InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构的制作方法

文档序号:16568476发布日期:2019-01-13 16:42阅读:来源:国知局

技术特征:

1.InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构,其特征在于:该结构包括InP衬底(1)、InP缓冲层(2)、InAsyP1-y外延层(3)、InP帽层(4);在InP衬底(1)上依次生长InP缓冲层(2)、InAsyP1-y外延层(3)和InP帽层(4)。

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