磊晶晶圆以及其制造方法与流程

本发明涉及一种磊晶晶圆以及其制造方法，具体而言，涉及发光二极管(以下称“led”)用的半导体磊晶晶圆以及其制造方法。

背景技术：

化合物半导体大多作为光半导体组件材料使用。而且作为这种半导体材料，使用于单晶基板上经磊晶成长出所期望的半导体结晶层。这是因为以目前能够取得的材料作为基板而使用的结晶，缺陷多且纯度也低，很难直接作为发光组件使用。所以才会在基板上磊晶成长出用以得到所期望的发光波长的组成的层。另外，此磊晶成长层中主要使用三元混晶层。再者，磊晶成长中，通常使用气相成长或液相成长法。气相成长法是通过于石英制的反应器内配置石墨制或石英制的支架而将基板加以支承，然后流入原料气体并加热的方式进行磊晶成长。

由于ⅲ-ⅴ族化合物半导体具有相当于可见光、红外线的波长的能隙，因此朝向发光组件的应用发展。其中特别以gaasp、gap广泛用于led材料。

此处举gaas1-xpx为例进行说明，通过掺杂氮(n)而将gaas1-xpx(0.45<x<1)作为捕捉传导电子的等电子陷阱的情况下，能够使作为led的光输出提升10倍左右。因此，通常会对gap基板上成长的gaas1-xpx(0.45<x<1)加以掺杂氮。

如此的gaas1-xpx层，一般是透过气相成长法使其成长。此气相成长法是将原料气体流入反应器中，使n型的gap基板上成长出n型磊晶层。此时为了避免因基板与磊晶层的晶格常数的不同而发生晶格应变的情形，将使组成阶段性变化的组成变化gaasp层设置为中间层，接着使固定组成的gaasp层、作为等电子陷阱而掺杂氮(n)的固定组成的氮掺杂n型gaasp层为6μm左右的厚度，然后使固定组成的氮掺杂p型gaasp层为5μm左右的厚度加以依序形成。

近年来对于更高亮度、长寿命的led要求日益迫切。由于pn接面部界面处的掺杂剂的种类及浓度各异以及失配差排等的缺陷容易发生之故，使得这种缺陷已成为将晶圆作为led时损失发光亮度的主要原因，再者也会造成发光亮度随着时间流逝而降低。为了解决这个问题，例如专利文献1中，将p型层以平均载子浓度0.05～2.2×10¹⁸cm^-3的第一p型层以及平均载子浓度0.5～4.5×10¹⁸cm^-3且为第一p型层的平均载子浓度2倍以上的第二p型层构成。根据此专利文献1的实施例记载，室温中以电流密度240a/cm²通电168小时后的光输出的残存率为87％。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2001-36136号公报

技术实现要素：

[发明所欲解决的问题]

仅就发光亮度而言，仍未能充分阐释，因此人们进一步追求发光亮度的提升。有鉴于上述问题点，本发明的目的是提供一种相较于以往的磊晶晶圆，使发光亮度为之提升的磊晶晶圆的制造方法以及磊晶晶圆。

[解决问题的技术手段]

为达成上述目的，本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，透过磊晶成长，于基板上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层，于该n型磊晶层上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层是由含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层所形成，该n型磊晶层的形成具有形成第一n型层的步骤，该形成第一n型层的步骤为形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层，该p型磊晶层的形成具有形成第一p型层的步骤以及形成第二p型层的步骤，该形成第一p型层的步骤为于该第一n型层上形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层，该形成第二p型层的步骤为于该第一p型层的上方形成该化合物半导体的组成为固定且不含氮且较该第一p型层的载子浓度为高的第二p型层，该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。

如此使第一n型层的厚度较其上方的第一p型层的厚度为薄，便能比较容易地制造出相较于以往的磊晶晶圆，使发光亮度为之提升的磊晶晶圆。

再者，此时该第一n型层的厚度为2～6μm，该第一p型层的厚度为10～30μm为佳。

若第一n型层及第一p型层各自为这样的厚度，便能制造发光亮度更确实提升的磊晶晶圆。

另外，本发明提供一种磊晶晶圆，具有基板、于该基板上形成的n型磊晶层以及于该n型磊晶层上形成的p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层为含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层，该n型磊晶层具有第一n型层，该第一n型层为该化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮，该p型磊晶层是具有第一p型层以及第二p型层，该第一p型层为于该第一n型层上形成且该化合物半导体的组成为固定又含有固定浓度的氮，该第二p型层为于该第一p型层的上方形成且该化合物半导体的组成为固定又不含氮并较该第一p型层的载子浓度为高，该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。

若为这样的第一n型层的厚度较其上方的第一p型层的厚度为薄的磊晶晶圆，便能成为相较于以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升的磊晶晶圆。

再者，此时该第一n型层的厚度为2～6μm，该第一p型层的厚度为10～30μm为佳。

若第一n型层及第一p型层各自为这样的厚度，便能更确实地提升磊晶晶圆的发光亮度。

[对照现有技术的功效]

如上所述，若为本发明的磊晶晶圆，在使第一n型层的厚度较其上方的第一p型层的厚度为薄的情况下，相较于以往的磊晶晶圆，可做出例如发光亮度提升10％左右的磊晶晶圆。另外，若为本发明之制造方法，便能比较容易地制造出这样的磊晶晶圆。因此，如本发明的磊晶晶圆以及其制造方法，特别适合用来作为高亮度的led用的半导体磊晶晶圆以及其制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的磊晶晶圆的一范例的截面概略图。

图2是表示能够使用本发明的磊晶晶圆的制造方法的气相成长装置的一范例的概略图。

图3是表示由实施例1～4以及比较例的磊晶晶圆所制造的发光组件的发光亮度比较图。

具体实施方式

gaasp的led原本是通过p型层扩散而形成。虽然p型层的厚度依扩散时间而定，但就算形成数μm的厚度也要耗费数十小时，所以希望借此方法得到厚的p型层，实际上有难度。再者，即使形成pn接面的方法已逐渐由扩散方式改为磊晶成长方式，却因以往的构造(换言之，薄的p型层)也能够得到与扩散品同样等级的发光亮度，故迄今为止并未对形成厚的p型层进行探讨。然而近年来如上所述，吾人依然追求更胜以往的磊晶晶圆的发光亮度，以及能够实现此一目标的磊晶晶圆或其制造方法的开发。

本发明人等针对上述课题进行积极研究，结果找出使化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮的n型磊晶层(第一n型层)的厚度，较其上方的化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮的p型磊晶层(第一p型层)的厚度为薄，便能得到相较于以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升的磊晶晶圆，进而完成本发明。

换言之，本发明为一种磊晶晶圆的制造方法，透过磊晶成长，于基板上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层，于该n型磊晶层上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入形成p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层是由含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层所形成，该n型磊晶层的形成具有形成第一n型层的步骤，该形成第一n型层的步骤为形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层，该p型磊晶层的形成具有形成第一p型层的步骤以及形成第二p型层的步骤，该形成第一p型层的步骤为于该第一n型层上形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层，该形成第二p型层的步骤为于该第一p型层的上方形成该化合物半导体的组成为固定且不含氮且较该第一p型层的载子浓度为高的第二p型层，该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。

有关通过本发明而提升发光亮度的原因，可列出以下几点。由于gaasp的led构造为单纯的pn接面，一般认为透过移动速度快的电子自n型磊晶层侧流入p型磊晶层侧而主要发光于p型磊晶层内。所以氮掺杂p型磊晶层(第一p型层)越厚发光区域越广，发光亮度自然提升。相对地，虽然n型磊晶层作为电子的供给来源而有其必要，但相较于发光区域，反而更容易作用为光的再吸收区域。因此使第一n型层为薄，便能够抑制光的再吸收，最终提升发光亮度。

以下针对本发明而参考图式进行详细说明，然而本发明并不限于此。

＜磊晶晶圆＞

本发明提供一种磊晶晶圆，具有基板、于该基板上形成的n型磊晶层以及于该n型磊晶层上形成的p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层为含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层，该n型磊晶层系具有第一n型层，该第一n型层系为该化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮，该p型磊晶层具有第一p型层以及第二p型层，该第一p型层为于该第一n型层上形成且该化合物半导体的组成为固定又含有固定浓度的氮，该第二p型层为于该第一p型层的上方形成且该化合物半导体的组成为固定又不含氮并较该第一p型层的载子浓度为高，该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。

图1表示本发明之磊晶晶圆的一范例的截面概略图。图1的磊晶晶圆1具有基板2、于基板2上形成的n型磊晶层3以及于n型磊晶层3上形成的p型磊晶层4。n型磊晶层3及p型磊晶层4为含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层。n型磊晶层3具有化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮的第一n型层3e。p型磊晶层4具有于第一n型层3e上形成且化合物半导体的组成为固定又含有固定浓度的氮的第一p型层4a以及于第一p型层4a的上方形成且化合物半导体的组成为固定又不含氮并较第一p型层4a的载子浓度为高的第二p型层4e。再者，本发明中，第一n型层3e的厚度较第一p型层4a的厚度为薄。

另外，图1的磊晶晶圆1之中，n型磊晶层3自基板2侧(换言之，最下层)依序具有缓冲层3a、组成变化层(混晶率变化层)3b、n不含有层3c、n增加层3d以及第一n型层3e。再者，p型磊晶层4自第一n型层3e侧(换言之，最下层)依序具有第一p型层4a、n减少层4b、n不含有层4c、载子增加层4d以及第二p型层4e。

以下针对基板以及各层，自基板侧依序说明。

〔基板〕

用于本发明的磊晶晶圆的基板，通常只要是用于led的磊晶基板的单晶基板的同等品即可，例如自gap形成的n型单晶基板等。

[n型磊晶层]

本发明的磊晶晶圆具有于基板上形成的n型磊晶层。n型磊晶层为含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层，至少具有化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮的第一n型层。n型掺杂剂并无特别限制，例如可为硫磺(s)等。(缓冲层)

n型磊晶层亦可在最下层具有缓冲层。缓冲层并无特别限制，只要与基板(单晶基板)同一结晶构成即可。也就是说，基板为由gap构成的n型单晶基板时，缓冲层只要由gap构成即可。虽然不一定要包含缓冲层，但若具有缓冲层，则能抑制失配差排的发生而得到稳定的高亮度，因此偏好加入。

(组成变化层(混晶率变化层))

n型磊晶层亦可于上述基板(或缓冲层)上方具有组成变化层(混晶率变化层)。组成变化层为依照自基板的距离而改变化合物半导体的组成的层。具体而言，组合变化层可为例如n型的gaas1-xpx(0.45<x<1)层，距离基板越远混晶率x便自1开始下降的方式构成。其混晶率x使之变化于0.45<x<1之间为佳。后叙的n不含有层、n增加层以及第一n型层属于化合物半导体的组成为固定的层(以下亦称“组成固定层”)，组成固定层与基板的晶格常数差异为大。此时，于基板与组成固定层之间形成组成变化层，可缓和自基板至组成固定层的晶格常数的变化，得到结晶缺陷更少的组成固定层。

(n不含有层、n增加层)

n型磊晶层亦可具有不含氮的n不含有层以及于其上方的氮浓度渐渐增加的n增加层。这些层由例如gaas1-x0px0所构成，其组成(混晶率x0)为固定的层(换言之，组成固定层)。混晶率x0以0.45<x0<1为佳，择以led的发光波长所对应之值。

(第一n型层)

n型磊晶层于最上层(换言之，与p型磊晶层之间的接合面)处具有第一n型层。第一n型层为化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮的层。本发明的磊晶晶圆中，使此第一n型层的厚度较后叙的第一p型层的厚度为薄，而相较于以往的磊晶晶圆，能够让发光亮度为之提升。第一n型层的厚度以2～6μm为佳，以2～4μm较佳。另外，第一n型层的氮浓度虽无特别限制，例如以0.8×10¹⁸～8×10¹⁸atoms/cm³为佳。

另外，上述的n增加层、第一n型层以及后叙的第一p型层、n减少层，属于作为等电子陷阱而掺杂氮(n)的层。将氮掺杂于具有间接能隙的gaasp，可使led的光输出为之提升。

[p型磊晶层]

本发明的磊晶晶圆，具有于n型磊晶层上形成的p型磊晶层。p型磊晶层为含有选自gaasp以及gap的化合物半导体的层，至少具有于第一n型层上形成且该化合物半导体的组成为固定又含有固定浓度的氮的第一p型层以及于第一p型层的上方形成且该化合物半导体的组成为固定又不含氮并较第一p型层的载子浓度为高的第二p型层。p型掺杂剂并无特别限制，例如可为锌(zn)等。

(第一p型层)

p型磊晶层于最下层(换言之，与n型磊晶层之间的接合面)具有第一p型层。第一p型层为于上述的第一n型层上形成且化合物半导体的组成为固定且含有固定浓度的氮的层。本发明的磊晶晶圆中，使此第一p型层的厚度较上述的第一n型层的厚度为厚(换言之，使上述的第一n型层的厚度较此第一p型层的厚度为薄)，而相较于以往的磊晶晶圆，能够让发光亮度为之提升。第一p型层的厚度以10～30μm为佳，以10～25μm较佳，以15～25μm尤佳。第一p型层载子浓度并无特别限制，例如可为0.5～3.0×10¹⁷cm^-3。另外，第一p型层的氮浓度并无特别限制，例如以0.8×10¹⁸～8×10¹⁸atoms/cm³为佳。

(n减少层、n不含有层、载子增加层)

p型磊晶层亦可具有于上述的第一p型层上氮浓度渐渐减少的n减少层、于其上方不含氮的n不含有层以及于其上方p型掺杂剂(zn)浓度增加的载子增加层。另外，这些层也是由例如gaas1-x0px0所构成的组成固定层。

(第二p型层)

p型磊晶层于上述的第一p型层的上方(例如上述的载子增加层上)具有第二p型层。第二p型层为化合物半导体的组成为固定且不含氮又较第一p型层载子浓度为高的层。第二p型层的载子浓度只要比第一p型层高，其他并无特别限制，例如第一p型层的2倍以上为佳。

如以上所述，若为本发明的磊晶晶圆，使第一n型层的厚度较于其上方的第一p型层的厚度为薄，便能成为相较于以往的磊晶晶圆，发光亮度提升例如10％左右的磊晶晶圆。因此，若为本发明的磊晶晶圆，将特别适合作为led用的半导体磊晶晶圆。

＜磊晶晶圆的制造方法＞

另外，本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，透过磊晶成长，于基板上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层，于该n型磊晶层上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入形成p型磊晶层，其中，该n型磊晶层及该p型磊晶层由含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层所形成，该n型磊晶层的形成具有形成第一n型层的步骤，该形成第一n型层的步骤为形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层，该p型磊晶层的形成具有形成第一p型层的步骤以及形成第二p型层的步骤，该形成第一p型层的步骤为于该第一n型层上形成该化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层，该形成第二p型层的步骤为于该第一p型层的上方形成该化合物半导体的组成为固定且不含氮且较该第一p型层的载子浓度为高的第二p型层，该第一n型层的厚度较该第一p型层的厚度为薄。

首先，针对本发明的磊晶晶圆的制造方法的一范例，参考图1并加以说明。本发明的磊晶晶圆1的制造方法中，透过磊晶成长，于基板2上通过n型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成n型磊晶层3，于n型磊晶层3上通过p型掺杂剂掺杂用气体的导入而形成p型磊晶层4。n型磊晶层3及p型磊晶层4为含有选自gaasp及gap的化合物半导体的层所形成。又n型磊晶层3的形成，具有形成化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一n型层3e的步骤。p型磊晶层4的形成，具有于第一n型层3e上形成化合物半导体的组成为固定且通过氮掺杂用气体的导入而含有固定浓度的氮的第一p型层4a的步骤、以及于第一p型层4a的上方形成化合物半导体的组成为固定且不含氮又较第一p型层4a的载子浓度为高的第二p型层4e的步骤。另外，本发明的磊晶晶圆的制造方法中，第一n型层3e的厚度较第一p型层4a的厚度为薄。再者，基板、于其上方形成的n型磊晶层以及p型磊晶层，亦可采用与上述的本发明的磊晶晶圆的说明中所举范例并无二致者。

接着，针对本发明的磊晶晶圆的制造方法，参考图1及图2进行说明。另外，图2所示为可用于本发明的磊晶晶圆的制造方法的气相成长装置的一范例的概略图。

首先，将自gap构成的单晶基板w(图1的基板2)以及高纯度镓(ga)分别设置于具有ga池用的石英舟20的磊晶反应器21内的指定位置(单晶基板w为支架22上)。接着，自气体导入管23将氮(n2)气导入反应器21内，待充分置换除去空气后，将作为载子气体的高纯度氢(h2)导入，然后停止流入n2，然后以加热器24加热而进入升温步骤。接着，确认上述含ga的石英舟20设置部分及单晶基板w的设置部分的温度已稳定地保持在指定的温度后，开始例如与gap构成的单晶基板w相同组成的缓冲层(图1的缓冲层3a)的气相成长。

首先，为了将n型掺杂剂掺杂用气体导入反应器21内而产生作为周期表第ⅲ族元素成分原料的gacl，使高纯度氯化氢气体(hcl)吹入上述石英舟20中的ga池25，再由ga池25上表面吹出。另一方面，作为n型掺杂剂掺杂用气体(h2s)以及周期表第ⅴ族元素成分而同步导入高纯度磷化氢气体(ph3)，使单晶基板w上成长出缓冲层。

接着，hcl及h2s的导入量维持不变，渐渐增加高纯度砷化氢气体(ash3)的导入量，又同时减少ph3的导入量，使n型的组成变化层(gaas1-xpx磊晶层；图1的组成变化层3b)成长在缓冲层上。

接着，hcl、ash3及ph3的导入量维持不变，渐渐减少n型掺杂剂掺杂用气体(h2s)的导入量，使s的浓度变化的n型的组成固定层(gaas1-x0px0磊晶层；图1的n不含有层3c)成长在组成变化层上。

接着，hcl、ash3及ph3的导入量维持不变，将作为氮等电子陷阱添加用的氮掺杂用气体(nh3)导入，然后再停止n型掺杂剂掺杂用气体(h2s)的导入而使n的浓度变化的n型的组成固定层(图1的n增加层3d)成长。

接着，hcl、ph3以及ash3的导入量维持不变，且固定氮掺杂用气体(nh3)，使含有固定浓度的n的n型的组成固定层(图1的第一n型层3e)成长。此时，第一n型层的厚度以2～6μm为佳，以2～4μm较佳。

接着，hcl、ph3、ash3以及nh3的导入量维持不变，导入p型掺杂剂掺杂用气体(二甲基锌；dmzn)用以掺杂p型掺杂剂，使含有固定浓度的n的p型的组成固定层(图1的第一p型层4a)成长。第一p型层的载子浓度并无特别限制，例如可为0.5～3.0×10¹⁷cm^-3。另外，第一p型层的厚度以10～30μm为佳，以10～25μm较佳，15～25μm尤佳。本发明中，使此第一p型层成长较上述的第一n型层厚(换言之，使第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄)，而相较于以往的磊晶晶圆，能够让发光亮度为之提升。

接着，hcl、ph3、ash3的导入量维持不变，渐渐减少氮掺杂用气体(nh3)，最终停止导入，使n的浓度变化或者是不含n的p型的组成固定层(图1的n减少层4b、n不含有层4c)成长。

进一步，hcl、ph3、ash3的导入量维持不变，渐渐增加p型掺杂剂掺杂用气体(dmzn)，待载子增加层(图1的载子增加层4d)形成后，固定p型掺杂剂掺杂用气体(dmzn)的量，形成较第一p型层载子浓度为高的p型的组成固定层(图1的第二p型层4e)，然后结束气相成长。按此作法，便能得到磊晶晶圆(图1的磊晶晶圆1)。另外，第二p型层的载子浓度只要比第一p型层高，其他并无特别限制，例如第一p型层的2倍以上为佳。

如以上所述，若为本发明的磊晶晶圆的制造方法，使第一n型层的厚度较于其上方的第一p型层的厚度为薄，相较于以往的磊晶晶圆，能够比较容易地制造发光亮度提升例如10％左右的磊晶晶圆。因此，若为如本发明的磊晶晶圆的制造方法，将特别适合作为led用的半导体磊晶晶圆的制造方法。

[实施例]

以下透过实施例以及比较例对本发明进行更具体的说明，然而本发明并不限于此类。

(实施例1)

gap基板上，通过使用ga、hcl、ph3以及h2s的气相成长而形成gap缓冲层。接着，hcl、h2s的导入量维持不变，开始ash3的导入，并且同时减少ph3的导入量，形成自gap到指定的gaasp组成为止as与p比例改变的组成变化层以及固定gaasp组成的n型层。在此上方，hcl、ash3以及ph3的流量为固定的状态下，使成为n型掺杂剂气体的以h2稀释的h2s的流量减少，最终为0sccm，nh3增加至指定的流量为止进行15分钟的气相成长，形成厚度2μm的层。在此上方，继续将hcl、ash3以及ph3流量固定且nh3亦以指定流量固定而进行20分钟的气相成长，形成厚度2.5μm的第一n型层。在此上方，hcl、ash3、ph3以及nh3的流量固定且使作为p型掺杂剂的以h2稀释的dmzn气体流入1.7sccm而进行150分钟的气相成长，形成厚度18μm的第一p型层。在此上方，dmzn的流量为固定的情况下形成nh3减少的层以及nh3的流量为0sccm的层，再以气相成长出dmzn的流量增加至200sccm为止的层以及固定于200sccm的层(第二p型层)，然后结束反应。

(实施例2)

于实施例1中，除了第一n型层的成长时间为40分钟以使第一n型层的厚度为5μm之外，利用与实施例1相同条件进行磊晶成长，制作磊晶晶圆。

(实施例3)

于实施例1中，除了第一p型层的成长时间为100分钟以使第一p型层的厚度为12μm之外，利用与实施例1相同条件进行磊晶成长，制作磊晶晶圆。

(实施例4)

于实施例1中，除了第一p型层的成长时间为225分钟以使第一p型层的厚度为27μm之外，利用与实施例1相同条件进行磊晶成长，制作磊晶晶圆。

(比较例)

于实施例1中，除了第一n型层的成长时间为50分钟以使第一n型层的厚度为6μm，且第一p型层的成长时间为40分钟以使第一p型层的厚度为5μm之外，利用与实施例1相同条件进行磊晶成长，制作磊晶晶圆

自上述实施例1～4及比较例的磊晶晶圆制造出发光组件并比较发光亮度的结果示于图3。如图3所示，相对于第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为厚的比较例中的发光输出为0.07mw左右，第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄的实施例1～4中的发光输出为0.08mw以上，尤其实施例1中为0.09mw以上，相较于比较例，发光亮度为之提升。

经由以上内容，显然若为本发明，相较于以往的磊晶晶圆，能够制造出发光亮度为之提升的磊晶晶圆。

另外，本发明并不限于上述的实施型态。上述实施型态为举例说明，凡具有与本发明的申请专利范围所记载之技术思想及实质上同样构成而产生相同的功效者，不论为何物皆包含在本发明的技术范围内。

符号说明

1磊晶晶圆

2基板

3n型磊晶层

3a缓冲层

3b组成变化层(混晶率变化层)

3cn不含有层

3dn增加层

3e第一n型层

4p型磊晶层

4a第一p型层

4bn减少层

4cn不含有层

4d载子增加层

4e第二p型层

20石英舟

21磊晶反应器

22支架

23气体导入管

24加热器

25ga池

w单晶基板