降低或者消除Ⅲ-氮化物结构中的纳米管缺陷的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明的实施例包括布置在n型区与p型区之间的Ⅲ‑氮化物发光层、包括纳米管缺陷的Ⅲ‑氮化物层和布置在Ⅲ‑氮化物发光层与包括纳米管缺陷的Ⅲ‑氮化物层之间的纳米管终止层。纳米管在纳米管终止层中终止。

技术研发人员：P.N.格里洛特;I.H.维德森;T.恩沙尼安;P.P.德布
受保护的技术使用者：亮锐控股有限公司
技术研发日：2013.07.03
技术公布日：2018.10.02