半导体芯片的分片方法与流程

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种半导体芯片的分片方法。

背景技术：

在激光器、探测器、太阳电池等半导体芯片等领域，经常会通过划片和裂片两道工序完成芯片的隔离。

参图1a、1b所示，划片是在半导体芯片10正面11划刻一道划线槽21，然后在划线槽21上沿着裂片槽22进行半导体芯片的分片，最终分片得到的半导体芯片的表面形貌图如图1c所示。

但现有技术中的分片方法均在半导体芯片的正面进行，会损伤芯片的有源区，造成对芯片性能和外观的损伤，大大降低了芯片的分片良率。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种半导体芯片的分片方法。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体芯片的分片方法。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

一种半导体芯片的分片方法，所述分片方法包括：

s1、在半导体芯片正面边缘形成划线槽；

s2、在半导体芯片背面采集正面划线槽的位置，确定背面裂片槽的位置；

s3、从半导体芯片背面沿裂片槽进行半导体芯片的分片。

作为本发明的进一步改进，所述步骤s1具体为：

在半导体芯片正面边缘划刻形成划线槽。

作为本发明的进一步改进，所述步骤s1具体为：

通过湿法腐蚀工艺，基于不同晶向选择比的差异性，在半导体芯片正面形成v型结构的划线槽。

作为本发明的进一步改进，所述划线槽至少设于半导体芯片正面一侧的边缘。

作为本发明的进一步改进，所述划线槽至少设于半导体芯片正面两侧的边缘。

作为本发明的进一步改进，所述划线槽的长度不大于半导体芯片总长度的1/2，划线槽的深度为1μm～50μm。

作为本发明的进一步改进，所述划线槽的底部距离半导体芯片背面的距离为5μm～20μm。

作为本发明的进一步改进，所述步骤s2具体为：

通过ccd相机，在半导体芯片背面采集正面划线槽的位置，确定背面裂片槽的位置。

作为本发明的进一步改进，所述半导体芯片为inp基半导体芯片或si基半导体芯片。

本发明的有益效果是：

本发明通过正面划片、背面裂片的分片方法，可以避免现有技术中侧壁挤压的情况，分片过程中不会产生碎屑污染芯片，大大提高了芯片的分片良率，保证了半导体芯片的电学性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a、1b分别为现有技术中半导体芯片划片、分片的示意图；

图1c为现有技术中分片得到的半导体芯片的表面形貌图；

图2为本发明半导体芯片分片方法的工艺流程图；

图3a、3b分别为本发明一具体实施例中半导体芯片划片、分片的示意图；

图3c为本发明一具体实施例中分片得到的半导体芯片的表面形貌图；

图4a、4b分别为本发明另一具体实施例中半导体芯片划片、分片的示意图；

图5为本发明再一具体实施例中半导体芯片的剖视结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

参图2所示，本发明公开了一种半导体芯片的分片方法，包括：

s1、在半导体芯片正面边缘形成划线槽；

s2、在半导体芯片背面采集正面划线槽的位置，确定背面裂片槽的位置；

s3、从半导体芯片背面沿裂片槽进行半导体芯片的分片。

本发明中的划线槽至少设于半导体芯片正面一侧的边缘，优选地，划线槽至少设于半导体芯片正面两侧的边缘。划线槽可直接在半导体芯片划刻，也可通过湿法腐蚀工艺蚀刻形成。

在发明的一些优选方案中，划线槽的长度不大于半导体芯片总长度的1/2，划线槽的深度为1μm～50μm。

在发明的一些优选方案中，划线槽的底部距离半导体芯片背面的距离为5μm～20μm。

具体地，步骤s2具体为：

通过ccd相机，在半导体芯片背面采集正面划线槽的位置，确定背面裂片槽的位置。

本发明中的半导体芯片可以为inp基半导体芯片或si基半导体芯片，也可以为其他结构的芯片。

以下结合具体实施例对本发明进行详细说明。

本发明一具体实施例中半导体芯片的分片方法，包括：

参图3a所示，在半导体芯片10正面11边缘划刻划线槽21。

本实施例中的半导体芯片为inp基半导体芯片。划线槽21设于半导体芯片10的一侧边缘，其长度为半导体芯片10长度的1/8左右，划线槽21的深度为10μm。

在划片过程中，采用不同划方法，只在芯片边缘划开一小口，避免了传统方法因通划产生的碎屑，污染芯片表面。

参图3b所示，在半导体芯片10背面12采集正面划线槽21的位置，确定背面裂片槽22的位置。

在完成划片工艺后进行裂片工艺，在裂片时采用从背面划裂的方法，通过ccd相机采集正面划线槽的位置。

从半导体芯片10背面12沿裂片槽22进行半导体芯片的分片，最终分片得到的半导体芯片的表面形貌图如图3c所示。

最后通过流片的方法从背面实现裂片，避免了传统方法从正面劈裂时，劈刀和正面划线处相互碰撞，造成芯片边缘损伤、侧壁漏电情况出现。

对比图1c和图3c可以看出，本实施例中通过正面划片、背面裂片的分片方法，可以避免现有技术中侧壁挤压的情况，分片过程中不会产生碎屑污染芯片，大大提高了芯片的分片良率。

本发明另一具体实施例中半导体芯片的分片方法，包括：

参图4a所示，在半导体芯片10正面11边缘划刻划线槽21。

本实施例中的半导体芯片为si基半导体芯片。划线槽21设于半导体芯片10的两侧边缘，每侧划线槽21的长度为半导体芯片10长度的1/8左右，划线槽21底部距离半导体芯片10背面的深度为10μm。

在划片过程中，采用不同划方法，只在芯片两侧边缘划开一小口，避免了传统方法因通划产生的碎屑，污染芯片表面。

参图4b所示，在半导体芯片10背面12采集正面划线槽21的位置，确定背面裂片槽22的位置。

在完成划片工艺后进行裂片工艺，在裂片时采用从背面划裂的方法，通过ccd相机采集正面划线槽的位置。

从半导体芯片10背面12沿裂片槽22进行半导体芯片的分片。

在本发明的再一实施例中，半导体芯片的分片方法，包括：

参图5所示，通过湿法腐蚀工艺，基于不同晶向选择比的差异性，在半导体芯片正面形成v型结构的划线槽。

本实施例中的半导体芯片为inp基半导体芯片，利用晶向(100)和(111)方向湿法腐蚀选择比的差异性，在芯片正面形成v型结构的划线槽，这样可以避免砂轮切割带来碎屑问题。

而后，在半导体芯片背面采集正面划线槽的位置，确定背面裂片槽的位置。

最后从半导体芯片背面沿裂片槽进行半导体芯片的分片。

由以上技术方案可以看出，本发明具有如下有益效果：

本发明通过正面划片、背面裂片的分片方法，可以避免现有技术中侧壁挤压的情况，分片过程中不会产生碎屑污染芯片，大大提高了芯片的分片良率，保证了半导体芯片的电学性能。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。