技术特征：
技术总结
一种金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述制造方法包括：提供第一导电类型的衬底，在衬底上依次生长第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层，在所述第一外延层和第二外延层之间还设置有隔离结构，从第二外延层表面刻蚀形成贯穿第二外延层且底部延伸至第一外延层内的沟槽，在沟槽内表面生成栅介质层并填充多晶硅，在所述沟槽两侧的第二外延层内分别形成第一导电类型的注入区。该金属氧化物半导体场效应管不同于传统金属氧化物半导体场效应管的结构，其避免了阱区受长时间高温横向扩散导致沟道长度不稳定的因素，提高可靠性；同时，新的结构还可以降低器件的导通电阻，提高开关速度，减少功耗。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：盛世瑶兰（深圳）科技有限公司
技术研发日：2018.07.25
技术公布日：2018.12.07