一种PN结终端制造工艺的制作方法

本发明涉及半导体器件制造工艺技术领域，具体为一种pn结终端制造工艺。

背景技术：

现有的pn结终端制造工艺中，pn结终端一般采用深槽湿法腐蚀后，通过玻璃钝化工艺对终端进行保护。常见的玻璃钝化方法有刀刮法、玻璃电泳法、光阻法等，利用这种方法对终端进行加工时，由于采用湿法腐蚀，需要终端具备较宽的尺寸，一般需要在200μm左右。并且，刀刮法和玻璃电泳法存在可靠性差的问题，而光阻法虽然可靠性高，但是工艺复杂、成本高。

技术实现要素：

针对现有技术中的问题，本发明提供一种pn结终端制造工艺。

为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：

一种pn结终端制造工艺，具体步骤包括：

步骤a：选用n型单晶硅片；

步骤b：在单晶硅片的背面利用扩散工艺掺磷；

步骤c：对掺磷后的单晶硅片表面进行吹砂处理；

步骤d：在单晶硅片的正面利用扩散工艺掺硼或者掺硼铝；

步骤e；对掺硼或者掺硼铝后的单晶硅片的表面进行吹砂处理；

步骤f：利用光刻工艺在单晶硅片正面的部分区域进光刻处理，形成深槽区，光刻工艺刻蚀时采用干法刻蚀，刻蚀深度超过结深；

步骤g：对单晶硅片的正面、背面、深槽区的内表面进行牺牲氧化，形成牺牲氧化层；

步骤h：去除牺牲氧化层；

步骤i：在单晶硅片的正面、背面、深槽区的内表面淀积sipos；

步骤j：在单晶硅片的正面、背面、深槽区的内表面淀积lto；

步骤k：利用光刻工艺对深槽区进行光刻处理，去除其内表面的lto；

步骤l：对去除lto的深槽区内表面依次进行玻璃电泳、玻璃烧结处理；

步骤m：利用光刻工艺对单晶硅片的正面除靠近深槽区的局部区域外的区域进行处理，去除淀积的lto和sipos，同时对整个单晶硅片的背面进行光刻处理，去除淀积的lto和sipos；

步骤n：对单晶硅片正面经过光刻处理后的区域进行化学镀镍，终端结构制造完成。

作为优选，所述步骤a中选取的单晶硅片的电阻率为0.1～80ω·㎝。

作为优选，所述步骤b中：磷采用纸源，扩散工艺的加工温度为1200℃，加工时长为120min，所述步骤d中：硼或者硼铝采用纸源，扩散工艺的加工温度为1260℃，加工时长为26h，单晶硅片掺杂后形成的结深为50～140μm。

作为优选，所述步骤f中的刻蚀深度为50～180μm。

作为优选，所述步骤g中，牺牲氧化的方法为：利用氢氧合成法进行牺牲氧化，牺牲氧化的温度为1000℃，时间为60min。

作为优选，所述步骤h中去除牺牲氧化层的方法为：利用hf溶液或者nh4f溶液腐蚀去除，处理时间为5min。

作为优选，所述步骤i中sipos的淀积厚度为0.1～2μm。

作为优选，所述步骤j中lto的淀积厚度为0.7μm。

作为优选，所述步骤l中玻璃电泳的玻璃厚度为10～60μm，玻璃烧结的烧结温度为850℃，烧结时间为30min。

作为优选，所述步骤n中化学镀镍的步骤包括：步骤n1：一次镀镍；步骤n2：烧渗；步骤n3：二次镀镍。

从以上描述可以看出，本发明具备以下优点：本发明先通过半导体掺杂工艺形成pn结，再用过深槽光刻、干法刻蚀形成深槽区，并在深槽区的内表面进行sipos淀积后，通过玻璃电泳、玻璃烧结工艺对pn结终端进行保护。干法刻蚀的深槽可以精确控制刻蚀宽度，宽度范围一般可以做到0.2μm～150μm，淀积的sipos厚度可以做0.1～2μm，然后通过玻璃电泳把深槽区填充满，以达到提升pn结的终端耐压的目的。通过本发明所述的制造工艺可以实现pn结终端的保护，耐压最高能够达到3500v，相比常规湿法腐蚀结合刀刮法或者玻璃电泳法制造的产品，本发明所述的制造工艺制造的产品耐压更高，可靠性更好。

附图说明

图1是本发明制造的pn结终端结构示意图；

附图标记：1.n+区、2.n-区、3.深槽区、4.p+区、5.金属层、6.sio2区、7.sipos区。

具体实施方式

结合图1，详细说明本发明的一个具体实施例，但不对本发明的权利要求做任何限定。

一种pn结终端制造工艺，具体步骤包括：

步骤a：选用n型单晶硅片，单晶硅片的电阻率为0.1～80ω·㎝；

步骤b：在单晶硅片的背面利用扩散工艺掺磷，磷采用纸源，扩散工艺的加工温度为1200℃，加工时长为120min；

步骤c：对掺磷后的单晶硅片表面进行吹砂处理；

步骤d：在单晶硅片的正面利用扩散工艺掺硼或者掺硼铝，硼或者硼铝采用纸源，扩散工艺的加工温度为1260℃，加工时长为26h，单晶硅片掺杂后形成的结深为50～140μm；

步骤e；对掺硼或者掺硼铝后的单晶硅片的表面进行吹砂处理；

步骤f：利用光刻工艺在单晶硅片正面的部分区域进光刻处理，形成深槽区，光刻工艺刻蚀时采用干法刻蚀，刻蚀深度超过结深，刻蚀深度可以为50～180μm；

步骤g：对单晶硅片的正面、背面、深槽区的内表面进行牺牲氧化，形成牺牲氧化层，牺牲氧化的方法为：利用氢氧合成法进行牺牲氧化，牺牲氧化的温度为1000℃，时间为60min；

步骤h：去除牺牲氧化层，利用hf溶液或者nh4f溶液腐蚀去除，处理时间一般为5min；

步骤i：在单晶硅片的正面、背面、深槽区的内表面淀积sipos，sipos的淀积厚度为0.1～2μm；

步骤j：在单晶硅片的正面、背面、深槽区的内表面淀积lto，lto的淀积厚度为0.7μm；

步骤k：利用光刻工艺对深槽区进行光刻处理，去除其内表面的lto；

步骤l：对去除lto的深槽区内表面依次进行玻璃电泳、玻璃烧结处理，玻璃电泳的玻璃厚度为10～60μm，玻璃烧结的烧结温度为850℃，烧结时间为30min；

步骤m：利用光刻工艺对单晶硅片的正面除靠近深槽区的局部区域外的区域进行处理，去除淀积的lto和sipos，同时对整个单晶硅片的背面进行光刻处理，去除淀积的lto和sipos；

步骤n：对单晶硅片正面经过光刻处理后的区域进行化学镀镍，化学镀镍的步骤包括：步骤n1：一次镀镍；步骤n2：烧渗；步骤n3：二次镀镍；镀镍完成后，终端结构制造完成。

本发明先通过半导体掺杂工艺形成pn结，再用过深槽光刻、干法刻蚀形成深槽区，并在深槽区的内表面进行sipos淀积后，通过玻璃电泳、玻璃烧结工艺对pn结终端进行保护。干法刻蚀的深槽可以精确控制刻蚀宽度，宽度范围一般可以做到0.2μm～150μm，典型值为10μm，淀积的sipos厚度可以做到0.1～2μm，然后通过玻璃电泳把深槽区填充满，以达到提升pn结的终端耐压的目的。

如图1所示，为经过本发明所述制造工艺制造的pn结终端结构示意图。该pn结终端包括n+区、n-区、深槽区、p+区、金属层、sio2区、sipos区。

通过本发明所述的制造工艺可以实现pn结终端的保护，耐压最高能够达到3500v。相比常规湿法腐蚀结合刀刮法或者玻璃电泳法的制造工艺，产品耐压更高，可靠性更好。

综上所述，本发明具有以下优点：

通过本发明所述的制造工艺可以实现pn结终端的保护，耐压最高能够达到3500v，相比常规湿法腐蚀结合刀刮法或者玻璃电泳法制造的产品，本发明所述的制造工艺制造的产品耐压更高，可靠性更好。

可以理解的是，以上关于本发明的具体描述，仅用于说明本发明而并非受限于本发明实施例所描述的技术方案。本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本发明的保护范围之内。