技术总结
本实用新型公开了InAsP/InP异质结构的分子束外延定标结构，该结构包括InP衬底(1)、InP缓冲层(2)、InAsyP1‑y外延层(3)、InP帽层(4)；在InP衬底(1)上依次生长InP缓冲层(2)、InAsyP1‑y外延层(3)和InP帽层(4)。该定标结构的X射线衍射摇摆曲线对InP帽层厚度、InAsyP1‑y外延层厚度和组分配比敏感，测试精度高，可以同时精确获得镓、砷、磷束源的束流速率信息。
技术研发人员：冯巍
受保护的技术使用者：新磊半导体科技（苏州）有限公司
技术研发日：2018.04.10
技术公布日：2019.01.11