本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管显示器及其制备方法。
背景技术：
随着有机材料和量子点材料的快速发展，有机电致发光器件(organiclightemittingdiode，oled)和量子点电致发光器件(quantumdotlightemittingdiode，qled)也呈现出高速发展的趋势。
一方面，有源矩阵有机电致发光器件(activematrixorganiclightemittingdiode，amoled)已被公认为是有望取代液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)的新一代显示器，其通常会采用真空蒸镀或者印刷技术进行制备。目前，小分子真空蒸镀技术已经相对成熟且已实现产业化，但该技术的设备投资以及维护费用较高，材料浪费严重。随着高分辨率显示器件的发展，高分辨率oled显示器件需要采用掩模蒸发的方法进行制备，则其必然存在对位精度的问题，但oled蒸镀的掩膜板会减小掩模工艺的线宽，从而限制了分辨率的进一步提升。
另一方面，有源矩阵量子点电致发光器件(activematrixquantumdotlightemittingdiode，amqled)以其在宽色域、高寿命等方面的潜在优势得到了广泛的关注，其研究日益深入、量子效率也不断提升，采用新的工艺技术来实现其产业化已是未来的趋势。基于量子点材料的自身特性，其一般采用印刷或者打印的方法进行制备，这样可以有效的解决材料利用率的问题并能实现大面积的制备。然而，采用喷墨打印工艺需要预先制备像素界定层，各个功能层的墨水都会存在在像素界定层上的攀爬问题，从而极大的影响了薄膜形貌及其厚度均匀性。而在制备高分辨率的背板时，由于像素界定层所定义的区域尺寸过小，其对于设备精度及其稳定性都有极高的要求，因此会使分辨率的提升受到限制。
基于上述分辨率受限的问题，现有技术可采用先制备底部公用层薄膜，再在底部公用层薄膜上涂布光阻材料并通过曝光和显影分别制备红、绿、蓝三种子像素发光层，之后紧接着制备顶部公用层薄膜的方式来形成高分辨率的像素结构。但是这种像素结构由于相邻子像素之间的距离相对较近，因此存在严重的信号串扰问题，从而影响显示器件的显示效果。而若采用预先制备像素界定层的方法来消除信号串扰，又会因像素界定层的高度较大而导致薄膜不均匀的问题。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现要素：
本公开的目的在于提供一种发光二极管显示器及其制备方法，以用于解决高分辨率发光二极管显示器的信号串扰以及膜厚均匀性的问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面，提供一种发光二极管显示器，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上方的第一电极；
设置在所述第一电极背离所述衬底基板一侧的第一传输层，所述第一传输层包覆所述第一电极；
设置在所述第一传输层背离所述衬底基板一侧的发光层，所述发光层包覆所述第一传输层；
设置在所述发光层背离所述衬底基板一侧的第二传输层，所述第二传输层包覆或平铺在所述发光层上；
以及设置在所述第二传输层背离所述衬底基板一侧的第二电极。
本公开的一种示例性实施例中，所述发光二极管显示器还包括：
设置在所述第一电极与所述第一传输层之间的第一注入层，所述第一注入层包覆所述第一电极，且所述第一传输层包覆所述第一注入层；和/或，
设置在所述第二传输层与所述第二电极之间的第二注入层，所述第二注入层包覆或平铺在所述第二传输层上，且所述第二电极位于所述第二注入层背离所述衬底基板的一侧。
本公开的一种示例性实施例中，所述第一传输层、所述第二传输层、所述发光层、所述第一注入层和所述第二注入层的材料中均包括可光固化的官能团或者可光降解的基团。
本公开的一种示例性实施例中，所述可光固化的官能团能在光照条件下反应以形成交联网状结构，所述可光固化的官能团包括烯基、炔基、羰基、巯基、羟基官能团中的一种或多种。
本公开的一种示例性实施例中，所述可光降解的基团能在光照条件下反应以发生断链或降解，所述可光降解的基团中包括长分子链上的有机金属框架或者羰基。
本公开的一种示例性实施例中，所述发光二极管显示器包括用于发射不同颜色光的多个子像素，所述多个子像素中各个功能层的厚度不完全相同；
其中，所述功能层包括所述第一传输层、所述第二传输层、所述发光层、所述第一注入层和所述第二注入层。
本公开的一种示例性实施例中，所述发光层包括有机发光层或者量子点发光层。
根据本公开的一个方面，提供一种发光二极管显示器的制备方法，包括：
在形成有第一电极的基板上形成第一传输层，以使所述第一传输层包覆在所述第一电极背离衬底基板的一侧上；
在形成有所述第一传输层的基板上形成发光层，以使所述发光层包覆在所述第一传输层背离所述衬底基板的一侧上；
在形成有所述发光层的基板上形成第二传输层，以使所述第二传输层包覆或平铺在所述发光层背离所述衬底基板的一侧上；
在形成有所述第二传输层的基板上形成第二电极，所述第二电极位于所述第二传输层背离所述衬底基板一侧上。
本公开的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：
在形成所述第一电极之后且形成所述第一传输层之前还形成第一注入层，所述第一注入层包覆在所述第一电极背离所述衬底基板的一侧上；和/或，
在形成所述第二传输层之后且形成所述第二电极之前还形成第二注入层，所述第二注入层包覆或平铺在所述第二传输层背离所述衬底基板的一侧上。
本公开的一种示例性实施例中，采用光刻工艺形成所述第一传输层、所述第二传输层、所述发光层、所述第一注入层和所述第二注入层。
本公开的一种示例性实施例中，所述第一传输层、所述第二传输层、所述发光层、所述第一注入层和所述第二注入层的材料中均包括可光固化的官能团或者可光降解的基团。
本公开的一种示例性实施例中，所述可光固化的官能团能在光照条件下反应以形成交联网状结构，所述可光固化的官能团包括烯基、炔基、羰基、巯基、羟基官能团中的一种或多种。
本公开的一种示例性实施例中，所述可光降解的基团能在光照条件下反应以发生断链或降解，所述可光降解的基团中包括长分子链上的有机金属框架或者羰基。
本公开的一种示例性实施例中，所述发光层包括有机发光层或者量子点发光层。
本公开示例性实施方式所提供的发光二极管显示器及其制备方法，无需制备像素界定层，而是形成发光层包覆第一传输层且第一传输层包覆第一电极的结构，以在形成高分辨率像素结构的同时，一方面解决高分辨率显示器的信号串扰问题，从而提升显示品质，另一方面避免由像素界定层带来的薄膜厚度不均的问题，从而提升产品良率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性示出本公开示例性实施例中发光二极管显示器的结构示意图一；
图2示意性示出本公开示例性实施例中发光二极管显示器的结构示意图二；
图3示意性示出本公开示例性实施例中发光二极管显示器的结构示意图三；
图4示意性示出本公开示例性实施例中发光二极管显示器的结构示意图四；
图5示意性示出本公开示例性实施例中发光二极管显示器的结构示意图五；
图6示意性示出本公开示例性实施例中传输层材料和发光层材料的结构图；
图7示意性示出本公开示例性实施例中发光二极管显示器的制备方法流程图；
图8示意性示出本公开示例性实施例中发光二极管显示器的功能层制备过程示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
本示例实施方式提供了一种发光二极管显示器，例如oled显示器，其发光层可以为有机发光层，又如qled显示器，其发光层可以为量子点发光层。基于此，如图1和图2所示，该发光二极管显示器可以包括：
衬底基板10，其上可设置薄膜晶体管阵列；
设置在衬底基板10上方的多个第一电极101，该多个第一电极101对应不同的子像素；
设置在第一电极101上方的第一传输层102，该第一传输层102包覆在第一电极101背离衬底基板10的一侧；
设置在第一传输层102上方的发光层103，该发光层103包覆在第一传输层102背离衬底基板10的一侧；
设置在发光层103上方的第二传输层104，该第二传输层104包覆在发光层103背离衬底基板10的一侧；
以及设置在第二传输层104背离衬底基板10一侧的第二电极105，该第二电极105可以平铺在整个基板表面。
其中，第一传输层102和第二传输层104中的一个可以为电子传输层、另一个可以为空穴传输层。例如，第一传输层102为电子传输层，第二传输层104为空穴传输层；或者，第一传输层102为空穴传输层，第二传输层104为电子传输层。
需要说明的是：本实施例中位于发光层103以上的结构例如第二传输层104也可以为平铺结构，即平铺在下层结构的表面。
本示例实施方式中的一层结构包覆另一层结构是指，沿平行于衬底基板10表面的各个方向，上层结构的薄膜尺寸大于下层结构的薄膜尺寸，例如上层结构超出下层结构500～1000nm，以使上层结构在除过衬底基板10一侧的其它各个方向上均包覆在下层结构的外侧，从而形成例如盒盖扣在盒体上的结构。为了便于描述，下文将该一层结构包覆另一层结构的形式简称为包覆结构，而将平铺一整层薄膜的形式简称为平铺结构。
本公开示例性实施方式所提供的发光二极管显示器，无需设置像素界定层，而是形成发光层103包覆第一传输层102且第一传输层120包覆第一电极101的结构，以在形成高分辨率像素结构的同时，一方面解决高分辨率显示器的信号串扰问题，从而提升显示品质，另一方面避免由像素界定层带来的薄膜厚度不均的问题，从而提升产品良率。
考虑到电荷注入效率的问题，如图3至图5所示，该发光二极管显示器还可以包括：
设置在第一电极101与第一传输层102之间的第一注入层106，该第一注入层106可以包覆在第一电极101背离衬底基板10的一侧，且第一传输层102包覆在该第一注入层106背离衬底基板10的一侧；和/或，设置在第二传输层104与第二电极105之间的第二注入层107，该第二注入层107包覆或平铺在第二传输层104背离衬底基板10的一侧。
其中，在第一传输层102为电子传输层、第二传输层103为空穴传输层时，该第一注入层106为电子注入层，该第二注入层107为空穴注入层；在第一传输层102为空穴传输层、第二传输层103为电子传输层时，该第一注入层106为空穴注入层，该第二注入层107为电子注入层。
本实施例中，位于发光层103之上的结构可以采用包覆结构或者平铺结构，例如图3所示的第二注入层107为包覆结构，而图4和图5所示的第二注入层107平铺结构。但应注意的是，第二注入层107的结构还与第二传输层104的结构有关。参考图3和图4可知，在第二传输层104为包覆结构时，第二注入层107可以为包覆结构或者平铺结构；参考图5可知，在第二传输层104为平铺结构时，第二注入层107只能为平铺结构。
需要说明的是：第一注入层106和第二注入层107可用于提升电子注入效率或空穴注入效率，本实施例可根据实际需要选择形成或者不形成电荷注入层，且在形成电荷注入层时也可仅形成第一注入层106、或者仅形成第二注入层107、或者同时形成第一注入层106和第二注入层107，这里对此不作具体限定。
本示例实施方式中，第一传输层102、第二传输层104、发光层103、第一注入层106和第二注入层107均是采用光刻工艺形成。采用光刻工艺可以降低制程工艺的难度，并且降低成本。
第一传输层102、第二传输层104、发光层103的材料结构如图6所示，其中中间部分601为分子主体，r1和r2为烯、炔、羰基、巯基、羟基中的一种或两种，例如：–ch2ch2ch2coch2ch2ch2ch3。
传输层材料的分子主体可以是三苯胺类似物及其衍生物，tpd等；发光层材料的分子主体可以是量子点，ir(ppy)3等。
第一注入层106和第二注入层107的材料的分子主体可以是pedot：pss等；此外，注入层材料可以是moox，niox等无机物，可以采用光刻加刻蚀的工艺进行图案化，无需对分子本身进行额外的修饰。
本示例实施方式中，第一传输层102、第二传输层104、发光层103、第一注入层106和第二注入层107的材料中均可以包括可光固化的官能团或者可光降解的基团。
可选的，所述可光固化的官能团能在光照条件例如紫外光照射下发生交联反应的基团，例如烯基、二烯基、炔基、二炔基、苯基、羰基、巯基、羟基等官能团中的一种或几种，其能够发生光固化反应而形成交联网状结构，从而起到材料固定作用。可选的，所述可光降解的基团能在光照条件例如紫外光照射下发生断链或降解反应的基团，例如长分子链上的有机金属框架(metal-organicframe)、羰基、环氧基团等，其能够发生可光降解的反应而无法形成交联网状结构，从而起不到固化作用。
将这些可光固化的官能团或者可光降解的基团合成到传输层、注入层及发光层材料的具体做法是：将反应中的某些反应原料更换为含有r1、r2基团的类似物，即可得到包含这些可光固化的官能团或者可光降解的基团的传输层材料、注入层及发光层材料。对于量子点发光层可以在其配体中选择含有r1、r2的配体。基于上述结构，所述发光二极管显示器可以包括多个不同的子像素，例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，且不同子像素对应的各个功能层的厚度不完全相同；其中，所述各个功能层可以包括第一传输层102、第二传输层104、发光层103、第一注入层106和第二注入层107。
本示例实施方式提供了一种发光二极管显示器的制备方法，可用于制备oled显示器或者qled显示器。如图7所示，该发光二极管显示器的制备方法可以包括：
s1、采用光刻工艺在形成有第一电极101的基板上形成第一传输层102，以使第一传输层102包覆在第一电极101背离衬底基板10的一侧；在该步骤中，形成包覆第一电极101的第一传输层102能够做法是使得第一传输层102的曝光面积大于第一电极101的曝光面积，具体的手段包括但不限于以下两种：一种是调整第一传输层102的掩模板(mask)的面积，使其大于第一电极101的掩模板面积，另一中做法是增大第一传输层102的掩模板与基板之间的距离，使其大于第一电极101的掩模板与基板之间的距离。通过以上两种手段，可以使得第一传输层102的曝光面积大于第一电极101的曝光面积，从而得到第一传输层102包覆第一电极101的结构。
s2、采用光刻工艺在形成有第一传输层102的基板上形成发光层103，以使发光层103包覆在第一传输层102背离衬底基板10的一侧；这里形成发光层103包覆第一传输层102的做法与在步骤s1的做法相同，使得发光层103的曝光面积大于第一传输层102的曝光面积，在此不再赘述。
s3、采用光刻工艺在形成有发光层103的基板上形成第二传输层104，以使第二传输层104包覆在发光层103背离衬底基板10的一侧；这里形成第一传输层104包覆发光层103的做法与在步骤s1的做法相同，使得第一传输层104的曝光面积大于发光层103的曝光面积，在此不再赘述。
s4、在形成有第二传输层104的基板上形成第二电极105，该第二电极105位于第二传输层104背离衬底基板10的一侧。
其中，第一传输层102和第二传输层104中的一个为电子传输层、另一个为空穴传输层。例如，第一传输层102可以为电子传输层，第二传输层104可以为空穴传输层；或者，第一传输层102可以为空穴传输层，第二传输层104可以为电子传输层。
需要说明的是：所述光刻工艺是指利用掩模板对薄膜进行曝光和显影，以将掩模板的图案转移至需要进行图案化处理的膜层。
本公开示例性实施方式所提供的发光二极管显示器的制备方法，无需制备像素界定层，而是形成发光层103包覆第一传输层102且第一传输层102包覆第一电极101的结构，以在形成高分辨率像素结构的同时，一方面解决高分辨率显示器的信号串扰问题，从而提升显示品质，另一方面避免由像素界定层带来的薄膜厚度不均的问题，从而提升产品良率。
此外，本示例实施方式所提供的制备方法可以采用光刻工艺实现，其不仅可以避免蒸镀工艺或打印工艺在提升分辨率时的工艺难度，而且能够大幅度提升材料的使用率，从而促进发光二极管显示器的产业化生产。
下面结合附图对本示例实施方式提供的发光二极管显示器的制备方法进行详细的描述。
在步骤s1中，采用光刻工艺在形成有第一电极101的基板上形成用于传输第一电荷的第一传输层102，以使第一传输层102包覆在第一电极101背离衬底基板10的一侧。
其中，这里所述的基板可以是形成有薄膜晶体管阵列的背板，该薄膜晶体管阵列可以设置在衬底基板10例如玻璃衬底、石英衬底、或者pet(polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)等柔性衬底之上。
具体而言，本步骤可在清洗后的衬底基板10上方沉积栅金属层例如厚度为200nm的钼薄膜，并对其进行图案化处理以得到所需的栅极；然后在栅极上方沉积栅介质层例如厚度为150nm的氧化硅薄膜；再在栅介质层上方沉积金属氧化物半导体薄膜例如厚度为40nm的igzo(indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)，并对其进行图案化处理以得到所需的半导体有源层；接着在半导体有源层上方沉积源漏金属层例如厚度为200nm的钼薄膜，并对其进行图案化处理以得到所需的源极和漏极；然后在源极和漏极上方沉积钝化层例如厚度为300nm的氧化硅薄膜，并对其进行图案化处理以得到用于连接漏极与第一电极101的过孔；随后再在钝化层上方沉积第一电极101例如ito(indiumtinoxide，氧化铟锡)或者ito/ag/ito等，并对其进行图案化处理以得到所需的电极图形，该第一电极101可以作为像素电极例如阳极。其中，栅极、半导体有源层、源极和漏极可构成用于为像素电极提供驱动电压的薄膜晶体管，但需要说明的是，薄膜晶体管的形成顺序并不以此为限，其应当根据实际结构例如顶栅结构或底栅结构进行调整。
在此基础上，本步骤还可以采用等离子体处理的方法清洗形成有薄膜晶体管和第一电极101的基板表面，然后在第一电极101上方形成第一传输层102。其中，如图8所示，该第一传输层102的形成方法可以包括：采用旋涂或蒸镀工艺在第一电极101上方制备用于形成第一传输层102的第一传输层薄膜1020，其厚度可以控制在20-50nm，然后采用掩模板70对该第一传输层薄膜1020进行曝光、显影和定型，从而得到包覆在第一电极101表面的第一传输层102。其中，不同子像素对应的第一传输层102的厚度可以不同。
当然，在形成第一电极101之后且形成第一传输层102之前，还可以根据需要形成第一注入层106，即在形成有第一电极101的基板上形成第一注入层106，以使该第一注入层106包覆在第一电极101背离衬底基板10的一侧，且第一传输层102包覆在第一注入层106背离衬底基板10的一侧。其中，所述第一注入层106的厚度可以控制在20-50nm，且不同子像素对应的第一注入层106的厚度可以不同，便于灵活调节发出不同颜色光的各子像素的发光效率，达到最优的发光效果。需要说明的是：该第一注入层106的形成方法与第一传输层102的形成方法类似，这里不再赘述。
在步骤s2中，采用光刻工艺在形成有第一传输层102的基板上形成发光层103，以使发光层103包覆在第一传输层102背离衬底基板10的一侧。
其中，所述发光层103可以为有机发光层，此时的发光二极管显示器即为oled显示器；或者，所述发光层103也可以为量子点发光层，此时的发光二极管显示器即为qled显示器。
具体而言，本步骤可以采用与第一传输层102相同的工艺分别在各个子像素对应的第一传输层102上方形成图案化的发光层103，例如红色量子点发光层、绿色量子点发光层、蓝色量子点发光层，其厚度可以控制在20-50nm，且不同子像素对应的发光层103厚度可以不同。
在步骤s3中，采用光刻工艺在形成有发光层103的基板上形成用于传输第二电荷的第二传输层104，以及位于第二传输层104背离衬底基板10一侧的第二电极105。
其中，第二传输层104可以包覆在发光层103的上方，以形成对应不同子像素的第二传输层104图案，也可以平铺在发光层103的上方，以形成所有子像素共用的第二传输层104结构。该第二传输层104的厚度可以控制在20-50nm，且不同子像素对应的第二传输层104的厚度可以不同。
当然，在形成第二传输层104之后且形成第二电极105之前，还形成根据需要形成第二注入层107，即在形成有第二传输层104的基板上形成第二注入层107，以使该第二注入层107包覆或平铺在第二传输层104背离衬底基板10的一侧。其中，所述第二注入层107的厚度可以控制在20-50nm，且不同子像素对应的第二注入层107的厚度可以不同。
具体而言，本步骤可以采用与第一传输层102的形成过程类似的方法在发光层103的上方制备第二传输层104和第二注入层107，例如zno纳米颗粒、lif或其它有机材料。在一实施例中，可采用旋涂或蒸镀工艺在发光层103上方制备用于形成第二传输层104的第二传输层薄膜并对其进行图案化处理，以得到包覆在发光层103表面的第二传输层104，然后采用旋涂或蒸镀工艺在第二传输层104上方制备用于形成第二注入层107的第二注入层薄膜并对其进行图案化处理，以得到包覆在第二传输层104表面的第二注入层107，或者也可以不进行图案化处理而直接得到平铺在第二传输层104表面的第二注入层107。在另一实施例中，可采用旋涂或蒸镀工艺直接在发光层103上方形成平铺在发光层103表面的第二传输层104，然后采用旋涂或蒸镀工艺在第二传输层104上方形成平铺在第二传输层104表面的第二注入层107。
在此基础上，本步骤还可以采用蒸镀法在第二注入层107上方形成第二电极105例如lif:al金属层，其厚度约为10-150nm，该第二电极107可以作为公共电极例如阴极。在第二电极105形成之后便可进行封装和切割，从而完成整个发光二极管显示器的显示面板部分的制作。
基于上述步骤，第一传输层102、第二传输层104、发光层103、第一注入层106和第二注入层107的材料中均可以包括可光固化的官能团或者可光降解的基团。
可选的，所述可光固化的官能团为能在光照条件例如紫外光照射下发生交联反应的基团，例如烯基、二烯基、炔基、二炔基、苯基、羰基、巯基、羟基等官能团中的一种或几种，其能够发生光固化反应而形成交联网状结构，从而起到材料固定作用。
可选的，所述可光降解的基团为能在光照条件例如紫外光照射下发生断链或降解反应的基团，例如长分子链上的有机金属框架(metal-organicframe)、羰基、环氧基团等，其能够发生可光降解的反应而无法形成交联网状结构，从而起不到固化作用。
本示例实施方式所提供的发光二极管显示器可以为正置结构或者倒置结构等，其出光方式可以采用底出光或者顶出光等。根据现有光刻工艺的精度，所制备的子像素最小间距可达10微米，分辨率超过800ppi。
其中，光刻工艺中各个功能层所需的材料可以采用光敏性功能层材料，以直接对其进行曝光和显影，或者采用功能层材料掺杂于光刻胶之中，以在掺杂之后对其进行曝光和显影，或者采用功能层材料涂布之后再旋涂光刻胶而进行光刻工艺，又或者采用其它与特殊光刻胶结合或配合使用的方法来完成该工艺。
基于此，本示例实施方式采用光刻工艺制备发光二极管显示器的像素结构的方法，一方面避免了蒸镀法和打印法对于高精度掩膜版以及高精度喷墨头的工艺要求，从而避免了由此带来的工艺困难，提升了材料使用率和产品良率；另一方面无需制备像素界定层也可实现高分辨率，同时避免了采用溶液法制程所产生的像素界定层对薄膜均匀度的影响，以及高分辨率器件中各个子像素之间距离很近时的信号串扰问题。
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。