一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种薄膜晶体管、检测装置及其检测压力或光照的方法，用以提高薄膜晶体管的感光性能和感压性能，从而有利于提高检测压力或光照时的精度。本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板之上的半导体层、栅极和源漏极，所述半导体层的材料包括二碲化钼。

技术研发人员：李广耀;闫梁臣;王东方;汪军;王庆贺;胡迎宾;刘宁
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
技术研发日：2018.07.04
技术公布日：2018.11.13