本申请涉及封装领域，具体而言，涉及一种扇出型封装结构。
背景技术：
一个多世纪以来，无线通信技术成为现代最成功的技术之一，其通信数据量一直呈现指数增长。
如今，在一系列新兴领域，如增强现实(augmentedreality，简称ar)、虚拟现实(virtualreality，简称vr)、物联网(internetofthings，简称iot)、车联网(internetofvehicles，简称iov)以及工业自动化等的驱动下，这一数据量增长趋势仍将持续。
然而，随着无线通信技术的高速发展，在低频段可用的频谱资源即将耗尽。因此，要实现高速、宽带无线通信，在微波波段以上开发新的频谱资源成为必然趋势。毫米波(通常指30ghz～300ghz频段的电磁波)由于其短波长、宽频谱、窄波束、高分辨率和强抗干扰能力等优点，在短距离通信中有着广泛的应用前景。在5g通信试验阶段，全球移动通信系统协会(globalsystemformobilecommunicationsassembly,gsma)发布中国、美国、日本等国均划分了毫米波波段。
但是，毫米波应用的一个潜在难点是射频前端和天线间的传输损耗问题变得不可忽略。在未来的毫米波通信应用，为了有效对抗射频收发机与天线之间的路径损耗，天线级封装成为很好的解决方案。
天线级封装(antennainpackage，简称aip)技术是通过封装材料与工艺将天线集成在芯片的封装内，该技术很好地兼顾了天线性能、成本及体积，已经被广泛应用于无线通信、手势雷达、车载雷达以及相控阵等领域中。
现存的天线阵列与射频模块的集成基底包括印刷电路板基底、低温共烧陶瓷基底、薄膜基底，其中，薄膜基底中又包括有转接板和去转接板这两种形式，pcb基底和ltcc基底的制造精度低，集成度低、且高频介质损耗大，thinfilm基底中带有转接板的封装形式虽然加工精度较高，但需要在转接板(厚度约300um-400um)上加工硅通孔/玻璃通孔实现互连，通孔互连结构的不连续性易造成阻抗失配，而且硅材料高频介电损耗很大，同时也增加了加工成本；相反，避免使用转接板的扇出型封装方式可实现晶圆级封装，成为当今研究热点之一，其基底材料为聚酰亚胺(polyimide，简称pi)，虽然聚酰亚胺材料也有一定的损耗，但两金属层之间的介质层在8.8um-15.5um左右，金属线宽约15um，大大缩短了传输路径，减小了损耗，提高了集成度。
现存的扇出型集成天线与射频模块的封装结构有多种，其中的一种是：如图1所示，将包括多个贴片天线500的贴片天线阵列设在塑封胶层400上，天线的反射平面200集成在再布线层100中，这种天线集成结构存在几个不足：1)塑封胶材料介电损耗较大，会降低天线的增益；2)射频芯片300位于贴片天线阵列的基底中，使得贴片天线阵列与射频芯片300之间的电磁干扰严重。
另外的一种是：天线贴片集成在再布线层中，在封装体下方的pcb板上制作金属反射平面，且天线与射频模块间无电磁屏蔽结构，这种方法存在几个不足：1)天线基底的厚度(贴片天线和金属反射平面之间的宽度)受限于封装体焊球的高度，致使天线的频带宽度受限；2)天线基底的厚度受多个不可控因素的影响，如焊球的塌陷程度、回流条件及封装体的重量等，由此造成天线性能难以控制；3)天线辐射的电磁波经过塑封料会造成较大的损耗，降低整个射频模块的辐射效率，为了降低塑封胶损耗，需要在天线顶端的塑封胶中挖空腔，这样会大大增加工艺复杂性和难度；4)为了实现天线与射频芯片之间良好的电磁屏蔽，天线阵列与射频芯片之间的距离较大，从而增大了封装体的面积。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现要素：
本申请的主要目的在于提供一种扇出型封装结构，以解决现有技术中的天线基底的厚度受限于封装体焊球的高度，导致天线的频带宽度受限的问题。
为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种扇出型封装结构，该扇出型封装结构包括：线路板；至少两个电接触结构，设置在上述线路板的表面上；再布线层，设置在上述电接触结构的远离上述线路板的表面上，上述再布线层通过上述电接触结构与上述线路板电连接；微带天线，设置在上述再布线层内或者设置在上述再布线层的表面上；天线馈线，设置在上述再布线层内或者设置在上述再布线层的表面上，且上述天线馈线与上述微带天线电连接；天线反射平面，设置在上述线路板的靠近上述再布线层的表面上或者设置在上述再布线层的靠近上述线路板的表面上，且上述微带天线和上述天线反射平面隔离设置，上述天线反射平面为人工磁导体结构；介质层，设置在上述再布线层的远离上述线路板的表面上；射频芯片，设置在上述介质层中，且上述射频芯片的有源面与上述再布线层电连接，上述射频芯片通过上述再布线层与上述微带天线电连接。
进一步地，上述微带天线设置在上述再布线层的靠近上述线路板的表面上，上述天线反射平面设置在上述线路板的靠近上述再布线层的表面上。
进一步地，上述扇出型封装结构还包括：部分反射表面结构，设置在上述介质层的远离上述再布线层的表面上。
进一步地，上述扇出型封装结构还包括：第一接地孔，位于上述介质层和上述再布线层中，且上述射频芯片和上述微带天线位于上述第一接地孔的两侧，优选上述第一接地孔有多个，且任意相邻的两个上述第一接地孔之间的距离为工作频率下电磁波在上述介质层中传输时的波长的0.09～0.11倍；进一步优选上述第一接地孔包括第一孔本体和第一填充金属层，上述第一填充金属层位于上述第一孔本体的底壁以及侧壁上。
进一步地，其中的部分上述电接触结构为接地电接触结构，优选任意两个上述接地电接触结构之间的距离为工作频率下电磁波在自由空间中传输时的波长的0.09～0.11倍。
进一步地，上述扇出型封装结构还包括：接地镀通孔，位于上述线路板中，优选上述接地镀通孔有多个，且任意相邻两个上述接地镀通孔之间距离为工作频率下电磁波在上述线路板中传输时的波长的0.09～0.11倍，更进一步优选上述接地镀通孔包括第二孔本体和第二填充金属层，上述第二填充金属层位于上述第二孔本体的底壁以及侧壁上。
进一步地，上述电接触结构包括刚性核以及导电壳，上述导电壳包裹在上述刚性核的外表面。
进一步地，部分的上述电接触结构为支撑电接触结构。
进一步地，上述扇出型封装结构还包括：背金层，设置在上述介质层内且位于上述射频芯片的远离上述再布线层的表面上。
进一步地，上述扇出型封装结构还包括：第二接地孔，位于上述介质层中且设置在上述射频芯片的远离上述再布线层的表面上，优选上述第二接地孔有多个，进一步优选上述第二接地孔包括第三孔本体和第三填充金属层，上述第三填充金属层位于上述第三孔本体的底壁以及侧壁上。
进一步地，上述扇出型封装结构还包括：金属接地层，设置在上述介质层的远离上述再布线层的表面上且与上述部分反射表面结构间隔设置，且上述金属接地层与上述第二接地孔电连接。
进一步地，上述扇出型封装结构还包括：保护层，设置在上述介质层的裸露表面上、上述部分反射表面结构的裸露表面上以及上述金属接地层的裸露表面上。
进一步地，上述再布线层包括本体层和设置在上述本体层中的金属互连结构，上述微带天线和与上述天线馈线，且上述金属互连结构与上述微带天线电连接。
进一步地，上述本体层为聚酰亚胺层，上述金属互连结构为铜互连结构，进一步优选上述铜互连结构包括多个电连接的铜层，且各上述铜层的厚度在5～6μm之间，上述铜互连结构的线宽在14～16μm之间。
进一步地，上述再布线层还包括捕捉焊盘，上述捕捉焊盘位于上述本体层中，上述捕捉焊盘与上述第一接地孔电连接。
进一步地，上述线路板为pcb基板，优选上述介质层为塑封胶层，进一步优选上述塑封胶层的厚度在600～1500μm之间。
应用本申请的技术方案，上述的扇出型封装结构中，采用人工磁导体作为天线反射平面，相比于完整金属导体作为反射平面时，在相同的天线基底厚度的前提下，能够获得更宽的频带宽度。解决了因封装体焊球高度对天线基底厚度限制导致的带宽降低问题。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1示出了现有技术中的一种封装结构；
图2示出了根据本申请的扇出型封装结构的实施例的结构示意图；
图3示出了本申请的一种电接触结构的结构示意图；以及
图4至图11示出了图2的扇出型封装结构的制作过程中的结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
100、再布线层；200、反射平面；300、射频芯片；400、塑封胶层；500、贴片天线；
10、线路板；20、电接触结构；30、再布线层；40、微带天线；50、天线馈线；60、天线反射平面；70、介质层；80、射频芯片；90、部分反射表面结构；91、预金属层；100、第一接地孔；101、第一孔本体；102、第一填充金属层；110、接地镀通孔；21、支撑电接触结构；22、接地电接触结构；23、刚性核；24、导电壳；31、本体层；32、金属互连结构；33、捕捉焊盘；120、背金层；130、第二接地孔；131、第三孔本体；132、第三填充金属层；140、金属接地层；150、保护层；01、临时载板；02、临时保护层。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
正如背景技术所介绍的，现有技术中，大部分的封装结构中，天线基底的厚度受限于封装体焊球的高度，导致天线的频带宽度受限，为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种扇出型封装结构。
本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种扇出型封装结构，该扇出型封装结构包括线路板、至少两个电接触结构、再布线层、至少一个微带天线、至少一个天线馈线、至少一个天线反射平面、介质层和至少一个射频芯片。
其中，各电接触结构20设置在上述线路板10的表面上；再布线层30设置在上述电接触结构20的远离上述线路板10的表面上，上述再布线层30通过上述电接触结构20与上述线路板10电连接；微带天线40设置在上述再布线层30内或者设置在上述再布线层30的表面上；天线馈线50设置在上述再布线层30内或者设置在上述再布线层30的表面上，且上述天线馈线50与上述微带天线40电连接；天线反射平面60设置在上述线路板10的靠近上述再布线层30的表面上或者设置在上述再布线层30的靠近上述线路板10的表面上，且上述微带天线40和上述天线反射平面60隔离设置，上述天线反射平面60为人工磁导体结构；介质层70设置在上述再布线层30的远离上述线路板10的表面上；射频芯片80设置在上述介质层70中，且上述射频芯片80的有源面与上述再布线层电连接，上述射频芯片80通过上述再布线层30与上述微带天线40电连接。
上述的扇出型封装结构中，采用人工磁导体作为天线反射平面，相比于完整金属导体作为反射平面时，在相同的天线基底厚度的前提下，能够获得更宽的频带宽度。解决了因封装体焊球高度对天线基底厚度限制导致的带宽降低问题。
由于上述的微带天线的设置位置有多种，天线馈线的设置位置有多种，天线反射平面的设置位置有多种，所以，上述的封装结构有多种情况：第一种情况，微带天线设置在再布线层内，天线反射平面设置在线路板的靠近再布线层的表面上，天线馈线设置可以设置在再布线层内，如图2所示，也可以设置在再布线层的远离线路板的表面上，或者设置在再布线层的靠近线路板的表面上；第二种情况，微带天线设置在再布线层内，天线反射平面设置在再布线层的靠近线路板的表面上，天线馈线设置可以设置在再布线层内，也可以设置在再布线层的远离线路板的表面上，或者设置在再布线层的靠近线路板的表面上；第三种情况，微带天线设置在再布线层的远离线路板的表面上，天线反射平面设置在线路板的靠近再布线层的表面上，天线馈线设置可以设置在再布线层内，也可以设置在再布线层的远离线路板的表面上，或者设置在再布线层的靠近线路板的表面上；第四种情况，微带天线设置在再布线层的远离线路板的表面上，天线反射平面设置在再布线层的靠近线路板的表面上，天线馈线设置可以设置在再布线层内，也可以设置在再布线层的远离线路板的表面上，或者设置在再布线层的靠近线路板的表面上；第五种情况，微带天线设置在再布线层的靠近线路板的表面上，天线反射平面设置在线路板的靠近再布线层的表面上，天线馈线设置可以设置在再布线层内，也可以设置在再布线层的远离线路板的表面上，或者设置在再布线层的靠近线路板的表面上；第六种情况，微带天线设置在再布线层的靠近线路板的表面上，天线反射平面设置在再布线层的靠近线路板的表面上，天线馈线设置可以设置在再布线层内，也可以设置在再布线层的远离线路板的表面上，或者设置在再布线层的靠近线路板的表面上。
上述的每一种情况中，实际上由于天线馈线的位置的不同，又包括多种具体的结构，此处就不再详细列出了。
需要说明的是，没有特殊说明的情况下，本申请中的“天线的基底”实际上就是指微带天线和天线反射平面之间的介质。
本申请的一种优选的实施例中，上述微带天线40设置在上述再布线层30的靠近上述线路板10的表面上，上述天线反射平面60设置在上述线路板10的靠近上述再布线层30的表面上。这样能够在电接触结构决定的较小的天线的基底厚度下，进一步增加频带宽度。
本申请的一种实施例中，如图2所示，上述扇出型封装结构还包括部分反射表面(partiallyreflectivesurfac，简称prs)结构90，部分反射表面结构90设置在上述介质层70的远离上述再布线层的表面上，进而可补偿介质层70带来的辐射损耗，增加天线的增益和辐射效率。
本申请的另一种实施例中，如图2所示，上述扇出型封装结构还包括第一接地孔，第一接地孔100位于上述介质层70和上述再布线层30中，且上述射频芯片80和上述微带天线40位于上述第一接地孔100的两侧，通过第一接地孔可以在射频芯片和微带天线之间形成很好的电磁屏蔽，进而可以进一步提升集成度。
一种具体的实施例中，上述第一接地孔100有多个，且任意相邻的两个上述第一接地孔100之间的距离为工作频率下电磁波在上述介质层70中传输时的波长的0.09～0.11倍，令工作频率下电磁波在上述介质层70中传输时的波长为第一波长，则任意相邻的两个上述第一接地孔100之间的距离为第一波长的0.09～0.11倍，这样可以更好地屏蔽射频芯片和微带天线之间的电磁干扰。
本申请的再一种实施例中，上述第一接地孔100包括第一孔本体101和第一填充金属层102，上述第一填充金层属位于上述第一孔本体101的底壁以及侧壁上。这里的第一填充金属层可以填满第一孔本体，也可以不填满第一孔本体，只要能够覆盖第一孔本体的底壁和侧壁即可。
如图2所示，本申请的一种实施例中，其中的部分上述电接触结构20为接地电接触结构22，接地电接触结构22能很好地屏蔽微带天线和其他电接触结构以及再布线层中的互连结构及射频芯片。
本申请的一种具体的实施例中，上述电接触结构20按照其主要功能的不同，可以分为三种，一种的作用主要为电信号连接(如图2中标为20的电接触结构以及与其相邻紧邻的电接触结构)；另一种的主要作用为机械支撑，即支撑电接触结构21；最后一种的主要作用为电磁屏蔽，即接地电接触结构22。
本申请的又一种实施例中，任意两个上述接地电接触结构22之间的距离为工作频率下的电磁波在自由空间中传输时的波长的0.09～0.11倍，如果令工作频率下的电磁波在自由空间中传输时的波长为第二波长，则任意两个上述接地电接触结构22之间的距离为第二波长的0.09～0.11倍，这样可以更好地屏蔽微带天线与射频芯片及其互连结构之间的电磁干扰。
为了进一步减小天线与射频芯片、电接触结构及线路板上其他信号线之间的电磁干扰，本申请的一种实施例中，如图2所示，上述扇出型封装结构还包括接地镀通孔110，接地镀通孔110位于上述线路板10中。
本申请的另一种实施例中，上述接地镀通孔110有多个，且任意相邻两个上述接地镀通孔110之间距离为工作频率下的电磁波在上述线路板10中传输时的波长的0.09～0.11倍，如果令工作频率下的电磁波在线路板中传输时的波长为第三波长，则任意相邻两个上述接地镀通孔110之间距离为第三波长的0.09～0.11倍，这样可以进一步减小天线与射频芯片、电接触结构及线路板上其他信号线之间的电磁干扰。
上述接地镀通孔110包括第二孔本体和第二填充金属层，上述第二填充金层属位于上述第二孔本体的底壁以及侧壁上。这里的第二填充金属层可以填满第二孔本体，也可以不填满第二孔本体，只要能够覆盖第二孔本体的底壁和侧壁即可。
如图3所示，本申请的一种实施例中，上述电接触结构20包括刚性核23以及导电壳24，上述导电壳24包裹在上述刚性核23的外表面。这样进一步保证了电接触结构的高度稳定性，避免其发生严重的形变而导致天线的基底不可控的问题。
上述的刚性核就是指较坚硬的核，其可以增强整个电接触结构的刚性，保证整个电接触结构不会发生较严重的形变。该刚性核至少为比导电壳更耐高温，即在高温下更不容易发生变形。
本申请的刚性核可以导电，也可以不导电，本领域技术人员可以根据实际情况设置合适材料的刚性核。比如可以设置非导电介质二氧化硅或导电介质铜材料等。
为了进一步保证整个封装结构的稳定性，本申请的一种实施例中，如图2所示，部分的上述电接触结构20为支撑电接触结构21。
本申请的再一种实施例中，如图2所示，上述扇出型封装结构还包括背金层120，背金层120设置在上述介质层70内且位于上述射频芯片80的远离上述再布线层30的表面上。背金层不仅可以接地起到较好的屏蔽作用，还可以起到较好的散热作用。
需要说明的是，本申请的射频芯片可以是间隔设置的多个，这种情况时，不一定每个射频芯片上都设置有背金层，本领域技术人员可以根据实际情况在全部的射频芯片上设置背金层，或者在部分的射频芯片上设置背金层。
为了进一步保证射频芯片与其他的结构之间形成良好的电磁屏蔽，本申请的一种实施例中，如图2所示，上述扇出型封装结构还包括第二接地孔130，位于上述介质层70中且设置在上述射频芯片80的远离上述再布线层的表面上。
本申请的一种实施例中，优选第二接地孔130有多个，这样一方面进一步保证射频芯片接地，另一方面将射频芯片散发的热传导到金属接地层140上，从而起到很好的散热作用。
具体地，上述第二接地孔130包括第三孔本体131和第三填充金属层132，上述第三填充金层属位于上述第三孔本体131的底壁以及侧壁上。同样地，这里的第三填充金属层可以填满第三孔本体，也可以不填满第三孔本体，只要能够覆盖第三孔本体的底壁和侧壁即可。
为了使得第二接地孔更方便地接地，本申请的一种实施例中，如图2所示，上述扇出型封装结构还包括金属接地层140，金属接地层140设置在上述介质层70的远离上述再布线层的表面上且与上述部分反射表面结构90间隔设置，且上述金属接地层140与上述第二接地孔130电连接。
本申请的再一种实施例中，如图2所示，上述扇出型封装结构还包括保护层150，设置在上述介质层70的裸露表面上、上述部分反射表面结构90的裸露表面上以及上述金属接地层140的裸露表面上。
一种具体的实施例中，如图2所示，上述再布线层30包括本体层31和设置在上述本体层31中的金属互连结构32，上述微带天线40和与上述天线馈线50设置在上述本体层31中，且上述金属互连结构32与上述微带天线40以及与上述天线馈线50隔离设置。
本申请的一种实施例中，上述本体层31为聚酰亚胺层，上述金属互连结构32为铜互连结构。
当然，本申请的本体层并不限于上述的具体材料，还可以是其他材料，例如硅酮或环氧树脂等介质材料，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料形成本体层。
本申请的另一种实施例中，上述金属互连结构32包括多个电连接的铜层，且上述各铜层的厚度在5～6μm之间，上述金属互连结构32的线宽在14～16μm之间，这样可以较好地实现电互连作用，且保证工艺的可实现性。
为了方便第一接地孔的制作，本申请的一种实施例中，如图2所示，上述再布线层30还包括捕捉焊盘33，上述捕捉焊盘33位于上述本体层31中，上述捕捉焊盘33与上述第一接地孔100电连接。
一种具体的实施例中，上述线路板10为pcb基板，优选上述介质层70为塑封胶层。
为了进一步保证形成稳定的封装体，并且同时尽量减小介质层中的损耗，且保证工艺的可实现性，上述塑封胶层的厚度在600～1500μm之间。
当然本申请的线路板并不限于上述的测试板，即pcb板，还可以是另一个封装体的基板，具体可以是玻璃基板、二氧化硅基板、塑封胶基板、硅基板或有机基板等等。本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的基板作为此处的线路板。
上述的介质层也并不限于塑封胶层，还可以是二氧化硅、硅或有机材料等介质层。本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料形成本申请的介质层。
本申请的一种具体的实施例中，上述的电接触结构为焊球。当然，本申请的电接触结构并不限于焊球，还可以是其他的电接触结构。
本申请的再布线层可以是一层结构，也可以是多个结构层堆叠形成的多层结构。
本申请的上述扇出型封装结构可以通过合适的制作方法形成，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的制作方法形成上述的扇出型封装结构。
本申请的一种实施例中，上述图2的扇出型封装结构可以通过以下的步骤形成：
在临时载板01上倒置一个或多个射频芯片80，该射频芯片80的背面设置有背金层120，之后，在临时载板01的裸露表面上、背金层120的裸露表面上以及射频芯片80的裸露表面上涂覆一层厚度为800μm的塑封胶，形成介质层70，如图4所示；
通过去键合工艺去除临时载板01，形成图5所示的结构；
在射频芯片80的有源面上制作至少一层再布线层，再布线层包括聚酰亚胺形成的本体层31、铜材质的互连结构、微带天线40、微带天线40的天线馈线50以及用于激光打孔的捕捉焊盘33，铜材质的互连结构、微带天线40、微带天线40的天线馈线50以及用于激光打孔的捕捉焊盘33均位于本体层内，如图6所示；
如图7所示，首先在再布线层30的表面覆盖一个临时保护层02，之后，从介质层70的表面，通过激光打孔工艺打第一孔本体101和第三孔本体131，其中，第一孔本体101停止于预留的捕捉焊盘33的表面，第三孔本体131停止于背金层120的表面，第一孔本体101之间的距离约为0.1倍的第一波长；
在上述第一孔本体和介质层70的表面依次通过化镀、电镀的方法制作第一填充金属层102、第三填充金属层132和预金属层91，各金属层的厚度约为10～30μm，其中，为了简化工艺复杂性，第一孔本体和第三孔本体可以不填满金属，形成图8所示的结构；
在预金属层91上表面贴一层干膜，利用光刻对干膜进行图形化，之后通过湿法刻蚀或者喷淋的方式对预金属层91图形化，分别形成金属接地层140和周期性排布的部分反射表面结构90，之后剥离干膜，最后在图形化的预金属层上覆盖一层保护层150，形成图9所示的结构；
去掉临时保护层02，通过热回流的方法在再布线层30的表面上植焊球，即电接触结构，焊球包括功能焊球、接地焊球和支撑焊球，对应功能电接触结构、接地电接触结构22和支撑电接触结构21，其中相邻接地焊球之间的距离为0.1倍的第二波长。如图3所示，各焊球包括刚性核23和导电壳24，形成图10所示的结构；
制作pcb板，即对应线路板10，如图11所示，pcb板中包括一排接地镀通孔110和呈周期性排布的人工磁导体结构，接地镀通孔110之间的距离约为0.1倍的第三波长，其中，人工磁导体结构为天线反射平面60；
将图10所示的封装体装配在图11的pcb板上，完成整个封装结构的制作，形成图2所示的结构。
该结构采用人工磁导体作为天线反射平面，且在微带天线上方的介质层的表面设置有部分反射表面，这样可以在较低的天线基底厚度下实现天线的大频带宽度和高增益；并且，该结构中在介质层和再布线层中设置有多个接地孔，在再布线层下方设置了多个接地焊球，在线路板中设置了多个接地镀通孔，使得微带天线与射频芯片、部分电接触结构、金属互连结构及线路板板上的信号线之间形成良好的电磁屏蔽。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：
本申请的扇出型封装结构中，采用人工磁导体作为天线反射平面，相比于完整金属导体作为反射平面时，在相同的天线基底厚度的前提下，能够过得更宽的频带宽度。解决了因封装体焊球高度对天线基底厚度限制导致的带宽降低问题。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。