本实用新型涉及一种新型片架定位工装，应用于传感器加工技术领域。
背景技术：
刻蚀技术是在半导体工艺中，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，在传感器单晶硅加工过程中，均需对其进行刻蚀处理，通常将单晶硅置于旋转的片架上，然后向片架所在位置导入反应气体，使反应气体在电场环境下产生等离子体，然而现有的片架在旋转过程中，在使用一段时间后，容易发生偏移，使用周期较短，同时偏移的片架若继续使用，会严重影响刻蚀效果。
技术实现要素：
为解决现有技术方案的缺陷，本实用新型公开了一种新型片架定位工装，具有结构新颖、使用寿命长的优点。
本实用新型公开了一种新型片架定位工装，包括：反应箱、气源室、进气管、出气管、抽气装置、片架、旋转电机、转动座、环形挡圈、豁口、滚轮，所述气源室设置在反应箱的一侧，所述反应箱与气源室之间通过进气管连接，所述反应箱的底壁上连接一根出气管，所述出气管不与反应箱连接的另一端与抽气装置连接，所述旋转电机固定安装在反应箱下端面，所述旋转电机输出轴向上穿过反应箱底壁后末端固接一个转动座，所述片架固接在转动座上端面处，所述环形挡圈固接在反应箱内部下侧，所述转动座的外侧架设在环形挡圈上，所述转动座左右两侧分别开有一个豁口，且每一个豁口内均通过短轴转动安装一个滚轮，所述滚轮外壁与反应箱内壁接触。
所述抽气装置为真空泵或抽风机中的一种。
所述反应箱、转动座均为圆柱形结构，所述转动座、环形挡圈的圆心在同一竖直延伸线上，且转动座的直径大于环形挡圈的内径。
由于采用上述技术方案，本实用新型具有以下有益优点：
1、结构新颖；
2、使用寿命长。
附图说明
图1是本实用新型一种新型片架定位工装的剖视结构示意图；
图2是本实用新型中转动座处的结构示意图。
其中：1-反应箱；2-气源室；3-进气管；4-出气管；5-抽气装置；6-片架；7-旋转电机；8-转动座；9-环形挡圈；10-豁口；11-滚轮。
具体实施方式
如图1、2所示，本实用新型公开了一种新型片架定位工装，包括：反应箱1、气源室2、进气管3、出气管4、抽气装置5、片架6、旋转电机7、转动座8、环形挡圈9、豁口10、滚轮11，所述气源室2设置在反应箱1的一侧，所述反应箱2与气源室1之间通过进气管3连接，所述反应箱1的底壁上连接一根出气管4，所述出气管4不与反应箱1连接的另一端与抽气装置5连接，所述旋转电机7固定安装在反应箱1下端面，所述旋转电机7输出轴向上穿过反应箱1底壁后末端固接一个转动座8，所述片架6固接在转动座8上端面处，所述环形挡圈9固接在反应箱1内部下侧，所述转动座8的外侧架设在环形挡圈9上，所述转动座8左右两侧分别开有一个豁口10，且每一个豁口10内均通过短轴转动安装一个滚轮11，所述滚轮11外壁与反应箱1内壁接触。
所述抽气装置5为真空泵或抽风机中的一种。
所述反应箱1、转动座8均为圆柱形结构，所述转动座8、环形挡圈9的圆心在同一竖直延伸线上，且转动座8的直径大于环形挡圈9的内径。
本实用新型是这样实施的：将单晶硅置于片架6上，通过气源室2向反应箱1内供入反应气体，旋转电机7带动转动座8以及转动座8上的片架6一起转动，由于在转动座8外侧设有两个滚轮11，滚轮11在反应箱1内壁上运动，同时转动座8被环形挡圈9支撑，一直保持水平状态，从而确保了片架6的稳定性，间接提高了刻蚀效果。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换；而一切不脱离本实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围中。