1.一种缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底上具有介质层，所述介质层上形成有厚度大于10um的材质为铜或铝的金属线路，所述金属线路上表面覆盖有金属包覆层,所述金属线路与所述介质层之间设有应力缓解层，所述应力缓解层的边缘超出所述金属线路在其上的正投影0.5μm至6μm。
2.根据权利要求1所述的缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，所述金属线路外露的表面上均设有金属包覆层。
3.根据权利要求1所述的缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，所述应力缓解层由至少一层钛金属层或钛钨合金层或氮化钛层组成。
4.根据权利要求1所述的缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，所述应力缓解层的边缘超出所述金属线路在其上的正投影1μm至2μm。
5.根据权利要求2所述的缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，所述的金属包覆层材质为镍金或镍钯金，所述金属包覆层的包覆厚度范围为0.2μm至3μm。
6.根据权利要求1所述的缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，所述介质层的材质为氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求1所述的缓解互连结构应力的半导体结构，其特征在于，所述应力缓解层上还设有种子层,所述种子层材料与所述金属线路相同，所述种子层投影面积与所述应力缓解层或所述金属线路投影面积相同。