极接触孔，第二像素电极接触孔穿过第一像素电极接触孔；
如图13所示为步骤s6：沉积半导体透明材料位于第一绝缘膜层7上形成像素电极9，且半导体透明材料通过第二像素电极接触孔和第一像素电极接触孔与半导体层接触。
优选的，步骤s4中形成源极层后需要进行刻蚀出图形，采用的刻蚀方法是湿刻，所述湿刻刻蚀液为含氟铜酸。采用无氟铜酸，可以在对源极层6进行刻蚀的时候，不会因为刻蚀液通过像素电极接触孔而导致半导体层4与刻蚀液接触而产生化学反应，导致半导体层4的性能下降。
本实施例制造的是tn(扭曲向列型)模式显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极9，彩膜基板上具有公共电极，像素电极9和公共电极之间具有驱动液晶的电场。
如图14-16所示为本发明的实施例一显示基板的第二制造方法示意图，该方法相比于上述制造方法，步骤s32-s5依次为：
如图14所示为步骤s32：在半导体层4上形成刻蚀阻挡层5，在刻蚀阻挡层5上形成源极接触孔；
如图15所示为步骤s4：由第二金属形成与扫描线纵横交错的数据线以及与数据线连接的源极层6，源极层6通过源极接触孔与半导体层4接触；
如图16所示为步骤s5：形成第一绝缘膜层7，在第一绝缘膜层7上形成位于半导体层4上的第二像素电极接触孔，在刻蚀阻挡层5上形成位于半导体层4上的第一像素电极接触孔，第一像素电极接触孔和第二像素电极接触孔为一通孔；
优选的，步骤s4中形成源极层后需要进行刻蚀出图形，采用的刻蚀方法是湿刻，所述湿刻刻蚀液为含氟铜酸。通过改变刻蚀阻挡层5的第一像素电极接触孔的刻蚀顺序，让刻蚀阻挡层5的第一像素电极接触孔在源极层6刻蚀之后，可以防止源极层6的刻蚀溶液与半导体层4接触，而与半导体层4发生化学反应，导致的半导体层的性能下降，因此可以采用含氟铜酸，相比上述方案中采用无氟铜酸，成本更低，经济效益更好。
本实施例制造的是tn(扭曲向列型)模式显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极9，彩膜基板上具有公共电极，像素电极9和公共电极之间具有驱动液晶的电场。
如图17-18所示为本发明的实施例二显示基板的第一制造方法示意图，该方法相比于上述制造方法，步骤s5-s6依次为：
如图17所示为步骤s51：形成第一绝缘膜层7，在第一绝缘膜层7上形成位于半导体层4上的第二像素电极接触孔；
s52：形成有机绝缘膜层8，在有机绝缘膜层8上形成位于半导体层4上的第三像素电极接触孔，第三像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第一像素电极接触孔为一通孔；
如图18所示为步骤s7：沉积半导体透明材料位于有机绝缘膜层8上形成像素电极9，且半导体透明材料通过第一像素电极接触孔、第二像素电极接触孔和第三像素电极接触孔与半导体层接触。
通过该方案制作出来的显示基板的像素电极9更加的平坦，同时可以有效的降低像素电极9与配线之间的寄生电容问题。
本实施例制造的是窄边框的tn(扭曲向列型)模式显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极9，彩膜基板上具有公共电极，像素电极9和公共电极之间具有驱动液晶的电场，实现窄边框显示。
如图19所示为本发明的实施例三显示基板的造方法示意图，该方法相比于上述制造方法，步骤s6后进一步包括以下步骤：
如图19所示为步骤s7：在像素电极9上形成第二绝缘膜层10和公共电极13。
本实施例制造的是ffs(面内开关型)模式显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极和公共电极，形成边缘电场，驱动上方的液晶。通过该技术方案制作出的显示基板，具有更好的视角。
如图20-23所示为本发明的实施例四显示基板的造方法示意图，该方法相比于上述制造方法，步骤s6，进一步包括：
如图20所示为步骤s7：在像素电极9上形成第二绝缘膜层10；
如图21所示为步骤s8：由第三金属在第二绝缘膜层10上形成的触控金属层11；
如图22所示为步骤s9：形成第三绝缘膜层12，在第三绝缘膜层12上形成位于触控金属层11上的公共电极接触孔；
如图23所示为步骤s10：在第三绝缘膜层12上形成公共电极13，公共电极13通过公共电极接触孔与触控金属层11接触。
本实施例制造的是in-cell(将触摸面板功能嵌入到液晶像素中)触控的显示基板，本发明显示基板为阵列基板，显示面板包括作为阵列基板的显示基板、彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶，显示基板上具有像素电极和公共电极，形成边缘电场，驱动上方的液晶，同时将触控金属层11集成到显示基板之中，完成触控功能。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。