基于逐层堆叠的Nb3Al超导前驱体线材的制备方法与流程

文档序号:16048338发布日期:2018-11-24 11:03阅读:291来源:国知局

本发明属于低温超导材料制备方法技术领域,具体涉及一种多芯nb3al超导前驱体线材的制备方法。

背景技术

nb3al是目前超导转变温度(tc)、临界电流密度(jc)和上临界场(hc2)等综合实用性能最好的低温超导材料。它与nb3sn相比,超导转变温度达到19.3k,也属于a15结构金属间化合物和晶界钉扎超导体;而且具有更高的上临界场和更好的高场临界电流密度特性;尤其重要的是,它比nb3sn具有更优良的应力-应变容许特性。因此nb3al超导线材被认为在下一代热磁约束聚变反应堆(iter)、高能粒子加速器(lhc)和核磁共振谱仪(nmr)等超导磁体应用上有着巨大的潜力。

目前,nb3al超导线材的制备过程分为“前驱体线材制备”和“热处理”两部分。制备用于磁场强度高于15t的nb3al超导磁体的高性能nb3al超导线材,其热处理方法是“高温急热急冷(rhq)+成相热处理”。这种热处理工艺复杂,对前驱体线材要求较高:

前驱体线材通常采用卷绕法,即将nb、al箔材卷绕至nb棒上,装入圆筒形的cu包套,两端电子束焊接封口、再静液挤压、多次拉拔制作成单芯棒;单芯棒经多芯组装、静液挤压和反复拉拔等工艺制作成多芯线材。

在卷绕法制备nb3al前驱体线材的过程中,通常要将数米长的nb箔、al箔卷绕至直径仅为数毫米的nb棒上,卷绕起始的起头困难;在卷绕的过程中要求箔材与nb棒之间以及各层箔材之间贴合紧密、均匀,方可使卷绕装管填充率大于90%;并且卷绕后的复合体尺寸偏差也必须保证在±0.2mm之内。因此,要求卷绕设备的卷绕速度、卷绕力度的精度和一致性要求很高。对nb箔、al箔尺寸精度以及平整度也要求较高。卷绕后的复合体会很容易出现尺寸偏差大,装管填充率低、层间贴合不均匀等问题。并且卷绕后的复合体各层箔材之间相互挤压、缠绕、拉扯形成约束,后期很难调整,进而导致后续加工各组元的变形不均匀,在后续的急冷急热并伴随拉动的过程中,容易出现断线以及线材中各组元的成分偏析的缺陷,最终影响超导线材的性能。导致其加工难度大,产品的一致性差,合格率低。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种基于逐层堆叠的nb3al超导前驱体线材的制备方法,该方法操作简单,箔材的组装填充率高,各层箔材的紧密度均匀一致。以其制备的最终超导线材的性能好,产品的一致性强,合格率高。尤其适用于超导长线材的制备。

本发明实现其发明的目的所采用的技术方案是:一种基于逐层堆叠的nb3al超导前驱体线材的制备方法,其做法是:

a、nb-al复合包套的制备

取开管状nb盒的上盖,从下至上将nb箔和al箔交替堆叠于管状nb盒的矩形槽中,再将管状nb盒的上盖盖上;最后将管状nb盒内套于cu管中,将cu管的两端端口用真空电子束焊接密封,即得到nb-al复合包套;

b、nb-al单芯棒的制备

将步骤a所述nb-al复合包套经静液挤压获得nb-al复合棒,nb-al复合棒经多次反复拉拔至对边距为5~15mm,再腐蚀去铜后获得nb-al单芯棒。

c、nb3al超导前驱体线材的制备

将步骤b所述的多个nb-al单芯棒密排组装至cu或cu合金包套中,经电子束封焊获得nb-al多芯复合包套,nb-al多芯复合包套经静液挤压获得nb-al多芯复合棒,nb-al多芯复合棒经多次反复拉拔加工获得多芯线材;多芯线材腐蚀去铜即得nb3al超导前驱体线材。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

本发明方法将数米长的nb箔、al箔整体卷绕成卷筒状,改为将小面积的独立的矩形片状nb箔、al箔从下至上逐层交替堆叠装入管状nb盒的矩形槽。箔材不再是相互拉扯、缠绕的整体。相反,各层片状箔材之间相互独立,可以自由的沿管状nb盒的竖向移动。交替堆叠过程中,可以随时从上部施加向下的推紧力,将堆叠层压紧,使得堆叠层紧密贴合,将设定量的箔材装填完毕,从而保证装填率达到要求,堆叠层复合体的尺寸偏差小;同时,竖向的推紧力可以向下自由传递,使得各箔材自动产生相应的竖向位移调整,从而使得各堆叠层的紧密度均匀一致。

总之,本发明方法在堆叠过程中,能够自动调节各箔材的竖向位置,避免了卷绕法对卷绕设备的精密需求,以及对箔材的平整度和均匀性的要求。其装填操作十分简单,箔材的组装填充率高,各堆叠层的紧密度均匀一致。在后期的静液挤压、拉拔过程中,也能够更方便箔材的位移和形变,形成更紧密、均匀的材料;在后续的急冷急热并伴随拉动的过程中,不易出现断线以及线材中各组元的成分偏析的缺陷,其最终超导线材的性能好,产品的一致性强,合格率高。尤其适用于超导长线材的制备。

进一步,本发明的步骤a中nb箔厚度为0.03~0.3mm,al箔厚度为0.01~0.1mm,nb箔、al箔的纯度均优于99.9%;

进一步,本发明的步骤a中nb箔或al箔的层数在100-150层,nb盒壁厚为1-10mm;

进一步,本发明的步骤a中nb盒的矩形槽体积与整个nb盒体积的比为2-3:4。

这种低厚度、高纯度nb箔和al箔,能进一步保证各层箔材之间贴合紧密、均匀。壁厚适中的nb盒也保证了在后续加工时各组元的变形均匀,致密,进一步保证了成品线材的性能。

进一步,本发明的步骤b获得nb-al单芯棒的对边距为5.0~15.0mm。

采用这种nb-al单芯棒保证了在后续静液挤压、多次反复拉拔加工过程中,变形均匀、线材不宜断裂。

更进一步,本发明的步骤c中装入cu或cu合金包套的nb-al单芯棒的数量为19、37或61。

这样能够保证制得的超导线材截面成圆形。

再进一步,本发明的步骤c中nb3al超导线材前驱体直径为0.5~1.5mm。

下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步的详细说明。

附图说明

图1为本发明中交替堆叠有nb箔和al箔的管状nb盒的主视结构示意图。

图2为图1的左视结构示意图。

具体实施方式

实施例1

图1、图2示出,本发明的一种具体实施方式是,一种基于逐层堆叠的nb3al超导前驱体线材的制备方法,其步骤是:

a、nb-al复合包套的制备

取开管状nb盒2的上盖1,从下至上将nb箔3和al箔4交替堆叠于管状nb盒2的矩形槽中,再将管状nb盒2的上盖1盖上;最后将管状nb盒2内套于cu管中,将cu管的两端端口用真空电子束焊接密封,即得到nb-al复合包套;

所述的nb箔3厚度为0.03mm,al箔4厚度为0.01mm,nb箔3、al箔4的纯度均优于99.9%。

所述的nb箔3或al箔4的层数在100层,nb盒2壁厚为1mm。

所述的nb盒2的矩形槽体积与整个nb盒2体积的比为2:4。

b、nb-al单芯棒的制备

将步骤a所述nb-al复合包套经静液挤压获得nb-al复合棒,nb-al复合棒经多次反复拉拔至对边距为5mm,再腐蚀去铜后获得nb-al单芯棒,nb-al单芯棒的对边距为5.0mm。

c、nb3al超导前驱体线材的制备

将步骤b所述的19个nb-al单芯棒密排组装至cu包套中。经电子束封焊获得nb-al多芯复合包套,nb-al多芯复合包套经静液挤压获得nb-al多芯复合棒,nb-al多芯复合棒经多次反复拉拔加工获得多芯线材;多芯线材腐蚀去铜即得nb3al超导前驱体线材,nb3al超导线材的前驱体直径为0.5mm。

取本实施例中超导前驱体线材的一段进行高温急热急冷(rhq)和成相热处理后,对所获得的nb3al线材进行超导性能测试,其超导转变温度达到18.2k,临界电流密度jc在4.2k、15t下,达到755a/mm2

实施例2

一种逐层堆叠nb3al超导前驱体线材的制备方法,其步骤是:

a、nb-al复合包套的制备

取开管状nb盒2的上盖1,从下至上将nb箔3和al箔4交替堆叠于管状nb盒2的矩形槽中,再将管状nb盒2的上盖1盖上;最后将管状nb盒2内套于cu管中,将cu管的两端端口用真空电子束焊接密封,即得到nb-al复合包套;

所述的nb箔3厚度为0.13mm,al箔4厚度为0.05mm,nb箔3、al箔4的纯度均优于99.9%。

所述的nb箔3或al箔4的层数在125层,nb盒2壁厚为5mm。

所述的nb盒2的矩形槽体积与整个nb盒2体积的比为2.5:4。

b、nb-al单芯棒的制备

将步骤a所述nb-al复合包套经静液挤压获得nb-al复合棒,nb-al复合棒经多次反复拉拔至对边距为5mm,再腐蚀去铜后获得nb-al单芯棒,nb-al单芯棒的对边距为10.0mm。

c、nb3al超导前驱体线材的制备

将步骤b所述的37个nb-al单芯棒密排组装至cu合金包套中。经电子束封焊获得nb-al多芯复合包套,nb-al多芯复合包套经静液挤压获得nb-al多芯复合棒,nb-al多芯复合棒经多次反复拉拔加工获得多芯线材;多芯线材腐蚀去铜即得nb3al超导前驱体线材,nb3al超导线材的前驱体直径为1.0mm。

取本实施例中线材的一段进行高温急热急冷(rhq)和成相热处理后,对所获得的nb3al线材进行超导性能测试,其超导转变温度达到17.5k,临界电流密度jc在4.2k、15t下,达到690a/mm2

实施例3

一种逐层堆叠nb3al超导前驱体线材的制备方法,其步骤是:

a、nb-al复合包套的制备

取开管状nb盒2的上盖1,从下至上将nb箔3和al箔4交替堆叠于管状nb盒2的矩形槽中,再将管状nb盒2的上盖1盖上;最后将管状nb盒2内套于cu管中,将cu管的两端端口用真空电子束焊接密封,即得到nb-al复合包套;

所述的nb箔3厚度为0.3mm,al箔4厚度为0.1mm,nb箔3、al箔4的纯度均优于99.9%。

所述的nb箔3或al箔4的层数在150层,nb盒2壁厚为10mm。

所述的nb盒2的矩形槽体积与整个nb盒2体积的比为3:4。

b、nb-al单芯棒的制备

将步骤a所述nb-al复合包套经静液挤压获得nb-al复合棒,nb-al复合棒经多次反复拉拔至对边距为5mm,再腐蚀去铜后获得nb-al单芯棒,nb-al单芯棒的对边距为15.0mm。

c、nb3al超导前驱体线材的制备

将步骤b所述的61个nb-al单芯棒密排组装至cu包套中。经电子束封焊获得nb-al多芯复合包套,nb-al多芯复合包套经静液挤压获得nb-al多芯复合棒,nb-al多芯复合棒经多次反复拉拔加工获得多芯线材;多芯线材腐蚀去铜即得nb3al超导前驱体线材,nb3al超导线材的前驱体直径为1.5mm。

取本实施例中线材的一段进行高温急热急冷(rhq)和成相热处理后,对所获得的nb3al线材进行超导性能测试,其超导转变温度达到18.5k,临界电流密度jc在4.2k、15t下,达到792a/mm2

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