技术特征:
技术总结
提供了一种等离子体处理装置,用于在等离子体工艺期间控制腔室的边缘区域处的等离子体分布,从而对半导体基板可靠地执行等离子体工艺。该等离子体处理装置包括:腔室,包括限定反应空间的外壁和覆盖外壁的上部的窗口;线圈天线,设置在窗口之上并包括至少两个线圈;以及静电吸盘(ESC),设置在腔室的下部中,其中电极位于ESC内,其中该电极包括第一电极和至少一个第二电极,该第一电极用于吸附,该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。
技术研发人员:成正模;吴相录;李恩雨;金光男;宣钟宇;洪定杓
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:2018.10.18
技术公布日:2019.05.21