技术特征：
技术总结
本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：对多晶硅层进行处理，形成图案化的有源层；在有源层上形成P型离子掺杂区；在有源层上形成第二光刻胶层，使用半色调掩膜板处理第二光刻胶层，形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区；将位于光刻胶完全去除区的有源层形成N型离子掺杂区；对剩余的第二光刻胶层进行灰化处理，去除位于光刻胶半保留区的光刻胶，对于光刻胶半保留区对应的有源层进行漏极轻掺杂，形成轻掺杂区，剥离剩余光刻胶。有益效果：利用半色调掩膜板控制光刻胶的遮挡区域，更容易控制遮挡区域的关键尺寸及关键尺寸的均一性，防止发生漏电流过大的情况。
技术研发人员：胡重粮
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2018.07.06
技术公布日：2018.12.21