技术特征：
技术总结
本公开涉及半导体芯片级封装及形成半导体芯片级封装的方法或者形成该芯片级封装的阵列的方法。该半导体芯片级封装包括：半导体裸片，其包括：与第二主表面相对的第一主表面，和在所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸的多个侧壁；布置在所述半导体裸片的所述第二主表面上的多个电触点；以及布置在所述多个侧壁上和所述第一主表面上的无机绝缘材料。所述芯片级封装不会发生不希望的电流路径或电流泄漏，从而能够正常运行。
技术研发人员：沃尔夫冈·施尼特;托比亚斯·斯普罗杰斯
受保护的技术使用者：安世有限公司
技术研发日：2018.02.06
技术公布日：2018.08.24