半导体装置的制作方法

文档序号:16751198发布日期:2019-01-29 16:52阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种半导体装置包括:设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部;位于所述第二外围电路部上的第二存储器部;以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部,其中,所述第一存储器部包括多个第一存储单元,每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器,所述第二存储器部包括多个第二存储单元,每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件,并且所述布线部包括多个线图案,至少一个所述线图案和至少一个所述电容器位于距离所述衬底相同的水平高度处,其中,所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。

技术研发人员:金成禹;金奉秀;金英培;许基宰;高宽协;洪亨善;黄有商
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:2018.06.28
技术公布日:2019.01.29
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