技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和凸出于衬底的鳍部，衬底包括周边区；形成横跨周边区鳍部且覆盖鳍部部分顶部和部分侧壁的伪栅结构，伪栅结构包括伪栅氧化层以及位于伪栅氧化层上的伪栅层，伪栅层包括刻蚀停止层和位于刻蚀停止层上的牺牲层；在伪栅结构露出的衬底上形成介质层，介质层露出伪栅结构顶部；去除周边区的伪栅层，暴露出伪栅氧化层的表面，并在介质层内形成第一开口；在第一开口内形成栅电极层，位于第一开口中的伪栅氧化层和栅电极层用于构成第一金属栅结构。本发明在去除牺牲层时，刻蚀停止层能够对周边区的伪栅氧化层起到保护作用，从而降低对伪栅氧化层的损伤，提高半导体器件的电学性能和可靠性。
技术研发人员：王楠
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2018.07.12
技术公布日：2020.01.21