技术特征：
技术总结
本发明公开了一种双镜面结构的LED外延片的制备方法，(1)在MOCVD生长室中放入图形化蓝宝石衬底；(2)在450‑550℃下，通入三甲基铝、三甲基镓、氨气，在图形化蓝宝石衬底上生长出AlGaN缓冲层；(3)再在300‑450℃下，以150‑600sccm的流量通入铝源和/或铟源，在所述AlGaN缓冲层上获得铝和/或铟金属薄膜；(4)在真空条件下，快速升温至750‑1200℃，然后退火1‑10min，获得Al和/或In的金属纳米粒子；(5)然后，在900‑1200℃下，生长非故意掺杂GaN层；(6)接着按照标准的工艺依次生长n型GaN、InGaN/GaN量子阱和p型GaN。本发明的制备方法简化了工序，在生产成本基本不变的条件下，明显提高了LED外延片的出光效率。
技术研发人员：杨为家;何鑫;徐维;王诺媛;刘铭全;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎
受保护的技术使用者：五邑大学
技术研发日：2018.05.03
技术公布日：2018.11.13