显示面板及显示装置的制作方法

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

薄膜晶体管作为像素开关元件或驱动电路元件广泛应用于各种显示装置中，这些显示装置例如为液晶显示器、有机发光二极管显示器、电子纸显示器等。显示装置的像素阵列通常由多行栅线和与之交错的多列数据线限定形成。在子像素单元中，薄膜晶体管作为开关元件，在栅极控制下，外部数据信号可以通过薄膜晶体管向子像素单元中的像素电极写入，实施充电和放电。

通常，驱动信号通过邦定在阵列基板上的集成驱动电路(ic芯片)来提供。因此，邦定良率对显示面板的良率有很大的影响。

技术实现要素：

本申请提供一种提高产品良率的显示面板及显示装置。

本申请提供一种显示面板，包括显示区和与所述显示区电连接的邦定区，所述邦定区包括：衬底层组、形成于所述衬底层组上的第一金属层、形成于所述第一金属层上的钝化层、形成于所述钝化层上的第二金属层、形成于第二金属层上的保护层，所述第二金属层借由所述钝化层上的接触孔与所述第一金属层电连接，所述保护层具有多个通孔，所述第二金属层对应于所述多个通孔的部分暴露出来而形成的多个接触电极。

进一步的，所述显示面板包括非显示区，所述非显示区具有形成于钝化层与保护层之间的有机层，所述有机层具有开口，所述邦定区位于所述开口内。

进一步的，所述显示面板包括非显示区，所述非显示区具有形成于钝化层与保护层之间的有机层，所述有机层具有至少一个开口，所述多个接触电极位于一个所述开口内。

进一步的，所述开口尺寸大于邦定区的尺寸。

进一步的，所述多个接触电极的面积之和与所述第二金属层的上表面的面积的比值范围为60％～95％。

进一步的，所述多个接触电极的面积之和与邦定区的横截面积的比值范围为40％～70％。

进一步的，所述显示区包括源漏极及形成于源漏极上方的第一电极，所述源漏极与第一金属层位于同一层，所述第一电极与第二金属层位于同一层。

进一步的，所述邦定区包括至少两个彼此间隔的焊盘，每个所述焊盘包括多个接触电极。

进一步的，同一个所述焊盘的多个接触电极之间未设置第一金属层及第二金属层。

本申请还提供一种显示装置，所述显示面板包括所述的显示面板。

本申请中通过对第一有机层进行大面积的刻蚀，使第三连接电极具有更大的裸露面积，从而增大邦定面积，增加acf粒子的数量，降低邦定电阻，改善邦定良率。

附图说明

图1所示为本申请显示面板的一个实施例的结构示意图；

图2所示为本申请显示面板的一个实施例的显示区的剖视示意图；

图3所示为本申请显示面板的一个实施例的非显示区的俯视示意图；

图4所示为本申请显示面板的一个实施例的非显示区的剖视示意图；

图5所示为在基板上形成第三钝化层的剖视示意图；

图6所示为在第三钝化层上形成第三金属层的剖视示意图；

图7所示为在第三金属层上形成第一钝化层的剖视示意图；

图8所示为在第一钝化层上形成第一金属层的剖视示意图；

图9所示为在第一金属层上形成第二钝化层的剖视示意图；

图10所示为在第二钝化层上形成第一有机层的剖视示意图；

图11所示为在第一有机层上形成第二金属层的剖视示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

请参照图1所示，本申请实施例的显示面板包括显示区(即aa区)及非显示区(即非aa区)，所述非显示区包括周边区a及邦定区b，所述邦定区与显示区电性连接，以用于信号传输。在邦定区b内，接触电极可以通过acf粒子与驱动芯片(数据驱动芯片或触控芯片)的引脚或者与安装有该驱动芯片的柔性印刷电路板(fpc)的引脚电连接。

请参照图2，所述显示区包括基板1、第三钝化层2、多个薄膜晶体管3、第一电极41、像素限定层42、有机发光层43及第二电极44。所述薄膜晶体管3包括衬底、有源层、绝缘层、源极31、漏极32及栅电极33，衬底、有源层、绝缘层未作标示，有源层可选用非晶硅、多晶硅等作为主要材料。第一电极41与薄膜晶体管的源极31(或漏极32)电连接。

本实施例中，以基板1指向第三钝化层2的方向为向上方向，第三钝化层2指向基板1的方向为向下方向。需要注意的是，方向的定义不影响产品的实际结构。

基板1可以是柔性基板，也可以是刚性基板，本实施例中具体可选的材料例如为聚酰亚胺pi(polyimide，简称pi)聚合物、聚碳酸酯pc(polycarbonate，简称pc)树脂、聚对苯二甲酸类pet(polyethyleneterephthalate，简称pet)塑料等。

第一电极41，例如为阳极，包括导电材料，该导电材料具有很高的功函数，以便向有机发光层提供一个空穴。第一电极41可以是用具有很高的功函数的透明导电材料制成的。该透明导线材料包括透明导电氧化物(tco)，例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化锌、氧化锡。

像素限定层42可由无机亲性材料及有机疏性材料组成，采用两层浸润性不同的材料组成的像素限定层，能够使有机电致发光材料的溶液精准地喷墨打印和形成厚度均一的薄膜。

有机发光层43的材料可选用小分子型或聚合物型，小分子型一般用真空蒸镀的方法组装器件，其具有两方面的突出优点：一是分子结构确定，易于合成和纯化；二是小分子化合物大多采用真空蒸镀成膜，容易形成致密而纯净的薄膜。材料的纯度在电致发光中是极为重要的，材料的高纯度可以减少发光淬灭，延长器件寿命，从而提高发光效率。并且，高纯度的发光材料也是实现高质量全彩色显示的重要条件。聚合物型无法蒸镀，多采用湿法制膜，如旋转涂覆、喷墨打印技术、丝网印刷等制膜技术。这些技术相对于真空蒸镀而言，工艺简单，设备价格低廉，从而在批量生产中有成本优势。

第二电极44，例如为阴极，阴极材料可选用合金阴极、层状阴极或掺杂复合型电极，合金阴极是通过将性质活泼的低功函数金属和化学性能较稳定的高功函数金属一起蒸发形成的，如mg：ag(10：1)，li:al(0.6％li)合金电极，功函数分别为3.7ev和3.2ev；层状阴极由一层极薄的绝缘材料如lif、li2o、mgo，al2o3等和外面一层较厚的al组成，其电子注入性能较纯al电极高，可得到更高的发光效率和更好的i-v特性曲线；掺杂复合型电极是将掺杂有低功函数金属的有机层夹在阴极和有机发光层之间，可大大改善器件性能，典型器件为ito/npd/alq/alq(li)/al，最大亮度可达30000cd/m2(坎德拉每平方米)，如无掺li层器件，亮度为3400cd/m2。

当然，显示区还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等结构，空穴注入层及空穴传输层位于第一电极(可作为阳极)与有机发光层之间，电子传输层及电子注入层位于有机发光层与第二电极(可作为阴极)之间。当施加适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在有机发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝rgb三原色，构成基本色彩。

请结合图3及图4，基板1、第三钝化层2也部分存在于所述邦定区b。所述邦定区包括第三金属层34、第一钝化层5、第一金属层35、第二钝化层6、第二金属层8。周边区a也可以包括上述各层结构。所述周边区a还包括位于第二钝化层6与第二有机层9之间的第一有机层7。所述第二金属层8借由所述钝化层6上的接触孔61与所述第一金属层35电连接，所述第二金属层8的对应于所述多个第二有机层9的通孔91的部分暴露出来而形成多个接触电极81，第二有机层9作为保护层。

下面结合图5至图11对所述显示面板的制作过程进行描述。

请结合图2及图5，所述第三钝化层2的材质可选用无机材料，诸如siox、sinx或sion等无机绝缘材料形成。

请结合图6，所述第一金属层34形成于第三钝化层2上。可选的，第三金属层34可与薄膜晶体管的栅极33位于同一层。需要指出的，第三金属层8形成于第三钝化层2上即理解为直接形成于第三钝化层2上(两者直接接触，后文类似)。也就是说，在形成第三金属膜层后，进行图形化，在显示区域内形成栅极33，在邦定区域内形成第三金属层34，这样可以节省掩模工艺，降低生产成本。金属膜层的材质可以是铝、铝合金、铜、铜合金或其他材料及其组合。在其他实施例中，第三金属层34也可以是与栅极33电连接的金属连接线。

请结合图7，所述第一钝化层5形成于第三金属层34上，所述第一钝化层5具有多个第一接触孔51，第一金属层35通过第一接触孔51而与第三金属层34电连接。具体地，第一金属层35伸入第一接触孔51而与第三金属层34接触。这里的电连接可以是直接电性连接，也可以是借助其他电连接元件进行间接的电性连接。第一钝化层5的材料与第三钝化层2类似，不再赘述，显示区域内的第一钝化层5未作图示。为便于理解，前述各层(第三金属层34、第一钝化层5、第一金属层35、第二钝化层6)可定义为衬底层组10。

请结合图8，所述第一金属层35形成于第一钝化层5(或衬底模组10)上，第一金属层35分别与第三金属层34及第二金属层8电连接，以实现第三金属层34与第二金属层8的电连接。第一金属层35的材质与第三金属层34类似。可选的，第一金属层35可与薄膜晶体管的源极31、漏极32(也可称为源漏极)位于同一层。可选的，可在形成第一金属膜层后，通过图形化形成源极32、漏极33及第一金属层35。

请结合图9，所述第二钝化层6形成于第一金属层35上，所述第二钝化层6具有位于邦定区域内的第二接触孔61。第二钝化层6的材质与第三钝化层2、第一钝化层5的材质类似，不再赘述。

请结合图4及图10，所述第一有机层7形成于第二钝化层6上，第一有机层7由有机材料形成，例如为有机光刻胶。第一有机层7具体可作为平坦化层，在显示区域内，第一有机层7可位于薄膜晶体管与第一电极之间(图2中未显示)。本实施例中，在第二钝化层6上形成第一有机膜层后，将邦定区域及周边区域部分的第一有机膜层内的部分全部刻蚀，形成开口71。请结合图3，而在周边区域内，第一有机层位于第二钝化层6与第二有机层9之间。

所述开口71的尺寸大于邦定区b的尺寸，所述第一有机层7(或者说开口71的内侧面)与第二区域b的距离为a。不同膜层之间存在对位精度要求，例如对位精度为2微米，假如a的距离为1微米，由于对位精度不能满足，容易导致横向(垂直于上下方向)膜层结构不一样，会影响到后续的邦定工序。本实施例中a不小于5微米，可满足对位精度的要求，消除或降低对位偏差，进一步降低对邦定工序的影响。

请结合图11，所述第二金属层8形成于第二钝化层6上，这是由于邦定区域的第一有机层7已被全部刻蚀，第一有机层仅形成于显示区(未图示)及周边区a。所述第二金属层8通过第二接触孔61与第一金属层35电连接，实际上，第二金属层8即是位于开口71内，开口内可理解为第一有机层7在横向上围成的区域，该区域在上下方向上可认为没有边界。所述多个接触电极81作为与集成驱动电路的接脚电性接触部。可选的，第二金属层8可以与第一电极41位于同一层。可选的，在形成第二金属膜层后，图案化形成第一电极41及第二金属层8。

请结合图3，所述第二有机层9形成于第三金属层上，第二有机层9可以是保护层。可选的，第二有机层9与像素限定层42位于同一层。所述第二有机层9具有多个通孔91，所述上表面81至少部分暴露于通孔91内，而形成接触电极81，用于与驱动芯片的引脚或者与安装有该驱动芯片的柔性印刷电路板(fpc)的引脚接触，通孔91决定了接触电极81的面积(接触电极81仅指第二金属层8经由通孔91暴露的部分)，即决定了邦定面积。所述多个通孔91(或多个接触电极81)位于开口71的区域内。实际上，整个邦定区b都位于开口71内。

开口71的作用是为了使第二金属层8与第一金属层35能够接触而进行电连接，开口的大小影响了第二有机层9的结构，进而对邦定面积造成影响。本实施例中，发明人发现，邦定区域的第一有机层7已被全部刻蚀去除，因而第二金属层8所形成的金属线的面积可以更大，通孔91决定了接触电极81的面积也就可以更大，从而增大邦定面积，增加acf粒子的数量，进而降低邦定电阻，改善邦定良率。

本实施例中，所述多个接触电极81的面积之和与所述第二金属层的上表面的面积的比值范围为60％～95％，所述多个接触电极81的面积之和与邦定区b的横截面积的比值范围为40％～70％，如此可满足邦定面积的要求。

在其他实施例中，也可以不完全去除邦定区b内的第一有机层。譬如在邦定区b刻蚀形成多个开口，至少两个通孔(或者说接触电极)位于一个开口的区域内，同样可消除第一有机层对第二有机层9的结构的影响，从而增大邦定面积。

请结合图4，所述邦定区至少包括第一焊盘9a及第二焊盘9b，用于与fpc进行电连接。所述第一焊盘9a与第二焊盘9b结构相同且彼此间隔开，每个所述焊盘9a、9b包括多个接触电极81，同一个所述焊盘的多个接触电极981之间未设置第一金属层35及第二金属层8，因而从图4可直接看到第一钝化层5。

本申请还提供一种显示装置，其包括前述任一实施例的显示面板，当然显示装置还包括外壳、边框、控制器等结构，此处不再赘述。

本申请中通过对第一有机层进行大面积的刻蚀，使第三连接电极具有更大的裸露面积，从而增大邦定面积，增加acf粒子的数量，降低邦定电阻，改善邦定良率。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。