长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法和制作方法与流程

本发明涉及长爬电光电耦合器技术领域，特别是涉及一种长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法和制作方法。

背景技术：

光电耦合器是一种特殊的半导体隔离器件，其工作原理是在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，当所述发光源发出的光照射到封装在一起的受光器后，所述受光器因光电效应产生光电流并由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。并且由于所述光电耦合器实现了输入输出端的物理隔离，因此具备体积小、寿命长、无触点、抗干扰等优点。

光电耦合器的几个主要参数有：电流传输比ctr(currenttransferradio)，输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比ctr。爬电距离，两相邻导体或一个导体与相邻电机壳表面的沿绝绝缘表面测量的最短距离。

为了提升光电耦合器的安全性，提高所述光电耦合器的绝缘距离，并使光电耦合器进一步小型化，长爬电光电耦合器应运而生。如图1所示，长爬电光电耦合器的设计特点为发光源led芯片和受光器pt芯片进行错位对射。由于终端市场应用时对电流传输比ctr的精度要求比较高，而长爬电光电耦合器的设计因发光源芯片和受光器芯片的相对位置较远导致形成的光路距离也较远，为光耦ctr的稳定性带来了不确定性。因此急需一种既能满足光电耦合器的长爬电要求又能够精确控制ctr的提高长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法和长爬电光电耦合器的制作方法。

技术实现要素：

为了解决上述问题至少之一，本发明第一方面提供一种长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法，包括：

根据光电耦合器的发光源的辐射通量进行分档获得第一分档值；

根据光电耦合器的受光器的电流增益进行分档获得第二分档值；

根据所述第一分档值和第二分档值进行配对以满足预设置的配对范围以控制所述电流传输比。

进一步的，所述电流传输比和所述发光源的辐射通量成正比例关系。

进一步的，所述电流传输比和所述受光器的电流增益成正比例关系。

进一步的，所述方法还包括：

调整所述发光源和受光器的空间距离以控制所述电流传输比。

进一步的，所述电流传输比和所述空间距离成反比例关系。

进一步的，所述方法还包括：

调整对所述发光源进行硅胶保护的参数以控制所述电流传输比。

进一步的，控制所述硅胶的点胶气压及点胶时间用于调整所述硅胶保护使用的硅胶体积以控制所述电流传输比。

进一步的，调整所述硅胶保护的回温时间和搅拌时间以控制所述电流传输比。

本发明第二方面提供一种长爬电光电耦合器的制作方法，包括：

根据光电耦合器的发光源的辐射通量进行分档获得第一分档值，根据光电耦合器的受光器的电流增益进行分档获得第二分档值；

根据预设置的配对范围、第一分档值和第二分档值将所述发光源和受光器进行配对；

分别调整所述发光源和受光器在支架的基岛上的粘片位置；

调整对所述发光源进行硅胶保护的参数。

进一步的，所述控制对所述发光源进行硅胶保护的参数进一步包括：

控制所述硅胶的点胶气压及点胶时间以调整所述硅胶保护使用的硅胶体积；

调整所述硅胶保护的回温时间和搅拌时间。

本发明的有益效果如下：

本发明针对目前现有的长爬电光电耦合器存在电流传输比不稳定的问题，制定一种提高长爬电光电耦合器电流传输比的方法和制作方法，并通过对发光源的辐射通量和受光器的电流增益进行配对，能够有效提升长爬电光电耦合器的电流传输比的中档率，在满足长爬电光耦交流耐压≥7000v，厚度≤2mm，爬电距离≥8mm的同时，对长爬电光电耦合器的电流传输比进行精确控制，能够针对不同需求进行定制化，降低生产成本，减小库存压力，并提升产品的竞争力。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出现有技术中的长爬电光电耦合器；

图2示出本发明的一个实施例所述长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法的流程图；

图3示出本发明的一个实施例所述发光源芯片固定在基岛的结构示意图；

图4示出本发明的一个实施例所述受光器芯片固定在基岛的结构示意图；

图5示出本发明的一个实施例所述制作方法的流程图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

如图2所示，本发明的一个实施例提供了一种长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法，包括：根据光电耦合器的发光源的辐射通量进行分档获得第一分档值；根据光电耦合器的受光器的电流增益进行分档获得第二分档值；根据所述第一分档值和第二分档值进行配对以满足预设置的配对范围以控制所述电流传输比。

在一个具体的示例中，所述光电耦合器的电流传输比和所述发光源的辐射通量成正比例关系，所述发光源的辐射通量越强则光电耦合器的电流传输比的比值越大。同时所述光电耦合器的电流传输比和所述受光器的电流增益成正比例关系，所述受光器的电流增益越大则光电耦合器的电流传输比的比值越大。基于此原理，首先将发光源芯片按照一定范围的辐射通量进行分档，例如：0.05mw为一个分档范围，分为a档、b档、c档；同时将受光器芯片按照一定范围的电流增益值进行分档，例如：100为一个分档范围，a档、b档、c档。如表1所示，根据预设置的配对范围对所述发光源芯片和受光器芯片进行配对，例如：a配c，b配b，c配a。通过对所述发光源芯片和受光器芯片进行配对，使得与光电耦合器的电流传输比强相关的两个变量，发光源的辐射通量和受光器的电流增益得以细分配对使用，从而初步实现了ctr的精确控制，从而能够针对不同需求进行光电耦合器的定制化，最大限度的满足用户需求，同时提高生产效率，减小库存，降低生产成本。

表1电流传输比的配对范围

在一个优选的实施例中，所述方法还包括：调整所述发光源和受光器的空间距离以控制所述电流传输比。具体的，所述发光源和受光器的空间距离与所述电流传输比成反比例关系。当所述发光源和受光器的空间具体越远，则所述电流传输比越小。基于此原理，如图3和图4所示，调节发光源芯片和受光器芯片在制备长爬电光电耦合器的框架的基岛上的位置即能够达到精确控制电流传输比的目的。经过实际验证，所述发光源芯片每向所述受光器芯片靠近1mm，对电流传输比的影响约2％；同时，所述受光器芯片每向所述发光源芯片靠近1mm，对电流传输比的影响约为5％。因此通过所述发光源芯片和受光器芯片在空间位置的移动，实现了对电流传输比的的进一步精确控制。

在另一个优选的实施例中，所述方法还包括：调整对所述发光源进行硅胶保护的参数以控制所述电流传输比。在长爬电光电耦合器的制作过程中，所述发光源芯片固定在基岛之后需要进行点硅胶处理，如图1所示，一方面是对脆弱的发光源芯片进行保护，另一方面是该硅胶可以改变发光源的光型，从而使受光器的受光更为均匀。因此硅胶的形貌也是影响电流传输比的一个变量。基于此原理，可以通过调整所述硅胶保护使用的硅胶体积实现对所述电流传输比的精确控制，例如控制点硅胶装置的参数，如气压200-600pi，时间0.1-1s；还可以通过调整所述硅胶保护的回温时间和搅拌时间实现对所述电流传输比的精确控制，例如，通过精确控制硅胶的回温时间，例如1-8小时，搅拌时间为1-5小时；从而实现硅胶形貌及用量的一致性，进而控制了光路的一致性，而光路的良好重复进一步优化了电流传输比的一致性。

与上述实施例提供的提高电流传输比的方法相对应，本发明的一个实施例还提供一种长爬电光电耦合器的制作方法，由于本申请实施例提供的制作方法与上述几种实施例提供的提高电流传输比的方法相对应，因此在前述实施方式也适用于本实施例提供的制作方法，在本实施例中不再详细描述。

如图5所示，本发明的一个实施例还提供一种长爬电光电耦合器的制作方法，包括：

首先，根据光电耦合器的发光源的辐射通量进行分档获得第一分档值，根据光电耦合器的受光器的电流增益进行分档获得第二分档值。

其次，根据预设置的配对范围、第一分档值和第二分档值将所述发光源和受光器进行配对。

再次，分别调整所述发光源和受光器在支架的基岛上的粘片位置。

最后，调整对所述发光源进行硅胶保护的参数，具体包括控制所述硅胶的点胶气压及点胶时间以调整所述硅胶保护使用的硅胶体积；调整所述硅胶保护的回温时间和搅拌时间。

本发明针对目前现有的长爬电光电耦合器存在电流传输比不稳定的问题，制定一种提高长爬电光电耦合器电流传输比的方法和制作方法，并通过对发光源的辐射通量和受光器的电流增益进行配对，能够有效提升长爬电光电耦合器的电流传输比的中档率，在满足长爬电光耦交流耐压≥7000v，厚度≤2mm，爬电距离≥8mm的同时，对长爬电光电耦合器的电流传输比进行精确控制，能够针对不同需求进行定制化，降低生产成本，减小库存压力，并提升产品的竞争力。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。