1.一种热电材料，其特征在于：该热电材料是一种复合材料，由聚酰亚胺薄膜与Sn2Te3-xFex构成。
2.一种如权利要求1所述的热电材料，其特征在于：所述聚酰亚胺薄膜为多孔膜。
3.一种如权利要求1所述的热电材料，其特征在于：所述聚酰亚胺薄膜的孔径小于100纳米。
4.一种如权利要求1所述的热电材料，其特征在于：所述聚酰亚胺薄膜厚度小于20微米。
5.一种如权利要求1所述的热电材料，其特征在于：其制备方法包括如下: 将清洁处理后的聚酰亚胺膜置于磁控溅射样品室，所用溅射靶材为块体Sn2Te3-xFex，选择合适的溅射真空度、样品室温度与工作气体进行溅射沉积，沉积功率为10～20W，样品支架旋转速度为60～100转/分钟。
6.一种如权利要求1所述的热电材料，其特征在于：X的范围为0.05～0.2。
7.一种如权利要求1或5所述的热电材料，其特征在于：所述的聚酰亚胺膜的制备方法包括如下步骤：
（1）将四酸二酐、有机二胺加入溶剂中，制备聚酰胺酸溶液；所述溶剂为非质子溶液；
（2）在温度为10-40℃、相对湿度为20-80%条件下，将聚酰胺酸溶液真空脱气后，将上述聚酰胺酸溶液涂覆到基材上，然后放置入乙醇的水溶液中；所述基材包含但不限于玻璃、不锈钢；
（3）将多孔膜在温度为200℃以下的环境中干燥；
（4）将上述聚酰胺酸膜的升温到300℃以上的温度亚胺化，得到多孔的聚酰亚胺膜；
（5）将聚酰亚胺膜进行超声清洗。
8.一种如权利要求5所述的热电材料的制备方法，其特征在于：所述溅射真空度高于1× 10-3Pa。
9.一种如权利要求5所述的热电材料的制备方法，其特征在于：所述工作气体为0.4～0.8Pa的高纯氩气。
10.一种如权利要求5所述的热电材料的制备方法，其特征在于：所述样品室温度为100℃～150℃。