本发明是有关于一种显示装置及其制造方法，且特别是有关于一种具有发光二极管晶粒的显示装置及其制造方法。
背景技术：
发光二极管(lightemittingdiode；led)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通信号灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。
一般具有发光二极管晶粒的显示装置的制作方法先是在磊晶基板上形成图案化模层(如：图案化半导体层、图案化导电层或图案化绝缘层)，而形成多个彼此分离的发光二极管晶粒之后，再将磊晶基板翻转至另一基板上，并将这些发光二极管晶粒自磊晶基板上分离，以将这些发光二极管晶粒转移至另一基板上。然而，在前述的将这些发光二极管晶粒自磊晶基板上分离的过程中，由于内应力的释放而可能会造成发光二极管晶粒的偏移(shift)，进一步而影响到发光二极管晶粒放置位置的精度。另外，由于图案化模层在前述的转移过程前已经形成在磊晶基板上。因此，在单一个发光二极管晶粒内，模层的内应力释放也可能造成各模层图案之间(如：对位标志(alignmentmark)与图案所形成的开口)的相对位置产生偏移。前述的偏移现象都可能造成良率的降低。因此，如何进一步提升显示装置的良率，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现要素：
本发明提供一种具有发光二极管晶粒的显示装置及其制造方法，其制程较为简单且具有较佳的良率。
本发明提供一种显示装置的制造方法，其包括以下步骤。提供基板，其中在基板的表面上具有堆叠的第二半导体材料层、发光材料层、第一半导体材料层、第一导电材料层以及支撑材料层。藉由接着材料层将基板上的支撑材料层与载板连接。移除基板，以暴露出于载板上的第二半导体材料层。形成第二导电材料层于载板的第二半导体材料层上。形成多个贯穿第二导电材料层、第二半导体材料层、发光材料层、第一半导体材料层、第一导电材料层以及支撑材料层的沟槽，以形成多个彼此分离的发光二极管晶粒。图案化接着材料层，以形成图案化接着层。图案化接着层具有多个接着层开口，接着层开口对应于发光二极管晶粒配置且暴露出部分的载板。形成绝缘材料层于载板上，以覆盖发光二极管晶粒、图案化接着层以及接着层开口所暴露出的载板。图案化绝缘材料层，以形成多个图案化绝缘层和多个连接结构，其中连接结构连接于发光二极管晶粒与载板之间。移除图案化接着层，以使发光二极管晶粒藉由连接结构连接于载板，且发光二极管晶粒与载板之间具有空隙。
本发明提供一种显示装置，其包括阵列基板、至少一发光二极管晶粒、图案化绝缘层、第一电极、第二电极以及黏着胶层。发光二极管晶粒配置于阵列基板上且与阵列基板电性连接。发光二极管晶粒包括自阵列基板依序堆叠的支撑层、第一导电层、第一半导体层、发光层、第二半导体层以及第二导电层。在阵列基板的垂直投影方向上，第一半导体层的垂直投影面积小于支撑层的垂直投影面积且位于支撑层的垂直投影面积范围内。图案化绝缘层设置于发光二极管晶粒上，且图案化绝缘层具有至少一第一开口以及至少一第二开口。第一电极透过第一开口电性连接至第一导电层。第二电极透过第二开口电性连接至第二导电层。黏着胶层位于阵列基板与发光二极管晶粒的支撑层之间。
基于上述，本发明是将用于构成发光二极管晶粒的第二半导体材料层、发光材料层、第一半导体材料层、第一导电材料层以及支撑材料层设置于一基板上，并将前述的模层转移至载板。然后，用于构成发光二极管晶粒的第二导电材料层被设置于载板上后，才将第二导电材料层、第二半导体材料层、发光材料层、第一半导体材料层、第一导电材料层以及支撑材料层图案化，以形成多个彼此分离的发光二极管晶粒，且在载板上的发光二极管晶粒是藉由连接结构连接至载板。然后，才将发光二极管晶粒转移至阵列基板以构成显示装置。因此，可以降低在制造过程中因为发光二极管晶粒的偏移所造成的不良影像，而可以提升显示装置的良率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1a至图1l是依照本发明的第一实施例的显示装置的制造过程的局部剖面示意图。
图1m是依照本发明的第一实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。
图1n是依照本发明的第一实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。
图1o是依照本发明的第一实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。
图2a、图2b、图2c、图2f及图2g是依照本发明的第二实施例的显示装置的部分制造过程的局部剖面示意图。
图2d是依照本发明的第二实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。
图2e是依照本发明的第二实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。
其中，附图标记
100、200：显示装置
10：基板
10a：基板的表面
20：接着材料层
21：图案化接着层
21a：接着层开口
30：载板
30a：载板的表面
40、40’：沟槽
41：空隙
50：阵列基板
51：主动元件
s：源极
d：汲极
g：闸极
ch：通道层
52：第一连接垫
53：第二连接垫
60：黏着胶层
60a：黏着胶层开口
60h：黏着胶层的厚度
61：黏着胶突起
71：第一电极
72：第二电极
110、210：发光二极管晶粒
120、220：支撑材料层
130：第一导电材料层
140：第一半导体材料层
150：发光材料层
160：第二半导体材料层
170：第二导电材料层
180：绝缘材料层
121、221：支撑层
221a：支撑层的上表面
221b：支撑层的侧表面
121h、221h：支撑层的厚度
131、231：第一导电层
131a：第一导电层的上表面
141：第一半导体层
151：发光层
161：第二半导体层
171：第二导电层
181、281：图案化绝缘层
181a、281a：第一开口
181b、281a：第二开口
182：连接结构
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本发明的目的、方案及功效，但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。
图1a至图1l是依照本发明的第一实施例的显示装置的制造过程的局部剖面示意图。图1m是依照本发明的第一实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。图1n是依照本发明的第一实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。图1o是依照本发明的第一实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。具体而言，图1e至图1i可以是对应于图1m中a-a’剖线的制造过程的剖面示意图，图1j与图1k可以是对应于图1n中b-b’剖线的制造过程的剖面示意图，图1l可以为图1o中c-c’剖线的剖面示意图，且为求简洁以清楚表示，于图1m至图1o中省略绘示了部分的模层。
请参照图1a，提供基板10，其中基板10的表面10a上具有依序堆叠的第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140、第一导电材料层130以及支撑材料层120。
在本实施例中，基板10可以为砷化镓(gaas)基板、磷化镓(gap)基板、磷化铟(inp)基板、蓝宝石(sapphire)基板、碳化硅(sic)基板或氮化镓(gan)基板，以适于将多个半导体材料层、多个导电材料层及/或多个绝缘材料层镀覆于其表面10a上。
在本实施例中，第二半导体材料层160为n型(n-type)半导体层，且第一半导体材料层140为p型(p-type)半导体层，但本发明不限于此。在其他实施例中，第二半导体材料层160可以为p型半导体层，且第一半导体材料层140为n型半导体层。n型(n-type)半导体层的材料例如是具有iva族元素(如：硅)掺杂的n型氮化镓(n-gan)，p型半导体层的材料例如是具有iia族元素(如：镁)掺杂的p型氮化镓(p-gan)。发光材料层150例如具有多层量子井(multiplequantumwell；mqw)结构。多重量子井结构包括以重复的方式交替设置的多个量子井层(well)和多个量子阻障层(barrier)。进一步来说，发光材料层150的材料例如是包括交替堆叠的多层氮化铟镓以及多层氮化镓(ingan/gan)，藉由设计发光材料层150中铟或镓的比例，可使发光材料层150发出特定的颜色。第二半导体材料层160、发光材料层150及第一半导体材料层140例如可以藉由有机金属气相沉积法(metal-organicchemicalvapordeposition；mocvd)形成。值得注意的是，关于上述的第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140或第一导电材料层130的材料或形成方式仅为举例，本发明并不以此为限。
在本实施例中，第一导电材料层130具有光穿透性，例如可以是藉由物理气相沉积法(physicalvapordeposition；pvd)、加热蒸镀或其他适宜的方法所形成的透明金属氧化物层。
在本实施例中，支撑材料层120为绝缘材质，但本发明不限于此。绝缘材质包括硅的氧化物，且例如可以藉由化学气相沉积法(chemicalvapordeposition；cvd)、热氧化法(thermaloxidation)或其他适宜的方法所形成。
在本实施例中，支撑材料层120可以包括绝缘的分布式布拉格反射器(distributedbraggreflector；dbr)，绝缘的分布式布拉格反射器的材质例如是二氧化硅(sio2)与二氧化钛(tio2)的叠层或者是二氧化硅与五氧化二钽(ta2o5)的叠层，但本发明不限于此。在其他实施例中，也可采用其他具有可反射功能的材料来取代布拉格反射结构。
在本实施例中，第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140、第一导电材料层130以及支撑材料层120为覆盖于基板10的表面10a上。也就是说，在第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140、第一导电材料层130以及支撑材料层120的制程中是可以全面性地覆盖于基板10的表面10a上，而不具有图案化的步骤。如此一来，在前述模层的制程中，至少可以省略图案化的步骤中必要的对位及黄光微影蚀刻制程，因此在显示装置100的制程上较为简单且可提升显示装置100的生产量(throughput)。
值得注意的是，在本发明中，全面性地覆盖可以是在不具有图案化的步骤下，将后形成的模层藉由沉积或镀覆的方式，覆盖于基板及/或先形成的膜层上。当然，在一般的半导体制程中，后形成的膜层是有可能进一步地部分覆盖于基板及/或先形成的膜层的边缘，或是，因沉积或镀覆的机台既有的部件(如：用于减少侧镀的遮罩框(shadowframe)或用于固定基板的固定件(fixedparts))可能造成部分的未覆盖区域，上述的情况皆可被包含于本发明「全面性地覆盖」的定义中。
请参照图1b，藉由接着材料层20将基板10上的支撑材料层120与载板30连接。举例而言，可以晶圆接合制程(waferbondingprocess)，以使基板10上的支撑材料层120与载板30的表面30a藉由接着材料层20而彼此相连接。
载板30的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、硅质晶圆或是其他适宜的材料，但本发明不限于此。在本实施例中，载板30的表面30a的面积可以大于或等于基板10的表面10a的面积，以于后续的制程中，可以使支撑材料层120、第一导电材料层130、第一半导体材料层140、发光材料层150以及第二半导体材料层160设置于载板30的表面30a上且被载板30所支撑。另外，接着材料层20的面积可以大于或等于支撑材料层120的面积，以使支撑材料层120可以藉由接着材料层20而与载板30接合。
在本实施例中，接着材料层20的材质可以不同于载板30、支撑材料层120、第一导电材料层130、第一半导体材料层140、发光材料层150以及第二半导体材料层160的材质。举例而言，在本实施例中，接着材料层20的材质可以为聚合物(如：苯环丁烯(benzocyclobutene；bcb))、金属层或前述材料的组合，以于后续的制程中，可以藉由蚀刻气体(如：氧气与氟化物气体的混合气体)将接着材料层20移除。换言之，一蚀刻剂(etchingreagent)对接着材料层20的蚀刻率大于前述蚀刻剂对载板30、支撑材料层120、第一导电材料层130、第一半导体材料层140、发光材料层150以及第二半导体材料层160的蚀刻率，以于后续的制程中，可以藉由前述蚀刻剂以将接着材料层20移除。
请参照图1c，将基板10上的支撑材料层120与载板30以接着材料层20相接合后，移除基板10以暴露出于载板30上的第二半导体材料层160。举例而言，可以在将图1b所示的结构上下翻转(upsidedown)之后，例如可以藉由激光剥离(laserlift-off；llo)或其他适宜的方法，以将第二半导体材料层160自基板10的表面10a分离。如此一来，载板30的表面30a上具有依序堆叠接着材料层20、支撑材料层120、第一导电材料层130、第一半导体材料层140、发光材料层150以及第二半导体材料层160。
请参照图1d，移除基板10(绘示于图1c)后，于载板30的表面30a上形成第二导电材料层170。在本实施例中，第二导电材料层170具有光穿透性，例如可以是藉由物理气相沉积法、加热蒸镀或其他适宜的方法所形成的透明金属氧化物层。
在本实施例中，第二导电材料层170可以覆盖于位于载板30的第二半导体材料层160上。也就是说，第二导电材料层170的制程中是全面性地覆盖于位于载板30的第二半导体材料层160上，而不具有图案化的步骤。如此一来，在第二导电材料层170的制程中，至少可以省略图案化的步骤中必要的对位及黄光微影蚀刻制程，因此在显示装置100的制程上较为简单且可提升显示装置100的生产量。
请同时参照图1d与图1e，形成第二导电材料层170后，可以藉由分离蚀刻(iso-etching)制程以形成多个贯穿第二导电材料层170、第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140、第一导电材料层130以及支撑材料层120的沟槽40，而形成多个彼此分离的发光二极管晶粒110。另外，可以藉由平台蚀刻(mesaetching)制程，以于第二半导体材料层160、发光材料层150及/或第一半导体材料层140上形成平台(mesa)，以提升发光二极管晶粒110的光取出效率(lightextractionefficiency)。如此一来，在藉由上述制程后，载板30上的第二导电材料层170、第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140、第一导电材料层130以及支撑材料层120分别形成构成各个发光二极管晶粒110的第二导电层171、第二半导体层161、发光层151、第一半导体层141、第一导电层131以及支撑层121。当然，可以先进行分离蚀刻制程后进行平台蚀刻制程，也可以先进行平台蚀刻制程后进行分离蚀刻制程，于本发明中并不加以限制。
请参照图1f，在形成多个发光二极管晶粒110后，例如可以藉由蚀刻的方式将接着材料层20(绘示于图1e)图案化，以形成图案化接着层21。图案化接着层21具有多个接着层开口21a，且接着层开口21a对应于发光二极管晶粒110配置且暴露出部分的载板30的表面30a。
请参照图1g，在形成图案化接着层21后，于载板30的表面30a上形成绝缘材料层180。绝缘材料层180覆盖发光二极管晶粒110、图案化接着层21以及接着层开口21a所暴露出的载板30。
在本实施例中，绝缘材料层180为覆盖于载板30上。也就是说，绝缘材料层180可以是共形地(conformally)覆盖发光二极管晶粒110、图案化接着层21以及接着层开口21a所暴露出的载板30的表面30a。
请参照图1h与图1m，在形成绝缘材料层180(绘示于图1g)后，例如可以藉由蚀刻的方式将绝缘材料层180图案化，以形成多个图案化绝缘层181以及多个连接结构182。发光二极管晶粒110与连接结构182彼此相连接，图案化绝缘层181覆盖于发光二极管晶粒110上，以使发光二极管晶粒110与载板30藉由连接结构182而彼此连接。
在本实施例中，各个图案化绝缘层181包括第一开口181a以及第二开口181b。第一开口181a暴露出各个发光二极管晶粒110中未被第一半导体层141所覆盖的部分第一导电层131。第二开口181b暴露出各个发光二极管晶粒110中的部分第二导电层171。
请参照图1i，在形成图案化绝缘层181以及连接结构182之后，移除发光二极管晶粒110与该载板30之间的图案化接着层21(绘示于图1h)。如此一来，发光二极管晶粒110与载板30之间具有一空隙41，且各个发光二极管晶粒110藉由对应的连接结构182连接于载板30。
在本实施例中，各个发光二极管晶粒110藉由对应的一个连接结构182连接于载板30，但本发明不限于此。在其他实施例中，各个发光二极管晶粒110藉由对应的多个连接结构182连接于载板30。
请参照图1j，例如可藉由微型取放机(pickandplacemachine)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane；pdms)基板转印或其他适宜的转移制程，以发光二极管晶粒110的支撑层121朝向阵列基板50的方式，将发光二极管晶安装于具有主动元件51的阵列基板50上。举例而言，于微型取放机或转印基板下压或是提取的过程中，会在发光二极管晶粒110与载板30之间产生应力，而前述的应力会使发光二极管晶粒110与载板30之间的连接结构182产生对应的断裂(crack)，如此一来，可以使发光二极管晶粒110自载板30分离而可被转移。在其他可行的实施例中，也可藉由蚀刻或其他适宜的方式，将发光二极管晶粒110与载板30之间的连接结构182移除，以使发光二极管晶粒110自载板30分离而可被转移。
在本实施例中，发光二极管晶粒110可以藉由黏着胶层60固定于阵列基板50上。举例而言，可以藉由涂布法、黏合法、溶胶凝胶法(sol-gelmethod)、压合法或其他适宜的方式将环氧树脂(epoxy)、光阻或硅胶或其他适宜的胶材形成于阵列基板50上。然后，可以在将发光二极管晶粒110置于覆有胶材的阵列基板50上之后，依据胶材的性质进行光聚合(photopolymerization)或烘烤(baking)制程，使胶材固化而形成黏着胶层60。
在本实施例中，由于发光二极管晶粒110具有支撑层121，且支撑层121的厚度121h大于着胶层的厚度60h。因此，在发光二极管晶粒110固定至阵列基板50的过程中，纵使胶材因挤压而使黏着胶层60具有轻微的黏着胶突起61，所形成的黏着胶层60也不会进一步填入图案化绝缘层181的第一开口181a。
请参照图1k及图1n，例如可以藉由黄光微影蚀刻、机械穿孔或激光钻孔或其他适宜的方式，以于黏着胶层60上形成多个黏着胶层开口60a，且黏着胶层开口60a暴露出阵列基板50上对应的第一连接垫52与第二连接垫53。
接着参照图1l及图1o，于阵列基板50上形成多个第一电极71与多个第二电极72。各个第一电极71透过对应的图案化绝缘层181的第一开口181a电性连接至对应的发光二极管晶粒110的第一导电层131。各个第二电极72透过对应的图案化绝缘层181的第二开口181b电性连接至对应的发光二极管晶粒110的第二导电层171。更详而言之，在本实施例中，各个发光二极管晶粒110的第一导电层131藉由第一电极71与第一连接垫52电性连接；各个发光二极管晶粒110的第二导电层171藉由第二电极72与第二连接垫53电性连接。如前述，由于发光二极管晶粒110的支撑层121的厚度121h大于黏着胶层60的厚度60h，因此在形成的第一电极71时，可以降低第一电极71无法透过第一开口181a电性连接至第一导电层131的可能，而可以提升显示装置100的良率。
经过上述制程后即可大致上完成本实施例的显示装置100的制作。上述的显示装置100包括阵列基板50、至少一发光二极管晶粒110、图案化绝缘层181、第一电极71、第二电极72以及黏着胶层60。发光二极管晶粒110配置于阵列基板50上且与阵列基板50电性连接。发光二极管晶粒110包括自阵列基板50依序堆叠的支撑层121、第一导电层131、第一半导体层141、发光层151、第二半导体层161以及第二导电层171。在阵列基板50的垂直投影方向上，第一半导体层141的垂直投影面积小于支撑层121的垂直投影面积且位于支撑层121的垂直投影面积范围内。图案化绝缘层181覆盖于发光二极管晶粒110上，且图案化绝缘层181具有至少一第一开口181a以及至少一第二开口181b。第一电极71透过第一开口181a电性连接至第一导电层131。第二电极72透过第二开口181b电性连接至第二导电层171。黏着胶层60位于阵列基板50与发光二极管晶粒110的支撑层121之间。
阵列基板50包括主动元件51，其中第二电极72藉由第二连接垫53与主动元件51电性连接，以接收主动元件51所传递的对应电压。主动元件51包括源极s、汲极d、闸极g以及通道层ch。闸极g与扫描线(未绘示)电性连接。源极s与数据线(未绘示)电性连接。在本实施例中，主动元件51例如为低温多晶硅薄膜电晶体(lowtemperturepolysithinfilmtransistor；ltpstft)，但本发明并不以此为限制。在操作上，第一电极71例如藉由第一连接垫52电性连接至一共通电压源，以接收共通电压源所输出的共通电压(commonvoltage)，而闸极g可以控制主动元件51的开启(导通)与关闭(断路)，当主动元件51为开启(导通)的情形下，主动元件51可以允许源极s藉由通道层ch电性导通至汲极d，以使发光二极管晶粒110接收来自于汲极d所传递的对应电压而发光。
在本实施例中，支撑层121为绝缘材质。在阵列基板50的垂直投影方向上，部分的第一导电层131的上表面131a未被第一半导体层141覆盖，且第一开口181a与部分的第一导电层131的上表面131a对应设置，以使第一电极71可设置于第一开口181a中，而可直接与第一导电层131接触且电性连接。
在本实施例中，支撑层121的厚度121h大于黏着胶层60的厚度60h，且支撑层121可以包括布拉格反射结构。如此一来，在显示装置100的制程中，可以避免黏着胶层60填入图案化绝缘层181的第一开口181a。并且，在显示装置100的应用上，可以藉由支撑层121的布拉格反射结构反射由发光材料层150所产生的光线，进而可增加光利用率，以提升显示装置100的出光效率。
图2a、图2b、图2c、图2f及图2g是依照本发明的第二实施例的显示装置的部分制造过程的局部剖面示意图。图2d是依照本发明的第二实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。图2e是依照本发明的第二实施例的显示装置的部分制造过程的局部上视示意图。具体而言，图2b与图2c所示的剖面位置可以参考图1e与图1i所示的剖面位置；图2f可以为图2d中d-d’剖线的剖面示意图；图2g可以为图2e中e-e’剖线的剖面示意图，且为求简洁以清楚表示，于图2d与图2e中省略绘示了部分的模层。在此必须说明的是，图2a至图2g的实施例沿用图1a至图1o的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明，关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
请同时参照图2a至图2g，本实施例的显示装置200的制造过程与图1a至图1o的实施例的显示装置100的制造过程相似，两者的差异在于：支撑材料层220包括导电材质。详细而言，本实施例的显示装置200的制造方法可以如以下的内容所述。
首先，请参照图2a。提供基板10，其中基板10的表面10a上具有依序堆叠且全面性地覆盖于基板10的表面10a上的第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140、第一导电材料层130以及支撑材料层220。
在本实施例中，支撑材料层220为包括导电材质。在本实施例中，支撑材料层可以包括导电的分布式布拉格反射器，导电的分布式布拉格反射器的材质例如是铝、硅及/或二氧化硅的叠层，但本发明不限于此。在另一实施例中，支撑材料层220可以为金属，且具有可反射功能。
接着，请参照图2a至图2b。类似于图1a至图1e的步骤，可以藉由分离蚀刻制程以形成多个贯穿第二导电材料层170、第二半导体材料层160、发光材料层150、第一半导体材料层140、第一导电材料层130以及支撑材料层220的沟槽40’，以分别构成各个发光二极管晶粒210的第二导电层171、第二半导体层161、发光层151、第一半导体层141、第一导电层231以及支撑层221。
在本实施例中，由于发光二极管晶粒210的支撑层221包括导电材质，因此第一导电层231的面积可以等于第一半导体层141的面积，也就是说，支撑层221的面积可以大于第一半导体层141的面积或者支撑层221的面积可以大于第一导电层231的面积，但本发明不限于此。由于发光二极管晶粒210的支撑层221与第一导电层231都可以导电，因此在其他实施例中，第一导电层231的面积也可以等于支撑层221的面积。
接着，请参照图2b至图2c。首先，类似于图1e至图1i的步骤，在形成绝缘材料层180(如图1g所绘示)后，例如可以藉由蚀刻的方式将绝缘材料层180图案化，以形成多个图案化绝缘层281以及多个连接结构282。如图2c所示，各个图案化绝缘层281包括第一开口281a以及第二开口281b，其中第一开口281a暴露出各个发光二极管晶粒210中未被第一导电层231所覆盖的部分支撑层221，第二开口281b暴露出各个发光二极管晶粒210中的部分第二导电层171。
接着，请参照图2d与图2f。类似于图1j至图1k的步骤，以发光二极管晶粒210的支撑层221朝向阵列基板50的方式，将发光二极管晶210藉由黏着胶层60安装于阵列基板50上。
接着，请参照图2e与图2g。于阵列基板50上形成多个第一电极71与多个第二电极72。第一电极71电性连接至第一导电层231。第二电极72电性连接至第二导电层171。在本实施例中，各个第一电极71透过对应的图案化绝缘层281的第一开口281a电性连接至对应的发光二极管晶粒210的支撑层221，以电性连接至第一导电层231。第二电极72透过第二开口281b以电性连接第二导电层171。更详而言之，在本实施例中，第一导电层231藉由第一电极71和第一连接垫52电性连接至一共通电压源，以接收共通电压源所输出的共通电压(commonvoltage)；第二导电层171藉由第二电极72和第二连接垫52与主动元件51电性连接，以接收主动元件51所传递的对应电压，但本发明不限于此。
值得注意的是，由于发光二极管晶粒210的支撑层221可以导电，因此在图案化绝缘层281的配置上至少需覆盖于支撑层221的部分侧表面221b上，以使第二电极72与支撑层221可以藉由图案化绝缘层281而彼此分离。
经过上述制程后即可大致上完成本实施例的显示装置200的制作。本实施例的显示装置200与前述实施例的显示装置100类似，差别在于：支撑层221包括导电材质，且各发光二极管晶粒210的支撑层221的面积大于第一半导体层141的面积。在阵列基板50的垂直投影方向上，部分的支撑层221的上表面221a未被第一导电层231覆盖，且第一开口281a与部分的支撑层221的上表面221a对应设置，以使第一电极71可设置于第一开口281a中，而可直接与支撑层221接触且电性连接。
在本实施例中，支撑层221的厚度221h大于黏着胶层60的厚度60h，且支撑层221可以包括布拉格反射结构。如此一来，在显示装置200的制程中，可以避免黏着胶层60不会填入图案化绝缘层281的第一开口281a。并且，在显示装置200的应用上，可以藉由支撑层221的布拉格反射结构反射由发光材料层150所产生的光线，进而可增加光利用率，以提升显示装置200的出光效率。
综上所述，本发明是将用于构成发光二极管晶粒的第二半导体材料层、发光材料层、第一半导体材料层、第一导电材料层以及支撑材料层覆盖于基板上，不进行图案化的步骤，并将前述的模层转移至载板。由于前述的模层并未图案化，故在转移的过程并不会有偏移所造成的影响。然后，用于构成发光二极管晶粒的第二导电材料层再覆盖于载板上后，才将第二导电材料层、第二半导体材料层、发光材料层、第一半导体材料层、第一导电材料层以及支撑材料层图案化，以形成多个彼此分离的发光二极管晶粒，且在载板上的发光二极管晶粒是藉由连接结构连接至载板。然后，才将发光二极管晶粒转移至阵列基板以构成显示装置。因此，可以降低在制造过程中因为发光二极管晶粒的偏移所造成的影像，而可以提升显示装置的良率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。