1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述基底用于形成nmos晶体管；
形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；
在所述栅极结构两侧的鳍部内形成第一防扩散掺杂区，所述第一防扩散掺杂区中的掺杂离子包括ga离子；
在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向，所述源漏掺杂区与所述第一防扩散掺杂区相邻且位于所述第一防扩散掺杂区远离所述栅极结构的一侧。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成第一防扩散掺杂区的步骤中，所述第一防扩散掺杂区中的掺杂离子为ga离子；或者，所述第一防扩散掺杂区中的掺杂离子为ga离子和in离子。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成第一防扩散掺杂区之前，还包括：去除所述栅极结构两侧的鳍部，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成露出所述衬底的凹槽；
在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区的步骤包括：在所述凹槽中形成所述源漏掺杂区。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成所述第一防扩散掺杂区的步骤包括：对所述凹槽中靠近所述栅极结构一侧的侧壁进行第一离子掺杂处理，在所述凹槽露出的鳍部侧壁内形成所述第一防扩散掺杂区。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述凹槽中靠近所述栅极结构一侧的侧壁进行第一离子掺杂处理后，在所述凹槽中形成所述源漏掺杂区之前，还包括：对任一个凹槽中靠近所述栅极结构一侧的侧壁进行第二离子掺杂处理，在所述凹槽侧壁的第一防扩散掺杂区内形成第二防扩散掺杂区，所述第二离子掺杂处理的掺杂离子包括ga离子；
在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区的步骤中，位于所述栅极结构一侧鳍部内的源漏掺杂区为源区，位于所述栅极结构另一侧鳍部内的源漏掺杂区为漏区，所述源区与所述第二防扩散掺杂区相邻。
6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子掺杂处理的工艺为离子注入工艺，所述第一离子掺杂处理的参数包括：注入离子为ga离子，注入能量为15kev至45kev，注入剂量为1e13原子每平方厘米至5e13原子每平方厘米，注入角度为15度至35度；
或者，
注入离子为ga离子和in离子，ga离子的注入能量为15kev至45kev，ga离子的注入剂量为5e12原子每平方厘米至3e13原子每平方厘米，in离子的注入能量为25kev至45kev，in离子的注入剂量为5e12原子每平方厘米至3e13原子每平方厘米，注入角度为15度至35度。
7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子掺杂处理的掺杂离子为ga离子；
或者，
所述第二离子掺杂处理的掺杂离子为ga离子和in离子。
8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子掺杂处理的工艺为离子注入工艺，所述第二离子掺杂处理的参数包括：注入离子为ga离子，注入能量为5kev至35kev，注入剂量为1e13原子每平方厘米至5e13原子每平方厘米，注入角度为15度至35度；
或者，
注入离子为ga和in离子，ga离子的注入能量为5kev至35kev，ga离子的注入剂量为5e12原子每平方厘米至3e13原子每平方厘米，in离子的注入能量为15kev至35kev，in离子的注入剂量为5e12原子每平方厘米至3e13原子每平方厘米，注入角度为15度至35度。
9.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一离子掺杂处理后，在所述第二离子掺杂处理之前，还包括：去除所述凹槽底部的部分厚度衬底，所述凹槽底部的衬底去除量为第一厚度；在所述第二离子掺杂处理后，在所述凹槽内形成所述源漏掺杂区之前，还包括：去除所述凹槽底部的部分厚度衬底，所述凹槽底部的衬底去除量为第二厚度；
或者，
在所述第二离子掺杂处理后，在所述凹槽内形成源漏掺杂区之前，还包括：去除所述凹槽底部的部分厚度衬底，所述凹槽底部的衬底去除量为第三厚度。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述凹槽底部的部分厚度衬底的步骤包括：采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述凹槽底部的衬底。
11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一厚度为30nm至50nm，所述第二厚度为5nm至15nm，所述第三厚度为35nm至65nm。
12.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中形成所述源漏掺杂区的步骤包括：在所述凹槽的底部和侧壁上形成第一外延层，且在形成所述第一外延层的过程中进行第一原位自掺杂，形成底部源漏掺杂层；
在所述凹槽中形成覆盖所述底部源漏掺杂层的第二外延层，且在形成所述第二外延层的过程中进行第二原位自掺杂，形成顶部源漏掺杂层，所述顶部源漏掺杂层中的掺杂离子浓度大于所述底部源漏掺杂层中的掺杂离子浓度。
13.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述基底上形成有nmos晶体管；
栅极结构，横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；
第一防扩散掺杂区，位于所述栅极结构两侧的鳍部内，所述第一防扩散掺杂区的掺杂离子包括ga离子；
源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的鳍部内，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向，所述源漏掺杂区与所述第一防扩散掺杂区相邻且位于所述第一防扩散掺杂区远离所述栅极结构的一侧。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子；或者，所述第一防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子和in离子。
15.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子，ga离子的掺杂浓度为1e18原子每立方厘米至5e18原子每立方厘米，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第一防扩散掺杂区的深度为10nm至30nm；
或者，
所述第一防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子和in离子，ga离子的掺杂浓度为5e17原子每立方厘米至3e18原子每立方厘米，in离子的掺杂浓度为5e17原子每立方厘米至3e18原子每立方厘米，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第一防扩散掺杂区的深度为10nm至30nm。
16.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
凹槽，位于所述栅极结构两侧的鳍部内，所述凹槽底部露出所述衬底；
所述第一防扩散掺杂区位于靠近所述栅极结构一侧的凹槽侧壁的鳍部内；
所述源漏掺杂区位于所述凹槽内。
17.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，位于所述栅极结构一侧鳍部内的源漏掺杂区为源区，位于所述栅极结构另一侧鳍部内的源漏掺杂区为漏区；
所述半导体结构还包括：位于所述栅极结构一侧的第二防扩散掺杂区，所述第二防扩散掺杂区位于所述凹槽侧壁的第一防扩散区内，所述第二防扩散掺杂区的掺杂离子包括ga离子。
18.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述第二防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子；或者，所述第二防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子和in离子。
19.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述第二防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子，ga离子的掺杂浓度为1e18原子每立方厘米至5e18原子每立方厘米，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第二防扩散掺杂区的深度为3nm至20nm；
或者，
所述第二防扩散掺杂区的掺杂离子为ga离子和in离子，ga离子的掺杂浓度为5e17原子每立方厘米至3e18原子每立方厘米，in离子的掺杂浓度为5e17原子每立方厘米至3e18原子每立方厘米，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第二防扩散掺杂区的深度为3nm至20nm。
20.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂区还位于所述凹槽底部的部分厚度衬底内。
21.如权利要求20所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂区底部至所述衬底顶部的距离为35nm至65nm。
22.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂区包括：
底部源漏掺杂层，所述底部源漏层位于所述凹槽的底部和侧壁；
顶部源漏掺杂层，所述顶部源漏掺杂层位于所述凹槽中且覆盖所述底部源漏掺杂层，所述顶部源漏掺杂层中的掺杂离子浓度大于所述底部源漏掺杂层中的掺杂离子浓度。