技术总结
本实用新型揭示一种半导体存储器，半导体存储器包括衬底、第一接触层、第二接触层和接触间隔结构；第一接触层形成于相邻位线结构之间浅沟槽隔离结构两侧的有源区上，每侧第一接触层的截面包括L型，第一接触层包括覆盖有源区的底部，和覆盖位线结构侧壁的侧部；第二接触层形成于第一接触层的底部上且覆盖侧部的侧壁，其中，第二接触层的刻蚀速率小于第一接触层的刻蚀速率；接触间隔结构形成于浅沟槽隔离结构上方并位于第一接触层和第二接触层之间的空间。本实用新型的第二接触层用作保护层，以使在过度刻蚀第一接触层时，减少对浅沟槽隔离结构两侧硅的刻蚀，减少半导体存储器单元接触的缺陷。
技术研发人员：吴小飞
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.05.24
技术公布日：2018.11.16