技术特征：
技术总结
一种快闪存储器及其形成方法，快闪存储器包括：半导体衬底，半导体衬底包括有效存储区和引线区，引线区包括第一引线区、第二引线区、引线连接区和源引线区，引线连接区的宽度大于第一引线区的宽度且大于第二引线区的宽度；位于半导体衬底擦除区中和源引线区中的源区；位于半导体衬底擦除区上的擦除栅，擦除栅位于擦除区的源区上且未延伸至引线区；位于半导体衬底部分控制区上的浮栅极结构，浮栅极结构分别位于擦除栅在第二方向的两侧；位于半导体衬底控制区、第一引线区、第二引线区和引线连接区上的控制栅极结构，控制区的控制栅极结构还位于浮栅极结构上；位于引线连接区的控制栅极结构顶部表面的控制栅插塞。所述快闪存储器的性能得到提高。
技术研发人员：于涛
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.05.25
技术公布日：2018.11.13