技术总结
本实用新型公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本实用新型的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
技术研发人员：卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;杨振英;王旭辉
受保护的技术使用者：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
技术研发日：2018.07.03
技术公布日：2019.02.19