技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了一种单片集成半导体器件传感器、阵列器件传感器及制备方法。该传感器包括衬底；设置于衬底的第一区域上的HEMT，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层以及设置于势垒层上的源极和栅极；其中，栅极为传感器的探测部；设置于衬底的第二区域上的LED，LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层以及设置于p型层上的p型电极；其中，n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本发明实施例提供的单片集成半导体器件传感器，实现将传感器中HEMT的电信号转化为LED的光信号输出，使输出结果更加直观。
技术研发人员：刘召军;刘弈博;刘亚莹
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2018.07.10
技术公布日：2018.12.07