用于半导体器件的倾斜场板和接触结构及其制作的方法与流程

技术特征：

技术总结
提供了用于半导体器件的倾斜场板和接触结构及其制作的方法。一种半导体器件包括：基层；基层之上的电介质层；延伸通过电介质层并且到基层的主表面的开口，开口具有倾斜侧壁；以及在倾斜侧壁之上的导电材料。倾斜侧壁与基层的主表面之间的角度在5度与50度之间的范围内。还提供制作半导体器件的对应方法。

技术研发人员：G.库拉托拉;J.U.海因勒;G.普雷希特尔
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2018.01.19
技术公布日：2018.07.27