1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括周边区；
形成横跨所述周边区鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述周边区鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述伪栅结构包括伪栅氧化层以及位于所述伪栅氧化层上的伪栅层，所述伪栅层包括刻蚀停止层以及位于所述刻蚀停止层上的牺牲层；
在所述伪栅结构露出的衬底上形成介质层，所述介质层露出所述伪栅结构的顶部；
去除所述周边区的伪栅层，暴露出所述周边区伪栅氧化层的表面，并在所述介质层内形成第一开口；
在所述第一开口内形成栅电极层，位于所述第一开口中的伪栅氧化层和栅电极层用于构成所述第一金属栅结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述周边区伪栅结构的步骤包括：在所述周边区的鳍部表面形成伪栅氧化层；
形成保形覆盖所述周边区伪栅氧化层表面的刻蚀停止膜；
在所述刻蚀停止膜表面形成牺牲膜；
在所述牺牲膜上形成栅极掩膜层；
以所述栅极掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述牺牲膜和刻蚀停止膜，露出所述伪栅氧化层，保留剩余的刻蚀停止膜作为所述刻蚀停止层，保留剩余的牺牲膜作为所述牺牲层，所述伪栅氧化层、刻蚀停止层和牺牲层用于构成所述伪栅结构。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构的步骤中，所述刻蚀停止层的厚度为3nm～10nm。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保形覆盖所述周边区伪栅氧化层的刻蚀停止膜的步骤中，形成所述刻蚀停止膜的工艺为原子层淀积工艺。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构的步骤中，所述牺牲层和刻蚀停止层的刻蚀选择比大于10:1。
6.如权利要求1或5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构的步骤中，所述刻蚀停止层的材料为si，所述牺牲层的材料为sige、ge和sic中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述周边区的伪栅层的步骤包括：以所述刻蚀停止层顶部为停止位置，去除所述周边区的牺牲层，在所述介质层内形成第一开口；
去除所述周边区的牺牲层后，去除所述第一开口露出的刻蚀停止层，使所述第一开口暴露出所述伪栅氧化层。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为sige，去除所述牺牲层的步骤包括：采用hcl蒸汽，对所述牺牲层进行湿法刻蚀。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述牺牲层进行湿法刻蚀的步骤中，hcl蒸汽的温度为100℃至300℃。
10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为si，去除所述刻蚀停止层的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述刻蚀停止层，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为cl2和hbr的混合溶液或tmah溶液。
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为tmah溶液，所述湿法刻蚀工艺的参数包括：tmah溶液的体积浓度为5％，所述tmah溶液的溶液温度为50℃至150℃。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述衬底还包括核心区；
形成横跨所述周边区鳍部的伪栅结构的步骤中，所述伪栅结构还横跨所述核心区的鳍部，且覆盖所述核心区鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述第一开口内形成栅电极层之前，所述形成方法还包括：去除所述核心区的伪栅层，暴露出所述核心区伪栅氧化层的表面，并在所述介质层内形成第二开口；去除所述第二开口露出的伪栅氧化层，使所述第二开口露出所述核心区的鳍部；
在所述第一开口内形成栅电极层的步骤中，所述栅电极层还形成于所述第二开口内，位于所述第二开口中的栅电极层用于构成第二金属栅结构。
13.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括周边区；
横跨所述周边区鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述伪栅结构包括伪栅氧化层以及位于所述伪栅氧化层上的伪栅层，所述伪栅层包括刻蚀停止层以及位于所述刻蚀停止层上的牺牲层。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为3nm～10nm。
15.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层和刻蚀停止层的刻蚀选择比大于10:1。
16.如权利要求13或15所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为si，所述牺牲层的材料为sige、ge和sic中的一种或多种。
17.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括核心区；
所述伪栅结构还横跨所述核心区的鳍部，所述伪栅结构覆盖所述核心区鳍部的部分顶部和部分侧壁。