基板蚀刻设备及其处理系统的制作方法

本发明涉及一种显示面板的制程领域，尤指一种基板蚀刻设备及其处理系统。

背景技术：

薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)阵列基板(arraysubstrate)是目前lcd装置和am0led装置中的主要组成部件，并影响高性能显示面板的显示品质。以现有lcd的制程而言，包括前段阵列制程、中段成盒(cell)制程以及后段模组组装制程。前段阵列制程又包括玻璃基板的清洗与干燥、镀膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、去除光刻胶等制程，其中蚀刻又分为湿法蚀刻(wetetching)和干法蚀刻(dryetching)。湿法蚀刻的效果对于布线的精细程度具有二个重要特征值，即尺寸偏差(cdbias)和蚀刻尺寸(cd，criticaldimension)的均一性。

目前tft制程中，最后的蚀刻室(finaletcherchamber)已将之后制程的风刀移至其内装配。当最后蚀刻室内无喷洒(或喷洒关闭)时，风刀所提供的压缩干燥空气(cda，compresseddryair)容易造成蚀刻室内部温度过低，进而使基板产生条纹(mura)或缺陷(defect)等缺陷，而使面板品质偏离设计值。

技术实现要素：

有鉴于此，有必要提供一种基板蚀刻设备及其处理系统，来解决现有技术所存在的问题。

本发明的目的在于提供一种基板蚀刻设备及其处理系统，用以提升所述各滚轮的温度，以防止波纹(mura)等不良/缺陷的产生。

为达成本发明前述目的，本发明提供一种基板蚀刻设备，包括承载机台、多个第二组滚轮及调节控制装置。承载机台包括运送所述基板的多个第一组滚轮、沉浸各所述第一组滚轮并容纳有蚀刻液的蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽上方的喷管及设置于所述蚀刻槽一端且位于各所述第一组滚轮上方的液刀。多个第二组滚轮分别设置于所述蚀刻槽内并对应各所述第一组滚轮设置，各所述第二组滚轮和各所述第一组滚轮分别夹持所述基板，以水平通过所述蚀刻槽的进入口和排出口。调节控制装置设置在所述蚀刻槽下方，所述调节控制装置包括排放容纳于所述蚀刻槽的所述蚀刻液和供给所述喷管的所述蚀刻液的连接管路，以及保持所述第一组滚轮或所述第二组滚轮温度的温控调节单元。

在本发明的一实施例中，所述调节控制装置还包括多个侦测单元、手动调节阀和流量阀，各所述侦测单元分别布设于所述蚀刻槽内，各所述侦测单元用以侦测所述基板位置及所述蚀刻液水位，所述手动调节阀和所述流量阀分别与所述连接管路连接。

在本发明的一实施例中，侦测所述蚀刻液水位的所述侦测单元用以侦测所述蚀刻液水位是否低于各所述第二组滚轮，使各所述第一组滚轮或各所述第二组滚轮浸没于所述蚀刻液中。

在本发明的一实施例中，水平布设在所述蚀刻槽内的各所述第二组滚轮的数量少于水平布设在所述蚀刻槽内的各所述第一组滚轮的数量。

在本发明的一实施例中，所述喷管还间隔的布设有多个喷嘴，所述喷管带动每一所述喷嘴摆动的对所述基板喷洒所述蚀刻液。

在本发明的一实施例中，还包括设置于所述蚀刻槽另一端的风刀，当所述基板通过蚀刻工艺并运送出所述排出口后，所述风刀提供压缩干燥空气以将所述基板上的所述蚀刻液吹除。

在本发明的一实施例中，所述连接管路分别连接所述喷管和所述液刀。

再者，本发明还提供一种基板处理系统，包括如前述实施例所述的基板蚀刻设备、清洗设备及干燥设备。清洗设备连接所述基板蚀刻设备，所述清洗设备包括清洗管、连接清洗管的多个清洗喷嘴以及设置于请洗管一侧的双刀口液刀。干燥设备连接所述清洗设备。

在本发明的一实施例中，所述基板蚀刻设备与所述清洗设备之间还包含屏蔽盖板，所述屏蔽盖板设置于所述风刀和双刀口液刀之间。

在本发明的一实施例中，所述清洗设备与所述干燥设备之间还包含设置干湿分离隔板。

本发明还具有以下功效，各所述第一组滚轮和各所述第二组滚轮能够保持基板温度，因此不会因为无喷洒、喷洒关闭或风刀吹袭造成的温差，而使基板s产生mura。此外，本发明的基板处理系统还提供屏蔽盖板和干湿分离隔板，所述屏蔽盖板和所述干湿分离隔板分别隔离基板蚀刻设备、清洗设备及干燥设备，避免所述基板在通过所述清洗设备及所述干燥设备时，温度差异过大而产生mura、水痕、无化学残留物或其他杂质，有效提升基板的品质，以确保基板进入下段制程符合要求。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明基板蚀刻设备的示意图；

图2是本发明基板处理系统的示意图；及

图3是本发明基板处理系统的另一示意图。

具体实施方式

在具体实施方式中提及“实施例”意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的不同位置出现的相同用语并非必然被限制为相同的实施方式，而应当理解为与其它实施例互为独立的或备选的实施方式。在本发明提供的实施例所公开的技术方案启示下，本领域的普通技术人员应理解本发明所描述的实施例可具有其他符合本发明构思的技术方案结合或变化。

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]、[竖直]、[水平]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

请参照图1及图2所示，图1为本发明基板蚀刻设备的示意图；图2为本发明基板处理系统的示意图。在如图1所示的实施例中，本发明提供一种基板蚀刻设备1，包括承载机台2、多个第二组滚轮3及调节控制装置4。在此所指的基板蚀刻设备1包含但不限于使用在薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)的阵列基板(arraysubstrate)中，以应用于例如lcd和am0led器件中的各组成部件。

承载机台2包括运送所述基板s的多个第一组滚轮21、沉浸各所述第一组滚轮21并容纳有蚀刻液22的蚀刻槽23、设置于所述蚀刻槽23上方的喷管24及设置于所述蚀刻槽23一端且位于各所述第一组滚轮21上方的液刀25。多个第二组滚轮3分别设置于所述蚀刻槽23内并对应各所述第一组滚轮21设置，各所述第二组滚轮3和各所述第一组滚轮21分别夹持所述基板3，以水平通过所述蚀刻槽23的进入口231和排出口232。

请一并参照图3所示，为本发明基板处理系统的示意图，其中各设备省略各组滚轮结构的示意图。如图3所示的调节控制装置4设置在所述蚀刻槽23下方。所述调节控制装置4包括排放容纳于所述蚀刻槽23的所述蚀刻液22和供给所述喷管24的所述蚀刻液22的连接管路41，以及保持所述第一组滚轮21或所述第二组滚轮3温度的温控调节单元42。在本实施例中，所述调节控制装置4还包括多个侦测单元43、手动调节阀44、流量阀45、泵浦(pump，图未示)和控制所述调节控制装置4的程序逻辑控制装置(plc，图未示)。

各所述侦测单元43分别布设于所述蚀刻槽23内，然而在图3中只绘示单一的侦测单元43作为说明。各所述侦测单元43例如能够侦测所述基板s的位置、所述蚀刻液22在所述蚀刻槽23的水位，以及所述蚀刻槽23的进入口231和排出口232的闸门(图未示)启闭的情况。所述手动调节阀44和所述流量阀45则分别与所述连接管路41连接。

在一实施例中，侦测所述蚀刻液22水位的所述侦测单元43用以侦测所述蚀刻液22水位是否低于各所述第二组滚轮3，使各所述第一组滚轮21或各所述第二组滚轮3浸没于所述蚀刻液22中。在如图1的实施例中，所述蚀刻液22实质上是部份沉浸各所述第二组滚轮3，使各所述第二组滚轮3能够得到所述蚀刻液22的温度。具体而言，通过所述温控调节单元42提供所述蚀刻液22随时保持所述温度，同时使浸没在所述蚀刻液22的各所述第一组滚轮21/各所述第二组滚轮3及所述基板s具有上述温度。

在图1及图2中，各所述第二组滚轮3作用为压制基板s，各所述第一组滚轮21则是提供基板s水平移动。水平布设的各所述第二组滚轮3的数量较佳少于水平布设在所述蚀刻槽23内的各所述第一组滚轮21的数量。在如图2所示的实施例中，清洗设备6还包括多个清洗单元65(仅绘示一个表示)，清洗单元65可以选择性的不设置滚轮，视需要而改变。所述喷管24还间隔的布设有多个喷嘴241，所述喷管24带动每一所述喷嘴241摆动的对所述基板s喷洒所述蚀刻液22，因此根据不同基板s的尺寸都可以均匀喷洒至其表面。在如图3所示的实施例中，还包括设置于所述蚀刻槽23另一端的风刀5。当所述基板s通过蚀刻工艺并运送出所述排出口232后，所述风刀5提供压缩干净干燥空气以将所述基板s的所述蚀刻液22吹除。所述连接管路41还进一步分别连接所述喷管24和所述液刀25。

蚀刻槽23通过独立的连接管路41注入蚀刻液22，并采用例如动调节阀44及流量阀45等元件调节用量。当喷管24的喷嘴241喷洒开启时，蚀刻槽23通过其槽底的闸门(图略)及控制闸门的气缸(图略)控制启闭以排放蚀刻液22。因此蚀刻槽23不需独立管路即能够顺利排放蚀刻液22。

由于各所述第一组滚轮21、各所述第二组滚轮3和所述蚀刻液22能够提供基板s一定的温度，因此当喷管24的喷嘴241无喷洒或喷洒关闭情况时，也不会因为与无喷洒造成所述基板s温度过低而产生直线贯穿等形状的条纹(mura)。甚至是，当所述基板s遭所述风刀5的压缩干燥空气吹袭时，由于各所述第一组滚轮21和各所述第二组滚轮3保持所述基板s温度，因此不会因为温差而使基板s产生mura。

如图3所示，本发明还提供一种基板处理系统100，包括如前述实施例所述的基板蚀刻设备1、清洗设备6及干燥设备7。清洗设备6连接所述基板蚀刻设备1，所述清洗设备6包括清洗管61、连接清洗管61的多个清洗喷嘴62以及设置于请洗管61一侧的双刀口液刀63。干燥设备6连接所述清洗设备7。

所述基板蚀刻设备1与所述清洗设备6之间还包含屏蔽盖板65，以避免所述基板蚀刻设备1与所述清洗设备6之间的污染，以及保持各设备之间温度的恒定。如图3所示的所述屏蔽盖板65设置于所述风刀5和双刀口液刀63之间。此外，所述清洗设备6与所述干燥设备7之间还包含设置干湿分离隔板71，使充满雾气和水气的所述基板s不会渗入到所述干燥设备7中。因此，本发明的屏蔽盖板65和干湿分离隔板71能够避免所述基板s在通过所述清洗设备6及所述干燥设备7时，温度差异过大而产生mura、水痕、无化学残留物或其他杂质，有效提升基板s的品质，以确保基板进入下段制程符合要求。

综上所述，虽然本发明结合其具体实施例而被描述，应该理解的是，许多替代、修改及变化对于那些本领域的技术人员将是显而易见的。因此，其意在包含落入所附权利要求书的范围内的所有替代、修改及变化。