图像传感器及其形成方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。

背景技术：

图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。图像传感器分为互补金属氧化物(cmos)图像传感器和电荷耦合器件(ccd)图像传感器。cmos图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，cmos图像传感器越来越多地取代ccd图像传感器应用于各类电子产品中。目前，cmos图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。

cmos图像传感器包括前照式(fsi)图像传感器和背照式(bsi)图像传感器。在背照式图像传感器中，光从图像传感器的背面入射到图像传感器中的感光二极管上，从而将光能转化为电能。

然而，随着器件集成度的提高，图像传感器中像素单元密度随之增大，相邻像素单元之间的暗电流(darkcurrent)不断增大，影响了图像传感器的性能。

技术实现要素：

本发明解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以抑制相邻像素单元之间的暗电流，以提高图像传感器的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括多个像素区、以及位于相邻所述像素区之间的隔离区，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；位于半导体衬底像素区内的感光结构，所述半导体衬底第一面暴露出所述感光结构；位于半导体衬底第二面表面的阻挡层，所述阻挡层内具有第一凹槽，所述第一凹槽底部暴露出位于像素区的阻挡层表面，所述阻挡层材料为抗压材料；位于所述第一凹槽内的滤光层，所述阻挡层材料的热膨胀系数小于滤光层材料的热膨胀系数。

可选的，所述阻挡层材料的热膨胀系数大于1x10-6/k。

可选的，所述阻挡层材料的抗压系数大于1mpa。

可选的，所述阻挡层的材料包括：单晶硅，单晶锗，硅锗等半导体材料。

可选的，所述第一凹槽底部表面距离阻挡层底部表面的距离为10nm～300nm。

可选的，还包括：位于隔离区的阻挡层表面的栅格层，相邻栅格层之间具有第二凹槽，所述第二凹槽与第一凹槽贯通；位于所述第一凹槽和所述第二凹槽内的滤光层。

可选的，所述第一凹槽侧壁的高度与栅格层的高度比例为1:30～1:1。

可选的，所述第一凹槽侧壁的高度的范围为50nm～2um。

可选的，所述栅格层的结构为单层结构或者多层复合结构。

可选的，当所述栅格层的结构为单层结构时，所述栅格层的材料包括：金属材料或其他非金属材料。

可选的，当所述栅格层的结构为多层复合结构时，所述栅格层的结构包括：金属层，位于金属层表面的粘附层以及位于粘附层表面的氧化层。

相应的，本发明还提供一种上述任意一种所述的图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个像素区、以及位于相邻所述像素区之间的隔离区，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；在像素区的半导体衬底内形成感光结构，所述半导体衬底第一面暴露出所述感光结构；在半导体衬底第二面表面形成阻挡层，所述阻挡层内具有第一凹槽，所述第一凹槽底部暴露出位于像素区的阻挡层表面，所述阻挡层材料为抗压材料；在所述第一凹槽内形成滤光层，所述阻挡层材料的热膨胀系数小于滤光层材料的热膨胀系数。

可选的，还包括：在位于隔离区的阻挡层表面形成栅格层，相邻栅格层之间具有第二凹槽，所述第二凹槽与第一凹槽贯通；在所述第一凹槽和第二凹槽内形成滤光层。

可选的，形成阻挡层的过程中形成所述栅格层。

可选的，所述阻挡层和栅格层的形成方法包括：在所述半导体衬底第二面表面形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层表面形成初始栅格层；在所述初始栅格层表面形成第一图形层，所述第一图形层暴露出部分初始栅格层表面；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀去除像素区的初始栅格层和像素区的部分所述初始阻挡层，形成阻挡层、栅格层、第一凹槽和第二凹槽。

可选的，当所述栅格层的结构为多层复合结构时，所述栅格层的结构包括：金属层，位于金属层表面的粘附层以及位于粘附层表面的氧化层；所述阻挡层和栅格层的形成方法包括：在所述初始阻挡层表面形成初始栅格层，所述初始栅格层包括：初始金属层、位于初始金属层表面的初始粘附层、位于初始粘附层表面的初始氧化层；在所述初始氧化层表面形成第一图形层，所述第一图形层暴露出部分初始氧化层表面；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀去除像素区的所述初始栅格层和像素区的部分所述初始阻挡层，形成阻挡层、栅格层、第一凹槽和第二凹槽，使得所述初始金属层形成为金属层，使得所述初始粘附层形成为粘附层，使得所述初始氧化层形成为氧化层。

可选的，形成阻挡层后，形成所述栅格层。

可选的，所述阻挡层和栅格层的形成方法包括：在所述半导体衬底第二面表面形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层表面形成第二图形层，所述第二图形层暴露出部分初始阻挡层表面；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀去除像素区的所述初始阻挡层，形成阻挡层，所述阻挡层内具有第一凹槽，所述第一凹槽位于像素区半导体衬底表面，所述隔离区的阻挡层顶部表面高于像素区的阻挡层顶部表面；在所述阻挡层表面形成初始栅格层；在所述初始栅格层表面形成第三图形层，所述第三图形层暴露出部分初始栅格层表面，以所述第三图形层为掩膜，刻蚀所述初始栅格层，直至暴露出阻挡层内第一凹槽的底部表面，形成所述栅格层和第二凹槽，所述第一凹槽侧壁与第二凹槽侧壁对齐。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

本发明技术方案提供的图像传感器的结构中，所述阻挡层内具有第一凹槽，所述滤光层位于第一凹槽内，所述阻挡层覆盖滤光层底部和侧壁表面。当温度升高时，滤光层材料向各个方向膨胀，包括横向方向和纵向方向，在纵向方向上，阻挡层位于滤光层和感光结构之间，所述阻挡层材料的热膨胀系数小于滤光层材料的热膨胀系数，且所述阻挡层材料的抗压系数较高，能对滤光层热膨胀所导致的纵向应力提供了有效的缓冲，因此可以通过阻挡层减小感光结构所经受的纵向应力大小，从而减小应力对载流子带隙的影响，从而减小图像传感器的暗电流；在横向方向上，阻挡层覆盖部分滤光层侧壁表面，所述阻挡层位于相邻像素区的滤光层之间，能够对滤光层热膨胀所导致的横向应力提供缓冲，能够通过阻挡层减小滤光层的中心偏移。综上，图像传感器的性能得到提升。

附图说明

图1是一种图像传感器的结构示意图；

图2至图8是本发明一实施例中图像传感器形成过程的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术的图像传感器的性能较差。

参考图1，图1是一种图像传感器的结构示意图，所述图像传感器包括多个像素单元，所述像素单元包括：互联结构140、衬底100、感光结构120和受光结构，所述衬底100具有相对的第一表面和第二表面，所述感光结构120位于所述衬底100内，所述衬底100第一表面暴露出感光结构120，所述互连结构140与衬底100第一表面相接触，所述受光结构位于衬底100第二表面上，所述受光结构包括透镜层180、滤光层170和栅格层160，透镜层180位于滤光层170表面，栅格层160位于相邻滤光层170之间；所述图像传感器还包括隔离层130和抗反射涂层150，所述隔离层130位于相邻的像素单元的衬底100之间，所述抗反射涂层150位于衬底100第二表面，所述受光结构位于抗反射涂层150表面。

图1中示出了所述图像传感器相邻的三个像素单元，包括第一像素单元111、第二像素单元112和第三像素单元113。

如图1所示，所述第二像素单元112位于第一像素单元111和第三像素单元113之间；当温度升高时，位于第二像素单元112上的滤光层170材料向各个方向膨胀，包括平行于衬底表面方向上的横向方向和垂直于衬底表面方向上的纵向方向的膨胀。位于第二像素单元112上的滤光层材料的横向膨胀导致相邻的第一像素单元111和第三像素单元113上的滤光层受到平行于衬底表面方向上的横向应力，使得第一像素单元111和第三像素单元113的滤光层中心发生偏移，使得进入到受光结构的光线的光路发生变化，影响图像传感器的性能。位于第二像素单元112上的滤光层170材料的垂直于衬底表面方向上的纵向膨胀，导致第二像素单元112内的感光单元受到纵向应力，该应力导致感光结构的载流子带隙变窄，这可能导致感光结构容易被激发，并且由此使图像传感器中的暗电流的增大，从而导致图像传感器性能较差。

本发明提供一种图像传感器，通过形成覆盖滤光层侧壁和底部表面的阻挡层，所述阻挡层位于滤光层和感光结构之间且所述阻挡层还覆盖部分滤光层侧壁，在纵向方向上，所述阻挡层材料的热膨胀系数小于滤光层材料的热膨胀系数，且所述阻挡层材料的抗压系数较高，能对滤光层热膨胀所导致的纵向应力提供了有效的缓冲，从而减小应力对载流子带隙的影响，从而减小图像传感器的暗电流；在横向方向上，阻挡层覆盖部分滤光层侧壁表面，所述阻挡层位于相邻像素区的滤光层之间，能够对滤光层热膨胀所导致的横向应力提供缓冲，能够通过阻挡层减小滤光层的中心偏移，所述图像传感器的性能得到提升。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图2至图8是本发明一实施例中图像传感器形成过程的结构示意图。

请参考图2，提供半导体衬底220。

所述半导体衬底220内包括多个像素区210、以及位于相邻所述像素区210之间的隔离区211。

所述半导体衬底220具有相对的第一面201和第二面202。

在所述像素区210的半导体衬底220内形成感光结构230，所述半导体衬底220第一面201暴露出所述感光结构230。

在所述隔离区211的半导体衬底220内形成深沟槽隔离结构250，所述半导体衬底220第二面202暴露出深沟槽隔离结构250。

所述深沟槽隔离结构250用于防止相邻像素单元之间的光串扰。

所述像素区210用于采集光线，并对所采集的光线进行光电转换。本实施例中，所述多个像素区210用于构成像素阵列。

图2中仅示出了所述图像传感器像素阵列中相邻的三个像素区210。

所述半导体衬底220用于为所述感光结构230的形成提供工艺基础。

本实施例中，所述半导体衬底220的材料为单晶硅。所述半导体衬底220还可以是多晶硅或非晶硅。所述半导体衬底220的材料还可以为锗、锗化硅、砷化镓等半导体材料。所述半导体衬底220的还可以为绝缘体上的硅衬底、绝缘体上的锗衬底或玻璃衬底等其他类型的衬底。

所述感光结构230用于吸收光线并进行光电转换。

本实施例中，所述感光结构230为感光二极管。其他实施例中，所述感光结构还可以是感光mos管等其他实现光电转换功能的元器件。

本实施例中，所述图像传感器为背照式图像传感器，还包括：在半导体衬底220第一面201表面形成互连结构240。

所述互联结构240用于将感光结构230的信息进行处理和传输。

所述互连结构240包括插塞和多层金属导线层，所述金属导线层的材料为铜。

在半导体衬底200第二面202表面形成阻挡层271，所述阻挡层271内具有第一凹槽206，所述第一凹槽206底部暴露出位于像素区210的阻挡层271表面，所述阻挡层271材料为抗压材料。

所述阻挡层的形成方法包括：在所述半导体衬底第二面表面形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分初始阻挡层；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述初始阻挡层，形成阻挡层，所述阻挡层内具有第一凹槽，所述第一凹槽位于像素区半导体衬底表面。

本实施例中，还包括：在位于隔离区211的阻挡层271表面形成栅格层280，相邻栅格层280之间具有第二凹槽207，所述第二凹槽207与第一凹槽206贯通，且所述第一凹槽206侧壁与第二凹槽207侧壁对齐。

本实施例中，在形成阻挡层271的过程中形成所述栅格层280。

参考图3，在半导体衬底220第二面202的表面形成初始阻挡层270；在所述初始阻挡层270表面形成初始栅格层。

本实施例中，形成初始阻挡层270之前，还包括：在半导体衬底220第二面202的表面形成抗反射涂层260。

所述抗反射涂层260用于减少光线的反射。

在一实施例中，形成初始阻挡层270之前，还包括在半导体衬底220第二面202的表面形成介电增透层。

所述初始栅格层为后续形成栅格层提供材料。

所述初始栅格层可以为单层膜结构或者多层膜结构。

本实施例中，所述初始栅格层为多层膜结构。

本实施例中，初始栅格层包括：初始金属层203、位于初始金属层203表面的初始粘附层204、位于初始粘附层204表面的初始氧化层205。

所述初始金属层203为后续形成栅格层的金属层提供材料。

所述初始粘附层204为后续形成栅格层的粘附层提供材料。

所述初始氧化层205为后续形成栅格层的氧化层提供材料。

所述初始金属层203的材料包括：金属或金属合金，例如钨或铝铜合金。

所述初始粘附层204的材料包括：氮化硅，氮氧化硅等材料。

所述初始氧化层205的材料包括：氧化硅。

在一实施例中，所述初始栅格层还包括：位于初始氧化层205表面的初始第一粘附层；位于初始第一粘附层表面的初始第一氧化层等其他以此规律形成的多层复合结构。

其他实施例中，所述初始栅格层为单层膜结构。

在一实施例中，所述初始栅格层仅包括初始金属层。

在另一实施例中，所述初始栅格层仅包括初始粘附层。

在又一实施例中，所述初始栅格层仅包括初始氧化层。

参考图4，刻蚀去除像素区210的初始栅格层和像素区210的部分初始阻挡层270，形成栅格层280、阻挡层271、第一凹槽206和第二凹槽207。

所述第一凹槽206位于阻挡层271内，所述第一凹槽206底部暴露出位于像素区210的阻挡层271表面。

所述第二凹槽207位于相邻栅格层之间，所述第二凹槽207与第一凹槽206贯通，且所述第一凹槽207侧壁与第二凹槽206侧壁对齐。

所述第一凹槽206和第二凹槽207为后续形成滤光层提供空间。

具体的，形成栅格层280、阻挡层271、第一凹槽206和第二凹槽207的方法包括：在所述初始栅格层表面形成第一图形层(未图示)，所述第一图形层暴露出部分初始栅格层表面；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀去除像素区210的所述初始栅格层和像素区210的部分所述初始阻挡层，形成阻挡层271、栅格层280、第一凹槽206和第二凹槽207。

本实施例中，所述栅格层280为多层复合结构，形成栅格层280、阻挡层271、第一凹槽206和第二凹槽207的方法包括：在所述初始氧化层205表面形成第一图形层(未图示)，所述第一图形层暴露出部分初始氧化层205表面；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀去除像素区210的所述初始栅格层和像素区210的部分所述初始阻挡层270，形成阻挡层271、栅格层280、第一凹槽206和第二凹槽207，使得所述初始金属层203形成为金属层281，使得所述初始粘附层204形成为粘附层282，使得所述初始氧化层205形成为氧化层283。

所述栅格层280包括：金属层281、位于金属层281表面的粘附层282、位于粘附层283表面的氧化层283。

所述第二凹槽207侧壁暴露出金属层281侧壁、粘附层282侧壁和氧化层283侧壁。

在一实施例中，所述初始栅格层还包括：位于氧化层283表面的第一粘附层；位于第一粘附层表面的第一氧化层；等其他以此规律形成的多层复合结构。

其他实施例中，所述栅格层为单层结构，所述栅格层的材料包括：金属材料或其他非金属材料。

在一实施例中，所述栅格层仅包括金属层，所述金属层的材料包括：金属或金属合金，例如钨或铝铜合金。

在另一实施例中，所述栅格层仅包括粘附层，所述粘附层的材料包括：氮化硅，氮氧化硅等材料。

在又一实施例中，所述栅格层仅包括氧化层，所述氧化层的材料包括：氧化硅。

刻蚀去除部分初始栅格层和部分初始阻挡层270的工艺包括：各向异性的干法刻蚀工艺。

所述阻挡层271的材料的热膨胀系数为大于1x10^-6/k。

所述阻挡层271材料的抗压系数大于1mpa。

所述阻挡层271覆盖后续形成的滤光层部分侧壁表面和底部表面。当温度升高时，滤光层材料向各个方向膨胀，包括横向方向和纵向方向，在纵向方向上，阻挡层271位于滤光层和感光结构230之间，所述阻挡层271材料的热膨胀系数小于滤光层材料的热膨胀系数，且所述阻挡层271材料的抗压系数较高，能对滤光层热膨胀所导致的纵向应力提供了有效的缓冲，因此可以通过阻挡层减小感光结构所经受的纵向应力大小，从而减小应力对载流子带隙的影响，从而减小图像传感器的暗电流；在横向方向上，阻挡层覆盖部分滤光层侧壁表面，所述阻挡层271位于相邻像素区的滤光层之间，能够对滤光层热膨胀所导致的横向应力提供缓冲，能够通过阻挡层271减小滤光层的中心偏移。从而使得图像传感器的性能得到提升。

所述阻挡层271的材料包括：单晶硅，单晶锗，硅锗等半导体材料。

本实施例中，所述阻挡层271的材料为单晶硅。

所述第一凹槽206底部表面距离阻挡层271底部表面的距离根据产品的性能而定。所述第一凹槽206底部表面的阻挡层271需要不影响感光结构的进光量，同时具有一定的抗压能力，稳定性能足够好，有效缓冲感光结构所受的纵向应力。

所述第一凹槽206底部表面距离阻挡层271底部表面的距离为10nm～300nm。

本实施例中，所述第一凹槽206底部表面距离阻挡层底部表面的距离为100nm

所述第一凹槽206底部表面距离阻挡层271底部表面的距离小于10nm,阻挡层271的抗压性能有限，无法有效缓冲感光结构所受的纵向应力，减小暗电流能力有限；所述距离大于300nm，则像素区上的阻挡层厚度过厚，透光性变弱，影响感光结构对光的吸收。

所述第一凹槽206侧壁的高度与栅格层280的高度比例为1:30～1:1。

本实施例中，所述第一凹槽206侧壁的高度与栅格层280的高度比例为1:20。

所述第一凹槽206侧壁的高度根据产品的性能而定。

所述第一凹槽206侧壁的高度为50nm～2um。

本实施例中，所述第一凹槽206侧壁的高度的范围为1.5um

在一实施例中，形成阻挡层271后，形成所述栅格层280。

所述阻挡层和栅格层的形成方法包括：在所述半导体衬底第二面表面形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层表面形成第三图形层，所述第三图形层暴露出部分初始阻挡层表面；以所述第三图形层为掩膜，刻蚀去除像素区的所述初始阻挡层，形成阻挡层，所述阻挡层内具有第一凹槽，所述第一凹槽位于像素区半导体衬底表面，所述隔离区的阻挡层顶部表面高于像素区的阻挡层顶部表面；在所述阻挡层表面形成初始栅格层；在所述初始栅格层表面形成第三图形层，所述第三图形层暴露出部分初始栅格层表面，以所述第三图形层为掩膜，刻蚀所述初始栅格层，直至暴露出阻挡层内第一凹槽的底部表面，形成所述栅格层和第二凹槽，所述第一凹槽侧壁与第二凹槽侧壁对齐。

参考图5，在所述第一凹槽206内形成滤光层290。

所述滤光层290用于过滤特定波长的光线。

本实施例中，在所述第一凹槽206和第二凹槽207内形成滤光层290，所述滤光层290顶部与栅格层280顶部表面齐平。

所述滤光层290的形成方法包括：在所述第一凹槽206和第二凹槽207内和栅格层280顶部表面形成初始滤光材料层(未图示)；平坦化所述初始滤光材料层，直至暴露出栅格层280顶部表面，在所述第一凹槽206和第二凹槽207形成所述滤光层290。

所述滤光层290位于第一凹槽206和第二凹槽207内，则所述阻挡层271覆盖部分滤光层290侧壁表面和滤光层290底部表面。当温度升高时，滤光层290材料向各个方向膨胀，包括横向方向和纵向方向，在纵向方向上，阻挡层271位于滤光层290和感光结构230之间，所述阻挡层271材料的热膨胀系数小于滤光层290材料的热膨胀系数，且所述阻挡层271材料的抗压系数较高，能对滤光层290热膨胀所导致的纵向应力提供了有效的缓冲，因此可以通过阻挡层271减小感光结构230所经受的纵向应力大小，从而减小应力对载流子带隙的影响，从而减小图像传感器的暗电流；在横向方向上，阻挡层271覆盖部分滤光层290侧壁表面，所述阻挡层271位于相邻像素区的滤光层290之间，能够对滤光层290热膨胀所导致的横向应力提供缓冲，能够通过阻挡层270减小滤光层290的中心偏移。从而使得图像传感器的性能得到提升。

参考图6，形成滤光层290后，在滤光层290上形成透镜层300。

所述透镜层300用于改变光路，使得光线沿特定的光路进入滤光层290和感光结构230。

所述透镜层300覆盖部分栅格层280顶部表面。

本发明还提供一种采用上述方法形成的背照式图像传感器，请参考图6，包括：半导体衬底220，所述半导体衬底220包括多个像素区210、以及位于相邻所述像素区210之间的隔离区211，所述半导体衬底220具有相对的第一面201和第二面202；位于半导体衬底220像素区210内的感光结构230，所述半导体衬底220第一面201暴露出感光结构230；位于半导体衬底220第二面202表面的阻挡层271，所述阻挡层271内具有第一凹槽，所述第一凹槽底部暴露出位于像素区210的阻挡层271表面，所述阻挡层271材料为抗压材料；位于所述第一凹槽内的滤光层290，所述阻挡层271材料的热膨胀系数小于滤光层290材料的热膨胀系数。

所述半导体衬底220参照前述实施例的内容，不再详述。

所述滤光层290的结构和位置参考前述实施例的内容，不再详述。

所述阻挡层271材料的热膨胀系数大于1x10^-6/k。

所述阻挡层271材料的抗压系数大于1mpa。

所述阻挡层271的材料包括：单晶硅，单晶锗，硅锗等半导体材料。

所述第一凹槽底部表面距离阻挡层271底部表面的距离为10nm～300nm。

本实施例中，还包括：位于隔离区211的阻挡层271表面的栅格层280，相邻栅格层280之间具有第二凹槽，所述第二凹槽与第一凹槽贯通；位于所述第一凹槽和所述第二凹槽内的滤光层。

所述第一凹槽侧壁的高度与栅格层280的高度比例为1:30～1:1。

所述第一凹槽侧壁的高度的范围为50nm～2um。

所述栅格层280的结构为单层结构或者多层复合结构。

本实施例中，所述栅格层280为多层复合结构，所述栅格层280的结构包括：金属层281，位于金属层281表面的粘附层282以及位于粘附层282表面的氧化层283。

当所述栅格层280的结构为单层结构时，参考图7，所述栅格层280的材料包括：金属材料或其他非金属材料。

在一实施例中，所述栅格层仅包括金属层，所述金属层的材料包括：金属或金属合金，例如钨或铝铜合金。

在另一实施例中，所述栅格层仅包括粘附层，所述粘附层的材料包括：氮化硅，氮氧化硅等材料。

在又一实施例中，所述栅格层仅包括氧化层，所述氧化层的材料包括：氧化硅。

所述阻挡层271覆盖部分滤光层290侧壁表面和滤光层290底部表面。当温度升高时，滤光层290材料向各个方向膨胀，包括横向方向和纵向方向，在纵向方向上，阻挡层271位于滤光层290和感光结构230之间，所述阻挡层271材料的热膨胀系数小于滤光层290材料的热膨胀系数，且所述阻挡层271材料的抗压系数较高，能对滤光层290热膨胀所导致的纵向应力提供了有效的缓冲，因此可以通过阻挡层271减小感光结构230所经受的纵向应力大小，从而减小应力对载流子带隙的影响，从而减小图像传感器的暗电流；在横向方向上，阻挡层271覆盖部分滤光层290侧壁表面，所述阻挡层271位于相邻像素区的滤光层290之间，能够对滤光层290热膨胀所导致的横向应力提供缓冲，能够通过阻挡层270减小滤光层290的中心偏移。从而使得图像传感器的性能得到提升。

在一实施例中，不形成栅极层，参考图8，所述滤光层290顶部表面和阻挡层271顶部表面齐平。

所述阻挡层271覆盖滤光层290侧壁表面和底部表面。所述阻挡层271材料的热膨胀系数小于滤光层290材料的热膨胀系数，且所述阻挡层271材料的抗压系数较高，阻挡层271部分位于滤光层290和感光结构230之间，能通过阻挡层271减小感光结构230所经受的滤光层290热膨胀的纵向应力，从而减小应力对载流子带隙的影响，从而减小图像传感器的暗电流；阻挡层271覆盖滤光层290侧壁表面，且所述阻挡层271位于相邻像素区的滤光层290之间，能够对滤光层290热膨胀所导致的横向应力提供缓冲，能够通过阻挡层270减小滤光层290的中心偏移。从而使得图像传感器的性能得到提升。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。