本实用新型涉及一种ECV载物台。
背景技术：
近几年半导体行业兴起，测试InP片扩散后浓度和深度的分布情况，一般采用电化学微分电容电压法，简称ECV。它是利用电解液来形成势垒并对半导体加以正向偏压型或反向偏压型并加以光照进行表面腐蚀去除已电解的材料，通过自动装置重复“腐蚀一测量”循环得到测量曲线，然后应用法拉第定律，对腐蚀电流进行积分就可以连续得到腐蚀深度。测试一般是借用半导体晶圆扩散领域的测试仪器进行，即结深测试仪。由于晶圆表面是抛光面，易产生划痕，现有的载物台结构设计不合理，不方便测不同尺寸晶元，不易夹取晶元，且容易划伤晶元表面。
技术实现要素：
鉴于现有技术的不足，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种ECV载物台，不仅结构设计合理，而且高效便捷。
为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种ECV载物台，包括用以承载晶元的载物台本体，所述载物台本体整体呈十字形，所述载物台本体的上表面平齐，所述载物台本体上设置有若干个用以定位晶元的真空吸孔，每个所述真空吸孔分别经真空吸管连接至真空泵。
进一步的，若干个所述真空吸孔整体呈十字形排列。
进一步的，若干个所述真空吸孔沿着载物台本体的长度方向与宽度方向布置。
进一步的，位于中心的所述真空吸孔与载物台本体的中心同轴设置。
进一步的，所述真空吸管与真空泵均设置在载物台本体的下方。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型结构设计简单、合理，本实用新型通过真空吸孔吸住待测的晶元，便于测不同尺寸晶元，易于夹取晶元，避免对晶元表面造成划伤，高效便捷，具有广阔的应用前景。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步详细的说明。
附图说明
图1为本实用新型实施例的俯视示意图。
图2为本实用新型实施例的内部示意图。
图3为本实用新型实施例的使用状态示意图。
图中：1-载物台本体，2-真空吸孔，3-真空吸管，4-真空泵，a-晶元。
具体实施方式
为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。
如图1~3所示，一种ECV载物台，包括用以承载晶元a的载物台本体1，所述载物台本体1整体呈十字形，所述载物台本体1的上表面平齐，所述载物台本体1上设置有若干个用以定位晶元a的真空吸孔2，每个所述真空吸孔2分别经真空吸管3连接至真空泵4；当晶元a置于载物台本体1上时，由于所述载物台本体1整体呈十字形，所述载物台本体1没有布满整个晶元a的底面，可以自晶元a未被载物台本体1支撑到的部位夹取晶元a。
在本实用新型实施例中，若干个所述真空吸孔2整体呈十字形排列。
在本实用新型实施例中，若干个所述真空吸孔2沿着载物台本体1的长度方向与宽度方向布置。
在本实用新型实施例中，位于中心的所述真空吸孔2与载物台本体1的中心同轴设置。
在本实用新型实施例中，所述真空吸管3与真空泵4均设置在载物台本体1的下方。
在本实用新型实施例中，所述真空泵4为无油真空泵。
在本实用新型实施例中，所述载物台本体1长18-22cm、宽10-14cm、高2-3cm，所述真空吸孔2的直径为3-6mm。
在本实用新型实施例中，所述载物台本体1的上方设置有电极。
本实用新型不局限于上述最佳实施方式，任何人在本实用新型的启示下都可以得出其他各种形式的ECV载物台。凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。