1.一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，其特征在于，包括：
一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；
依次设于所述N型单晶硅基体(1)正面的本征非晶硅前钝化层(2)、正面N型非晶硅层(3)和减反层(4)；
依次沉积于所述N型单晶硅基体(1)背面的掺杂N+层(5)和本征非晶硅背钝化层(6)；
间隔设于所述本征非晶硅背钝化层(6)上的背面N型非晶硅层(7)和P型非晶硅层(8)；
设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)上的接触层(9)；
设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)之间的绝缘隔离层(10)。
2.根据权利要求1所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N+层(5)设有多个，多个所述掺杂N+层(5)依次间隔排布。
3.根据权利要求2所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，每一所述掺杂N+层(5)与一所述背面N型非晶硅层(7)相对。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N+层(5)为轻掺杂N+层，所述掺杂N+层(5)的表面掺杂浓度小于1×1018cm-3，扩散深度为0.2～1μm。
5.根据权利要求4所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述N型单晶硅基体(1)电阻率为0.5～10Ω·cm，厚度为100～300μm。
6.根据权利要求4所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述本征非晶硅前钝化层(2)，和/或本征非晶硅背钝化层(6)，和/或所述正面N型非晶硅层(3)的厚度为1～15nm。
7.根据权利要求6所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述减反层(4)为氧化物、氮化物的一种或两种的组合，所述减反层(4)厚度为50～200nm。
8.根据权利要求7所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述P型非晶硅层(8)的厚度为10～100nm，宽度为100～1000μm。
9.根据权利要求4所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述接触层(9)由透明导电薄膜与金属电极叠层组成。
10.根据权利要求9所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述透明导电薄膜包括锡掺杂的In2O3和铝掺杂的ZnO，所述金属电极为银、铜或铝。