技术总结
一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底用于形成NMOS晶体管；形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极结构两侧的鳍部内形成第一防扩散掺杂区，掺杂离子包括Ga离子；在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区，沿垂直于栅极结构侧壁的方向，源漏掺杂区与第一防扩散掺杂区相邻且位于第一防扩散掺杂区远离栅极结构的一侧。本发明第一防扩散掺杂区的掺杂离子包括Ga离子，掺杂Ga离子有利于保证第一防扩散掺杂区位于源漏掺杂区和沟道区之间的鳍部内，因此可有效抑制源漏掺杂区的掺杂离子向沟道区发生横向扩散并减小沟道漏电流，进而提高半导体结构的电学性能。
技术研发人员：赵猛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2018.07.12
技术公布日：2020.01.21