技术特征：
技术总结
本公开涉及一种同时制造SOI型的MOS晶体管以及体衬底上的第一晶体管和第二晶体管的方法，包括：a)在覆盖半导体衬底的绝缘层上提供半导体层；b)形成掩模，该掩模包括在第二晶体管的位置上方的与待形成的第二晶体管相比宽度更小的中央开口；c)垂直于开口，完全蚀刻半导体层和绝缘层，因此导致在第二晶体管的位置处的绝缘层的剩余部分；d)外延生长半导体直到半导体层的上部水平；e)形成隔离沟槽；以及f)形成晶体管的栅极绝缘体，第二晶体管的栅极绝缘体包括绝缘层的所述剩余部分的至少一部分。
技术研发人员：F·朱利恩
受保护的技术使用者：意法半导体(鲁塞)公司
技术研发日：2018.07.11
技术公布日：2019.02.05