技术特征：
技术总结
本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，上述半导体结构包括沿上述半导体结构的高度方向贯穿介质层的通孔，上述通孔互连上述半导体结构的前段器件和上述半导体结构的后段金属线，通过执行第一刻蚀工艺和第二刻蚀工艺，使得所形成的上述通孔的正交于上述高度方向的横截面在上述后段金属线的延伸方向的第一尺寸大于在垂直于上述延伸方向的第二尺寸。根据本发明所提供的制造方法所形成的通孔结构，能够在不通过修改光罩的情况下，保持通孔的第二方向特征尺寸不变，并扩大第一方向的特征尺寸，从而有效降低位于通孔中的金属触点的阻值，并且不会造成第二方向上的器件短路。
技术研发人员：张年亨
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.12.29
技术公布日：2019.05.07