一种硫化铟/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用与流程

文档序号:17798423发布日期:2019-05-31 20:56阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明属于复合半导体薄膜技术领域,公开了一种硫化铟(In2S3)/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用,所述In2S3/石墨烯复合薄膜是将氯化铟、硫脲,聚乙烯吡咯烷酮加入到乙二醇中配置反应前驱液,将旋涂有石墨烯浆料的FTO导电玻璃衬底放入微波炉中,在功率700~900W作用下,180~220℃进行微波水热反应制得。本发明In2S3/石墨烯复合薄膜的物相均匀、结晶良好且纯度较高。本发明采用微波辅助溶液合成纳米In2S与石墨烯的复合薄膜,所需设备和制备工艺简单、成本低廉且速度很快,缩短了反应时间,制备试剂无毒安全。

技术研发人员:陈梦诗
受保护的技术使用者:广东工业大学
技术研发日:2018.12.13
技术公布日:2019.05.31
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