本发明属于集成电路布线技术领域，具体涉及一种集成电路中实现多层布线结构的方法。
背景技术：
众所周知，封装技术其实就是一种将芯片打包的技术，这种打包对于芯片来说是必须的。因为芯片必须与外界隔离，以防止由于空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的pcb(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。封装也可以说是安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。简单来说，封装就是将芯片上的接点通过导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装技术是集成电路产业中非常关键的一环。
而在封装技术中，较重要的一个环节就是焊盘(pad)的设计。焊盘是封装外壳的引脚与芯片电路的连接部分。焊盘质量的好坏也直接影响着封装的质量。目前，随着半导体技术的发展，芯片内部已具有了多层金属布线结构，一般焊盘是制作于多层金属布线结构的顶层的，而此多层金属布线结构下一般是没有有源器件的，这样的结构就比较稳定。而有时候为了节省多层金属布线结构的设计面积，往往将有源器件也制作于焊盘之下。例如专利号为zl02150695.7的专利就公开了一种形成在具有电路图形的印刷电路板上的焊盘。
目前，随着器件的性能要求越来越高，例如，对于多层布线结构，尤其是其下有有源器件的多层布线结构，对于连线延迟的要求很高。而为了减小连线延迟问题，通常会对布线结构之间的绝缘介质层进行low-k掺杂，而low-k掺杂会使得布线结构之间的绝缘介质层变脆，致使布线结构塌陷，并导致器件报废。
技术实现要素：
本发明针对现有技术的状况，克服上述缺陷，提供一种集成电路中实现多层布线结构的方法。
本发明采用以下技术方案，所述一种集成电路中实现多层布线结构的方法，包括：
s1：形成金属布线层，其中金属布线层至少具有第一区域金属布线层和第二区域金属布线层，所述第二区域金属布线层与第一区域金属布线层不相连；
s2：形成所述金属布线层的上层布线结构；
s3：在所述金属布线层上形成绝缘介质层；
s4：在所述绝缘介质层中钻蚀形成通孔；
s5：在通孔中填充导电材料从而将所述第一区域金属布线层与上层布线结构中的金属布线层相连。
作为上述技术方案的进一步改进，所述第二区域金属布线层与第一区域金属布线层的间距按设计规则中金属之间的间距要求来确定。
作为上述技术方案的进一步改进，所述钻蚀形成通孔采用深层反应离子蚀刻。
作为上述技术方案的进一步改进，所述通孔的填充材料为铜。
本发明公开的一种集成电路中实现多层布线结构的方法，其有益效果在于，本发明所公开的一种集成电路中实现多层布线结构的方法，通过在布线结构上形成用于支撑上层布线结构的第二区域金属布线层，分散了上层布线结构对下层布线结构的压力，增加了布线结构之间支撑力，避免了布线结构出现塌陷。
具体实施方式
本发明公开了一种集成电路中实现多层布线结构的方法，下面结合优选实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。
所述一种集成电路中实现多层布线结构的方法，包括：
s1：形成金属布线层，其中金属布线层至少具有第一区域金属布线层和第二区域金属布线层，所述第二区域金属布线层与第一区域金属布线层不相连；
s2：形成所述金属布线层的上层布线结构；
s3：在所述金属布线层上形成绝缘介质层；
s4：在所述绝缘介质层中钻蚀形成通孔；
s5：在通孔中填充导电材料从而将所述第一区域金属布线层与上层布线结构中的金属布线层相连。
进一步地，所述第二区域金属布线层与第一区域金属布线层的间距按设计规则中金属之间的间距要求来确定。
进一步地，所述钻蚀形成通孔采用深层反应离子蚀刻。
进一步地，所述通孔的填充材料为铜。
对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围。