技术特征：
技术总结
本申请涉及半导体器件及其形成方法，公开了一种用于减少线的摆动的方法，该方法包括在衬底上方形成硅图案化层并且在硅图案化层上方沉积掩模层。掩模层被图案化以在其中形成一个或多个开口。掩模层被薄化并且一个或多个开口被加宽，以提供较小的高宽比。然后掩模层的图案被用来图案化硅图案化层。硅图案化层进而被用来图案化将在其中形成金属线的目标层。
技术研发人员：林建宏;范振礼;陈志壕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.03.09
技术公布日：2019.03.05