发光器件和显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件和显示装置。

背景技术：

量子点(quantumdot)是一种纳米级别的半导体，通过对这种纳米半导体材料施加特定的光压，它们便会发出特定频率的光。随着量子点合成技术的进步，基于量子点的发光器件的发光效率可以高达100％。而且通过改变量子点尺寸或掺入其它元素，便可以将量子点发光波长在所有可见波段内进行调节。另外，量子点发光光谱的半峰宽较窄，一般小于30nm，也满足了成为高性能显示装置的重要条件。由于量子点的诸多优良特性，使得量子点电致发光器件越来越受到人们的关注。而如何以量子点实现彩显示对于对发光器件是十分重要的。

现有的量子点电致发光器件中设置有多个像素单元。每个像素单元包括有背光源、用于发红光的红量子点层、用于发绿光的绿量子点层以及用于发蓝光的蓝量子点层。将3种发光颜色的量子点层同层铺设在背光源的出光路径上，相当于用作滤光片。通过选择控制各量子点层对应背光源的亮灭，使1个量子点层接收光照激发发光，而另外2个量子点无光照不发光，从而实现发光单元中不同颜色子像素的选择发光，进而实现显示装置对不同颜色光的显示。

但发明人发现，在使用上述量子点电致发光器件的过程中，往往会出现显示装置像素密度(pixelsperinch，简称：ppi)较低的问题。

技术实现要素：

为了解决上述问题，本发明提供一种发光器件和显示装置，实现单个子像素对两种颜色的选择发光，提高了每个子像素的利用率，从而提高了发光器件和显示装置的像素密度。

根据本发明的第一方面，提供一种发光器件，包括阵列基板以及位于所述阵列基板上的多个子像素，所述子像素包括：

相对设置的第一电极和第二电极；

位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子迁移层，所述量子迁移层包括同层设置的出光区和非出光区；

与所述出光区对应的背光源，所述背光源发出的光进入所述出光区；

其中，所述量子迁移层内设置有容置腔，所述容置腔内封装有可在所述出光区和所述非出光区中迁移的透明带电粒子和量子点。

可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，所述量子点的发光颜色是红色、绿色、蓝色中任一种，且所述量子点的发光颜色与所述背光源的发光颜色不同。

可选地，在第一方面的另一种可能实现方式中，所述透明带电粒子为表面修饰的金属氧化物纳米颗粒，所述表面修饰的金属氧化物纳米颗粒的粒径大于等于10纳米且小于等于100纳米。

可选地，在第一方面的再一种可能实现方式中，所述表面修饰的金属氧化物纳米颗粒含有：

以通式wy1oz1表示的钨氧化物，其中，所述y1和所述z1满足2.2≤z1/y1≤2.999；

和/或，以通式mx2wy2oz2表示且具有六方晶系结晶结构的复合钨氧化物，其中，所述m为h、he、碱金属、碱土金属、稀土元素、mg、zr、cr、mn、fe、ru、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、al、ga、in、tl、si、ge、sn、pb、sb、b、f、p、s、se、br、te、ti、nb、v、mo、ta、re、be、hf、os、bi、i中的一种，其中，所述x2、所述y2和所述z2满足0.001≤x2/y2≤1.1和2.2≤z2/y2≤2.999；

和/或，铟锑氧化物(缩写：iao)；

和/或，铟锡氧化物(缩写：ito)。

可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述表面修饰的金属氧化物纳米颗粒的表面包覆极性配体，所述极性配体包括nh4、so3h、cooh、卤素中的一种。

可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述子像素还包括：

位于所述第一电极和所述第二电极之间的第三透明电极，所述第三透明电极与所述第一电极和所述第二电极形成方向相反的两个控制电场。

可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述第三透明电极位于所述量子迁移层表面，且至少部分所述第三透明电极覆盖所述出光区。

可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述子像素还包括：

位于所述量子迁移层表面并覆盖所述非出光区的挡光层。

可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述量子迁移层中添加有表面活性剂。

本发明的第二方面，还提供一种显示装置，包括：本发明的第一方面及第一方面的任一种可能实现方式中所述的发光器件。

本发明提供的一种发光器件和显示装置中，量子迁移层的容置腔中封装有可以被控制电场驱使而在出光区和非出光区中进行迁移运动的透明带电粒子和量子点，背光源发出的光进入出光区，在出光区集聚有量子点时，量子点被激发发光，在出光区无量子点时，背光源发出的光直接穿过出光区出射，利用背光源的出射发出红色、绿色或蓝色的光，实现单个子像素对两种颜色的选择发光，提高了每个子像素的利用率，从而提高了显示装置的像素密度。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种量子点的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种发光器件结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种子像素结构示意图；

图4是本发明实施例提供的图3所示子像素以背光源完全出光的示意图；

图5是本发明实施例提供的一种透明带电粒子结构示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种子像素结构示意图；

图7是本发明实施例提供的图6所示子像素以背光源完全出光的示意图；

图8是本发明实施例提供的再一种子像素结构示意图。

图中包括：

1-量子点，12-核，

13-壳层，14-修饰基团，

2-透明带电粒子，21-极性配体，

a-含有绿色量子点的子像素，b-含有红色量子点的子像素，

100-阵列基板，200-子像素，

210-第一电极，220-第二电极，

230-第三透明电极，240-量子迁移层，

241-出光区，242-非出光区，

250-背光源，260-挡光层；

270-封装保护层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明实施例中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。

应当理解，在本发明实施例中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它单元。

应当理解，在本发明实施例中，“多个”是指两个或两个以上。“包括a、b和c”是指a、b、c三者都包括，“包括a、b或c”是指包括a、b、c三者之一，“包括a、b和/或c”是指包括a、b、c三者中任1个或任2个或3个。

应当理解，在本发明实施例中，“与a对应的b”、“与a相对应的b”、“a与b相对应”或者“b与a相对应”，表示b与a的形状或功能具有对应关系，根据a可以确定b。根据a确定b并不意味着仅仅根据a确定b，还可以根据a和/或其他信息确定b。

在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终以相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

本发明公开的一种发光器件和显示装置的各种实现结构中，涉及使用的量子点根据其尺寸和成分主要包括受激后可以发出红色光的量子点、发出绿色光的量子点和发出蓝色光的量子点。在对本发明各种实施例的结构进行解释说明之前，将首先对下列各实施例中的量子点进行解释说明。

应当理解，在本发明实施例中，量子点是一种纳米粒子，可以理解为其具有纳米单位尺寸的半导体结构。量子点的直径一般在2-20nm范围内，并可以根据尺寸、形状的转变而用于发出不同波长的光，不同波长光对应不同的颜色，例如包括红色、绿色和蓝色。其中，发红色光的量子点的尺寸(或直径)约为18-20nm，发绿色光的量子点的尺寸(或直径)约为12-14nm，发蓝色光的量子点的尺寸(或直径)约为6-8nm。为了使下面实施例的说明举例更加将要，下文将简单地把发红色光的量子点称为红色量子点，把发绿色光的量子点称为绿色量子点，把发蓝色光的量子点称为蓝色量子点。

参见图1，是本发明实施例提供的一种量子点的结构示意图。本发明实施例提供的量子点1主要包括如图1所示的核12、壳层13和修饰基团14。

本实施例的核12，可以由具有半导体特性的纳米晶体形成并且由元素周期表中的ii-vi族或iii-v族构成。核12根据其尺寸和成分具有一个特殊能带隙，因而吸收并发出固有波长的光线。例如，核12由化合物构成，例如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、gaas、gap、gaas、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、insb、alas、alp、alsb中的一种，或者由其中3或4种以上材料的混合物构成。形成于所述核12外部的壳层13用以防止内置所述核12的化学性质发生改变。

本实施例的壳层13，可以是无机氧化物，例如sio、tio、zno、二氧化硅或mgo，以使得壳层13与核12的成分保持绝缘特性。可选地，壳层13还可以是采用晶格匹配度高的与核12的材料同族的宽能隙材料。例如，优选地在使用cdse作为核12材料时，壳层13材料可以用cds或者cdsexs1-x。

本发明实施例中的修饰基团14，可以由包含cooh或nh4的极性配体组成，也可以是由包含三辛基氧化膦(topo)的非极性配体组成。极性配体可以使量子点1的结构更稳定。

一个发光单元通常需要发出红、绿、蓝三种颜色的光，现有方案是将三种颜色的量子点固定铺设在背光源的上方用作三个子像素，通过控制下方背光源的亮灭来对三种颜色量子点的发光控选择，实现三个子像素的发光控制。但这种结构在每个发光单元中无疑需要具备用于发出三种颜色光的三种量子点，难以对单个发光单元的大小进行缩小，使得显示装置的ppi受限。为了减小单个发光单元的大小，提高显示装置的结构紧凑性，本发明实施例提供了一种发光器件，通过量子迁移层和背光源的共同作用，使每个子像素都能发出至少两种颜色的光，实现了单个子像素至少能选择发出两种颜色的光，提高了每个子像素的利用率，从而提高了显示装置的像素密度。

参见图2，是本发明实施例提供的一种发光器件结构示意图。如图2所示，发光器件主要包括阵列基板100以及位于所述阵列基板100上的多个子像素200。子像素200在阵列基板100之上的排布方式可以参见图2所示的孤岛矩阵式分布，但本发明实施例不限于此。如图2所示的发光器件中，每个子像素200都是包括量子点和背光源的结构。图2中所示的含有绿色量子点的子像素a和含有红色量子点的子像素b之下的背光源，都是发蓝色光的背光源，且每个子像素200之下的背光源独立设置。但本发明实施例背光源的发光颜色不限图2所示的实施例，参见下面实施例的说明。

参见图3，是本发明实施例提供的一种子像素结构示意图。为了更加清楚地说明图2所示发光器件中各个子像素200的结构，下面结合图3和具体实施例对子像素200的结构进行解释说明。

如图3所示，子像素200主要包括：第一电极210、第二电极220、量子迁移层240和背光源250。量子迁移层240位于相对设置的第一电极210和第二电极220之间。本实施例中的量子迁移层240可以理解为是封装有可移动的透明带电粒子和量子点的介质层。优选地，在一种实现方式中，第一电极210、第二电极220和量子迁移层240三者可以是同层设置，参见图3。在第一电极210和第二电极220上施加电压可以形成控制电场，优选地，与量子迁移层240同层设置的第一电极210和第二电极220，可以使整个量子迁移层240处于控制电场的核心范围内，提高控制电场的控制效力。本发明实施例中的第一电极210和第二电极220是用于在量子迁移层240中形成控制电场，其结构和设置方式不限于图3所示的实施例。

继续参见图3，量子迁移层240包括同层设置的出光区241和非出光区242。出光区241是量子迁移层240中被设置在背光源250的发光路径上的区域，而相对地，非出光区242域则是量子迁移层240中被设置在背光源250发光路径之外的区域。

继续参见图3，背光源250被设置为与出光区241相对应，以使得背光源250发出的光进入量子迁移层240的出光区241。在一个实施例中，可以理解为，背光源250位于量子迁移层240之下。在另一种实现方式中，可以先在阵列基板100上设置背光源250，背光源250向上发光；然后形成一层封装保护层270覆盖阵列基板100和背光源250的表面，用于固定和保护背光源250，且该封装保护层270的材料为不影响背光源250出光的透明材料；最后在封装保护层270上形成同层或异层设置的第一电极210、第二电极220和量子迁移层240，参见图3所示的结构。在图3所示的结构中，背光源250正对量子迁移层240的出光区241。可以理解地，背光源250在量子迁移层240上的投影为出光区241朝向背光源250一面的表面，或者理解为，量子迁移层240的出光区241靠近背光源250的表面尺寸与背光源250的上发光表面尺寸一致。

继续参见图3，量子迁移层240内设置有容置腔，并在容置腔内封装可在出光区241和非出光区242中迁移的透明带电粒子2和量子点1。可以理解为，容置腔内填充有基质作为溶剂，而基质中添加有透明带电粒子2和量子点1。添加的透明带电粒子2可以吸附在量子点1的表面和围绕在量子点1周围，导致透明带电粒子2在被电场驱使运动时，带动量子点1随之一同在基质中运动，实现量子点1的迁移。透明带电粒子2带动量子点1运动实现量子点1迁移的方式主要有以下两种：

一种方式，是每个量子点1在其表面吸附的透明带电粒子2的牵引作用下，在量子迁移层240被施加控制电场时，透明带电粒子2在电场作用力下做电泳运动。每个量子点1被其表面吸附的透明带电粒子2拉扯着，朝电泳方向进行迁移。

另一种方式，是每个量子点1周围都存在大量的未吸附的透明带电粒子2，这些透明带电粒子2自由运动并在量子迁移层240被施加控制电场时做电泳运动。在大量透明带电粒子2朝着同一个电泳方向运动时，量子点1与其周围的透明带电粒子2产生碰撞，这些碰撞产生的作用力，同样将量子点1朝电泳方向推进。可以理解为大量透明带电粒子2裹挟着其中的量子点1一起运动。

以上两种方式并不是孤立存在的，而是同时进行的。因此量子点1在透明带电粒子2的“协助”下被控制电场驱动而在出光区241与非出光区242之间迁移，通过透明带电粒子2的上述两种带动方式相互结合，提高了量子点1的迁移速度，进而提高了发光器件的刷新频率。

其中，基质的材料可以是根据其中量子点1的修饰基团14的材料来确定的。例如，如果量子点1的修饰基团14由cooh或nh4的极性配体组成，则基质可以采用醇类溶剂，例如乙醇。如果量子点1的修饰基团14由类似topo的非极性配体组成，则基质可以采用烷烃类溶剂，例如正庚烷或者正辛烷等。

参见图4，是本发明实施例提供的图3所示子像素以背光源完全出光的示意图。背光源250的发光颜色是红色、绿色、蓝色中任一种。由于实现原理类似，在图3和图4所示的结构以及下面的实施例中，将以发蓝光的背光源250和绿色量子点1进行举例说明。图3和图4所示的结构中的出光区241，设置在量子迁移层240的中央位置，出光区241两侧与第一电极210和第二电极220的之间分别设置有非出光区242。在需要子像素200显示绿色时，通过控制第一电极210和第二电极220上的电压，以使得量子迁移层240中绿色量子点1形成均匀分布，尤其是紧密排布在出光区241之中，参见图3。由于量子点1粒径足够小，因此可以在均匀分布时形成对下方背光源250的完全遮挡。背光源250发出的蓝光被出光区241中的绿色量子点1吸收，绿色量子点1发出绿光并从出光区241出射，由此实现子像素200的绿色显示。在需要子像素200显示蓝色时，通过控制第一电极210和第二电极220上的电压，以使得量子迁移层240中绿色量子点1被迁移集中至第一电极210侧或第二电极220侧，在出光区241形成一个“窗口”，参见图4。由于透明带电粒子2对量子点1的两种带动作用，能够保证在控制电场的作用下把出光区的绿色量子点1完全清空。背光源250发出的蓝光直接穿过此时的出光区241出射，由此实现子像素200的蓝色显示。可见，本实施例用一个子像素200实现两种颜色的发光，提高了单个子像素200的利用率，从而提高了发光器件的ppi和单位面积的分辨率。

可选地，发光区可以是如图3和图4所示设置在量子迁移层240的中间位置，但也可以是设置在与第一电极210或者第二电极220相邻的边缘区域，例如量子迁移层240中靠近第一电极210的一端为出光区241，靠近第二电极220的一端为非出光区242。背光源250设置在出光区241之下。对于出光区241的位置设定应根据实际情况以及第一电极210和第二电极220的位置形状来进行选择，本发明在此不做限定。

在图3和图4所示的实施例中，控制第一电极210和第二电极220上电压以实现量子点1进入或离开出光区241的方式有很多种。一种可选的方式可以是将第一电极210连接电源负极、第二电极220连接电源正极，假设透明带电粒子2带负电，形成如图4所示的驱动效果，透明带电粒子2带着量子点1一起向右移动，使得量子点1都被迁移至靠近第二电极220侧的非出光区242内，实现背光源250(假设发蓝光)直接出光，子像素200显示蓝色。然后将第一电极210和第二电极220连接的电极交换，即将第一电极210连接电源正极、第二电极220连接电源负极，使得透明带电粒子2带着量子点1一起向左移动，直至量子点1完全覆盖出光区241时，停止对第一电极210和第二电极220施加电压或者在第一电极210和第二电极220施加同电位的电压，使量子点1停留在出光区241内，遮挡住背光源250的出光路径的同时吸收背光源250的发光而使出量子点1本身的发光。例如挡住背光源250的是绿色量子点1，则此时的出光区241出射绿光，子像素200显示绿色。

本发明提供的一种发光器件和显示装置中，位于阵列基板100上子像素200设置有相对设置的第一电极210和第二电极220，以及位于第一电极210和第二电极220之间的量子迁移层240，第一电极210和第二电极220对量子迁移层240施加控制电场，量子迁移层240包括同层设置的非出光区242和与背光源250对应的出光区241，量子迁移层240的容置腔中封装有可以被控制电场驱使而在出光区241和非出光区242中进行迁移运动的透明带电粒子2和量子点1，背光源250发出的光进入出光区241，在出光区241集聚有量子时，量子点1被激发发光，在出光区241无量子点1时，背光源250发出的光直接穿过出光区241出射，利用背光源250的出射发出红色、绿色或蓝色的光，实现了单个子像素200对两种颜色的选择发光，提高了每个子像素200的利用率，从而提高了显示装置的像素密度。

为了保证每个子像素200能够显示至少两种颜色，量子迁移层240中量子点1的类型选择方式可以为：量子点1的发光颜色可以是红色、绿色、蓝色中任一种，但量子点1的发光颜色应与背光源250的发光颜色不同。这里的背光源250是指与量子点1同在一个子像素200中的背光源250。例如图2所示的发光器件中，所有子像素200的背光源250都选用蓝色背光源，含有绿色量子点的子像素a中量子迁移层240封装的量子点1为绿色量子点，而含有红色量子点的子像素b中量子迁移层240封装的量子点1为红色量子点。则图2中含有绿色量子点的子像素a用于显示蓝色和绿色，而含有红色量子点的子像素b用于显示蓝色和红色。同理，背光源250也可以是发红光或者发绿光的背光源250，而量子迁移层240中量子点1的类型选择方式同上。

为了提高量子点1的迁移速度，在上述实施例的基础上，量子迁移层240中还可以添加表面活性剂，以增加透明带电粒子2与量子点1之间的结合概率，使得每个量子点1表面结合更多的透明带电粒子2。可选地，表面活性剂可以是阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性离子表面活性剂、非离子表面活性剂或者手性表面活性剂等多种表面活性剂。表面活性剂具体又例如可以是sds、十六烷基三甲胺等。

在一种可选的实现方式中，上述透明带电粒子2优选为表面修饰的金属氧化物纳米颗粒，所述表面修饰的金属氧化物纳米颗粒的粒径大于等于10纳米且小于等于100纳米，以使这些金属氧化物纳米颗粒以胶体粒子的形式更稳定地悬浮在溶液中，避免发生聚集沉积现象。

上述表面修饰的金属氧化物纳米颗粒可以是以下任一种或多种可选材料的组合：

一种可选材料是以通式wy1oz1表示的钨氧化物，其中，所述y1和所述z1满足2.2≤z1/y1≤2.999。三氧化钨(wo3)的可见光透过性优异，但不存在有效的传导电子(自由电子)，因此将z1/y1值配置为2.999以下，在钨氧化物表面修饰自由电子，成为导电材料。并且保证z1/y1值在2.2以上，可以避免在表面修饰的金属氧化物纳米颗粒中出现wy1oz1以外的wo2的结晶相，保证了表面修饰的金属氧化物纳米颗粒的化学稳定性。

另一种可选材料是以通式mx2wy2oz2表示且具有六方晶系结晶结构的复合钨氧化物，其中，所述m为h、he、碱金属、碱土金属、稀土元素、mg、zr、cr、mn、fe、ru、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、al、ga、in、tl、si、ge、sn、pb、sb、b、f、p、s、se、br、te、ti、nb、v、mo、ta、re、be、hf、os、bi、i中的一种，其中，所述x2、所述y2和所述z2满足0.001≤x2/y2≤1.1和2.2≤z2/y2≤2.999。这种可选材料是通过添加m元素形成传导电子，m元素的添加量越多，传导电子的供给量越多。

再一种可选材料是铟锑氧化物(缩写：iao)。

又一种可选材料是铟锡氧化物(缩写：ito)。

本实施例采用的上述几种材料具有较宽的带隙，在可见光范围内保持良好的光透过性。本实施例通过减少氧化物中的含氧量或者是添加阳离子，生成传导电子，使粒子带电。同时控制上述表面修饰的金属氧化物纳米颗粒的粒径或形状，得到能够透过可见光且具有导电性能的透明带电粒子2。

参见图5，是本发明实施例提供的一种透明带电粒子结构示意图。如图5所示的，透明带电粒子2还可以是表面包覆有极性配体21的粒子。例如表面修饰的金属氧化物纳米颗粒的表面还可以与极性配体21结合，实现极性配体21的表面包覆，提供导电特性的同时防止透明带电粒子2相互凝聚。图5中透明带电粒子2中表面修饰的金属氧化物纳米颗粒是用钨氧化物作为举例，但透明带电粒子2的结构不限于此，也可以用上述其他的可选材料来制作。极性配体21优选为由nh4、磺酸根基团(so3h)、cooh和卤素中一种的化合物组成，可以提高透明带电粒子2的颗粒稳定性。

上述图3、图4所示实施例中，量子点1从覆盖出光区241至完全聚集在非出光区242的迁移过程中，量子点1的最大迁移行程是整个量子迁移层240的横向宽度。发明人在研发中发现，通过减少量子点1的最大迁移行程，可以缩短量子点1的迁移时间，提高发光器件的刷新频率。参见图6，是本发明实施例提供的另一种子像素结构示意图。参见图7，是本发明实施例提供的图6所示子像素以背光源完全出光的示意图。图6所示的子像素200还包括位于第一电极210和第二电极220之间的第三透明电极230。第三透明电极230与第一电极210和第二电极220形成方向相反的两个控制电场。其中，第三透明电极230例如可以是氧化铟锡(indium-tinoxide，简称：ito)电极，或者其他透明导电材料构成的电极。

假设透明带电粒子2带负电，量子迁移层中设置绿色量子点1，背光源250发蓝光，出光区241如图6所示设置在第三透明电极230的正下方。在需要子像素200显示绿色时，在第一电极210和第二电极220上连接电源的负极，在第三透明电极230上连接电源的正极，以使得量子迁移层240中绿色量子点1随着透明带电粒子2向第三透明电极230迁移，并最终聚集在第三透明电极230之下的出光区241中，并完全遮挡住背光源250，参见图6。此时，背光源250发出的蓝光被出光区241中的绿色量子点1吸收，绿色量子点1发出绿光并从出光区241出射，由此实现子像素200的绿色显示。在需要子像素200显示蓝色时，在第一电极210和第二电极220上连接电源的正极，在第三透明电极230上连接电源的负极，以使得量子迁移层240中绿色量子点1被迁移集中至第一电极210侧以及第二电极220侧，在第三透明电极230之下的出光区241形成一个“窗口”，参见图7。由于在第一电极210和第二电极220之间增设了第三透明电极230，而将量子点1的最大迁移行程减少了一半，缩短了量子点1完全迁移出出光区241的时间。同时，在使用同样的电压情况中，引入第三透明电极230能够增大量子迁移层240中的电场强度，提高了对每个量子点1的牵引力，进而提高了子像素200显示绿色和显示蓝色之间的转换速度，进而提高了发光器件的刷新频率。

可选地，第三透明电极230可以是位于量子迁移层240表面，并覆盖出光区241的至少局部。第三透明电极230还可以嵌设于量子迁移层240中，由此在量子迁移层240中形成横向的控制电场，提高电场控制效率。

参见图8，是本发明实施例提供的再一种子像素结构示意图。在背光源250出光的情况下，例如上述举例中蓝光出射的情况，可能因为非发光区的部分量子点1靠近出光区241，或者是背光源250发光的部分被折射或散射进入了非发光区，导致非发光区的量子点1被激发而发光，导致子像素200显示颜色不纯。为了降低子像素200出现显示颜色不纯的可能性，本实施例的子像素200如图8所示，还可以包括位于量子迁移层240表面并覆盖非出光区242的挡光层260。可以理解为，挡光层260位于量子迁移层240靠近背光源250的表面和/或量子迁移层240背离背光源250的表面。其中，挡光层260位于量子迁移层240靠近背光源250的表面时，背光源250发出的光在进入量子迁移层240之前先被挡光层260去除掉射入非出光区242的部分杂光，以使得进入量子迁移层240的背光源250发光仅从出光区241入射。挡光层260位于量子迁移层240背离背光源250的表面，可以在非发光区中量子点1发光(例如绿光)时，阻止其出射，以使得量子迁移层240仅在出光区241出射光。因此，挡光层260可以是设置在量子迁移层240靠近背光源250的表面，也可以是设置在量子迁移层240背离背光源250的表面，还可以同时设置在量子迁移层240靠近背光源250的表面和量子迁移层240背离背光源250的表面。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括：如上述任一种实施例所述的发光器件。本实施例提供的显示装置，例如可以是显示面板，或者是包含显示面板的显示屏，或者是包含显示屏的计算机系统、终端设备等。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。