技术总结
本实用新型公开了一种缓解互连结构应力的半导体结构，通过在介质层与金属线路之间增设一层应力缓解层，该应力缓解层一方面作为阻挡层，防止金属线路的材料(铜或铝)扩散到介质层中，该应力缓解层另一方面作为延展层，其面积大于金属线路在其上的正投影面积，可避免金属线路及带有金属包覆层的金属线路与介质层直接接触，以降低金属线路及带有金属包覆层的金属线路与介质层界面之间的应力，解决金属线路(厚铜或厚铝)及带有金属包覆层的金属线路与介质层之间容易分层的问题，从而提高半导体结构的封装可靠性和封装良率，使具有金属线路(厚铜或厚铝)及带有金属包覆层的厚铜或厚铝线路的器件或封装结构能够顺利通过可靠性验证。
技术研发人员：马力;李琳瑜
受保护的技术使用者：华天科技（昆山）电子有限公司
技术研发日：2018.04.04
技术公布日：2018.10.30