技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于无线传输的硅基肖特基二极管及整流电路，硅基肖特基二极管包括：Si衬底、第一Ge层、第二Ge层、SiGe/Ge应变超晶格插层、第一N型张应变Ge层、第二N型张应变Ge层、铝Al金属层和钨W金属层，第一Ge层设置在Si衬底的表面；第二Ge层设置在第一Ge层的表面；SiGe/Ge应变超晶格插层设置在第二Ge层的表面；第一N型张应变Ge层设置在第二Ge层的表面；第二N型张应变Ge层内嵌在第一N型张应变Ge层中；Al金属层设置在第二N型张应变Ge层的表面上；W金属层设置在第一N型张应变Ge层的表面的预设的肖特基接触指定区域内。应用本发明实施例可以提高肖特基二极管的电子迁移率。
技术研发人员：刘奕晨;李薇
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
技术研发日：2018.12.28
技术公布日：2019.05.03